Esuk iki ing Seoul, Korea Selatan, Intel nganakake acara "Dina Memori lan Panyimpenan 2019" sing darmabakti kanggo rencana masa depan ing memori lan pasar drive solid-state. Ing kana, perwakilan perusahaan ngomong babagan model Optane sing bakal teka, kemajuan ing pangembangan PLC NAND lima-bit (Penta Level Cell) lan teknologi janji liyane sing direncanakake kanggo promosi ing taun-taun sing bakal teka. Intel uga ngomong babagan kepinginan kanggo ngenalake RAM sing ora molah malih ing komputer desktop ing jangka panjang lan babagan model anyar SSD sing wis dikenal kanggo segmen iki.
Sisih paling ora dikarepke saka presentasi Intel babagan perkembangan sing isih ana yaiku crita babagan PLC NAND - jinis memori lampu kilat sing luwih padhet. Perusahaan kasebut nandheske yen sajrone rong taun kepungkur, jumlah total data sing diasilake ing saindenging jagad wis tikel kaping pindho, saengga drive adhedhasar QLC NAND papat-bit ora ana maneh solusi sing apik kanggo masalah iki - industri mbutuhake sawetara pilihan kanthi luwih dhuwur. Kapadhetan panyimpenan. Output kudu Penta-Level Cell (PLC) memori lampu kilat, saben sel kang nyimpen limang bit data bebarengan. Mangkono, hirarki jinis memori lampu kilat bakal katon kaya SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. PLC NAND anyar bakal bisa nyimpen data kaping lima luwih akeh dibandhingake karo SLC, nanging, mesthi, kanthi kinerja lan linuwih sing luwih murah, amarga pengontrol kudu mbedakake antarane 32 negara sing beda-beda saka sel kanggo nulis lan maca limang bit. .
Wigati dicathet yen Intel ora mung ngupayakake nggawe memori lampu kilat sing luwih padhet. Toshiba uga ngomong babagan rencana nggawe PLC NAND sajrone Flash Memory Summit sing dianakake ing wulan Agustus. Nanging, teknologi Intel beda banget: perusahaan nggunakake sel memori floating-gate, dene desain Toshiba dibangun ing saubengé sel basis trap. Kanthi nambah Kapadhetan panyimpenan informasi, gapura ngambang misale jek dadi solusi sing paling apik, awit iku nyilikake pengaruh bebarengan lan aliran biaya ing sel lan ndadekake iku bisa kanggo maca data karo kasalahan kurang. Kanthi tembung liyane, desain Intel luwih cocog kanggo nambah kapadhetan, sing dikonfirmasi kanthi asil tes QLC NAND sing kasedhiya kanthi komersial sing digawe nggunakake teknologi sing beda. Tes kasebut nuduhake yen degradasi data ing sel memori QLC adhedhasar gerbang ngambang kedadeyan loro nganti telu luwih alon tinimbang ing sel QLC NAND kanthi trap pangisian daya.
Ing latar mburi iki, informasi sing Micron mutusake kanggo nuduhake pangembangan memori lampu kilat karo Intel, antara liya, amarga kepinginan kanggo ngalih nggunakake sel trap daya, katon cukup menarik. Intel tetep setya marang teknologi asli lan kanthi sistematis ngleksanakake ing kabeh solusi anyar.
Saliyane PLC NAND, sing isih dikembangake, Intel pengin nambah Kapadhetan panyimpenan informasi ing memori lampu kilat kanthi nggunakake teknologi liyane sing luwih terjangkau. Khususé, perusahaan kasebut ngonfirmasi transisi sing bakal ditindakake menyang produksi massal 96-lapisan QLC 3D NAND: bakal digunakake ing drive konsumen anyar .
Iki bakal diterusake kanthi nguwasani produksi 144-lapisan QLC 3D NAND - bakal tekan drive produksi taun ngarep. Aneh banget yen Intel nganti saiki nolak maksud nggunakake kristal monolitik triple soldering, mula nalika desain 96-lapisan kalebu perakitan vertikal loro kristal 48-lapisan, teknologi 144-lapisan bakal adhedhasar 72-lapisan. "produk setengah jadi".
Bebarengan karo nambah jumlah lapisan ing kristal QLC 3D NAND, pangembang Intel durung pengin nambah kapasitas kristal kasebut. Adhedhasar teknologi 96- lan 144-lapisan, kristal terabit sing padha bakal diprodhuksi minangka QLC 64D NAND 3-lapisan generasi pisanan. Iki amarga kepinginan kanggo nyedhiyakake SSD adhedhasar tingkat kinerja sing bisa ditampa. SSDs pisanan nggunakake memori 144-lapisan bakal Arbordale + server drive.
Source: 3dnews.ru