გაჯეტების დამტენები რევოლუციის ზღვარზეა: ჩინელებმა ისწავლეს GaN ტრანზისტორების დამზადება
დენის ნახევარგამტარები ნივთებს მაღლა სწევენ. სილიციუმის ნაცვლად გამოიყენება გალიუმის ნიტრიდი (GaN). GaN-ის ინვერტორები და კვების წყაროები მუშაობენ 99%-მდე ეფექტურობით, რაც უზრუნველყოფს ენერგეტიკულ სისტემებს ელექტროსადგურებიდან ელექტროენერგიის შენახვისა და უტილიზაციის სისტემებამდე. ახალი ბაზრის ლიდერები არიან კომპანიები აშშ-დან, ევროპიდან და იაპონიიდან. ახლა პირველი კომპანია შემოვიდა ამ სფეროში […]