Ing Samsung, saben nanometer diitung: sawise 7 nm bakal ana proses teknologi 6-, 5-, 4- lan 3-nm

Dina iki Samsung Electronics kacarita babagan rencana pangembangan proses teknis kanggo produksi semikonduktor. Perusahaan nganggep nggawe proyek digital chip 3-nm eksperimen adhedhasar transistor MBCFET sing dipatenake minangka prestasi utama saiki. Iki minangka transistor kanthi sawetara saluran nanopage horisontal ing gerbang FET vertikal (Multi-Bridge-Channel FET).

Minangka bagéan saka aliansi karo IBM, Samsung ngembangake teknologi sing rada beda kanggo produksi transistor kanthi saluran sing diubengi kanthi gapura (GAA utawa Gate-All-Around). Saluran kasebut mesthine digawe tipis ing wangun kawat nano. Salajengipun, Samsung pindhah saka skema iki lan paten struktur transistor karo saluran ing wangun nanopages. Struktur iki ngidini sampeyan ngontrol karakteristik transistor kanthi manipulasi jumlah kaca (saluran) lan kanthi nyetel ambane kaca. Kanggo teknologi FET klasik, maneuver kasebut ora mungkin. Kanggo nambah daya saka transistor FinFET, perlu kanggo multiply nomer FET sirip ing substrat, lan iki mbutuhake wilayah. Karakteristik transistor MBCFET bisa diganti ing siji gerbang fisik, sing sampeyan kudu nyetel ambane saluran lan nomere.

Kasedhiyan desain digital (taped metu) saka chip prototipe kanggo produksi nggunakake proses GAA ngidini Samsung kanggo nemtokake watesan saka Kapabilitas transistor MBCFET. Sampeyan kudu eling yen iki isih data modeling komputer lan proses teknis anyar mung bisa diadili sawise diluncurake menyang produksi massal. Nanging, ana titik wiwitan. Perusahaan kasebut ujar manawa transisi saka proses 7nm (jelas generasi pertama) menyang proses GAA bakal nyuda 45% area mati lan nyuda konsumsi 50%. Yen sampeyan ora ngirit konsumsi, produktivitas bisa ditambah 35%. Sadurunge, Samsung ndeleng tabungan lan produktivitas nalika pindhah menyang proses 3nm kadhaptar dipisahake karo koma. Pranyata iku salah siji utawa liyane.

Perusahaan kasebut nganggep nyiapake platform maya umum kanggo pangembang chip independen lan perusahaan fabless minangka titik penting kanggo popularisasi teknologi proses 3nm. Samsung ora ndhelikake lingkungan pangembangan, verifikasi proyek lan perpustakaan ing server produksi. Platform SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) bakal kasedhiya kanggo para desainer ing saindenging jagad. Platform maya SAFE digawe kanthi partisipasi layanan awan umum kayata Amazon Web Services (AWS) lan Microsoft Azure. Pangembang sistem desain saka Cadence lan Synopsys nyedhiyakake alat desain ing SAFE. Iki janji bakal luwih gampang lan luwih murah kanggo nggawe solusi anyar kanggo proses Samsung.

Bali menyang teknologi proses 3nm Samsung, ayo nambahake manawa perusahaan kasebut nampilake versi pisanan saka paket pangembangan chip - 3nm GAE PDK Versi 0.1. Kanthi bantuan, sampeyan bisa miwiti ngrancang solusi 3nm dina iki, utawa paling ora nyiapake kanggo ketemu proses Samsung iki nalika wis nyebar.

Samsung ngumumake rencana masa depan kaya ing ngisor iki. Ing separo kapindho taun iki, produksi massal chip nggunakake proses 6nm bakal diluncurake. Ing wektu sing padha, pangembangan teknologi proses 4nm bakal rampung. Pangembangan produk Samsung pisanan sing nggunakake proses 5nm bakal rampung ing musim gugur iki, kanthi produksi diluncurake ing separo pisanan taun ngarep. Kajaba iku, ing pungkasan taun iki, Samsung bakal ngrampungake pangembangan teknologi proses 18FDS (18 nm ing wafer FD-SOI) lan chip eMRAM 1-Gbit. Teknologi proses saka 7 nm nganti 3 nm bakal nggunakake pemindai EUV kanthi intensitas tambah, nggawe saben nanometer count. Luwih ing dalan mudhun, saben langkah bakal ditindakake kanthi perang.

Source: 3dnews.ru