სამსუნგმა დაიწყო 100 ფენიანი 3D NAND-ის მასიური წარმოება და ჰპირდება 300 ფენას

ახალი პრესრელიზი Samsung Electronics-ისგან იტყობინებარომ მან დაიწყო 3D NAND-ის მასობრივი წარმოება 100-ზე მეტი ფენით. უმაღლესი შესაძლო კონფიგურაცია საშუალებას აძლევს ჩიპებს 136 ფენით, რაც აღნიშნავს ახალ ეტაპს მკვრივი 3D NAND ფლეშ მეხსიერებისკენ მიმავალ გზაზე. მეხსიერების მკაფიო კონფიგურაციის არარსებობა მიანიშნებს იმაზე, რომ ჩიპი 100-ზე მეტი ფენით არის აწყობილი ორი ან, სავარაუდოდ, სამი მონოლითური 3D NAND საძირკვლიდან (მაგალითად, 48-ფენიანი). კრისტალების შედუღების პროცესში ზოგიერთი სასაზღვრო ფენა ნადგურდება და ეს შეუძლებელს ხდის ბროლის ფენების რაოდენობის ზუსტად მითითებას, რათა სამსუნგს მოგვიანებით არ დაადანაშაულონ უზუსტობაში.

თუმცა, სამსუნგი დაჟინებით მოითხოვს არხის ხვრელების უნიკალურ დამუშავებას, რაც ხსნის მონოლითური სტრუქტურის სისქეში გახვრეტის და ჰორიზონტალური ფლეშ მეხსიერების მასივების ერთ მეხსიერების ჩიპში დაკავშირების შესაძლებლობას. პირველი 100 ფენიანი პროდუქტი იყო 3D NAND TLC ჩიპები 256 გბიტის სიმძლავრით. კომპანია მომავალ შემოდგომაზე დაიწყებს 512 გბიტიანი ჩიპების წარმოებას 100(+) ფენით.

უფრო მაღალი სიმძლავრის მეხსიერების გამოშვებაზე უარი ნაკარნახევია იმით (ალბათ), რომ ახალი პროდუქტების გამოშვების დროს დეფექტების დონე უფრო ადვილია კონტროლი დაბალი სიმძლავრის მეხსიერების შემთხვევაში. „სართულების რაოდენობის გაზრდით“ სამსუნგმა შეძლო უფრო მცირე ფართობის მქონე ჩიპის წარმოება სიმძლავრის დაკარგვის გარეშე. უფრო მეტიც, ჩიპი გარკვეულწილად გამარტივდა, რადგან ახლა მონოლითში 930 მილიონი ვერტიკალური ხვრელების ნაცვლად, საკმარისია მხოლოდ 670 მილიონი ხვრელის ამოკვეთა. Samsung-ის თქმით, ამან გაამარტივა და შეამცირა წარმოების ციკლები და საშუალება მისცა შრომის პროდუქტიულობის 20%-ით გაზრდას, რაც ნიშნავს უფრო და უფრო ნაკლებ ხარჯებს.

100-ფენიანი მეხსიერების საფუძველზე Samsung-მა დაიწყო 256 GB SSD-ის წარმოება SATA ინტერფეისით. პროდუქტები მიეწოდება PC OEM-ებს. ეჭვგარეშეა, რომ სამსუნგი მალე დანერგავს საიმედო და შედარებით იაფ სოლიდურ დისკებს.

100 ფენიან სტრუქტურაზე გადასვლამ არ გვაიძულებდა შეგვეწირა შესრულება ან ენერგიის მოხმარება. ახალი 256 გბიტიანი 3D NAND TLC მთლიანობაში 10%-ით უფრო სწრაფი იყო, ვიდრე 96-ფენიანი მეხსიერება. ჩიპის კონტროლის ელექტრონიკის გაუმჯობესებულმა დიზაინმა შესაძლებელი გახადა მონაცემთა გადაცემის სიჩქარის შენარჩუნება ჩაწერის რეჟიმში 450 μs ქვემოთ, ხოლო წაკითხვის რეჟიმში 45 μs ქვემოთ. ამასთან, მოხმარება 15%-ით შემცირდა. ყველაზე საინტერესო ის არის, რომ 100-ფენიანი 3D NAND-ზე დაფუძნებული კომპანია გვპირდება 300-ფენიანი 3D NAND-ის გამოშვებას, უბრალოდ სამი ჩვეულებრივი მონოლითური 100-ფენიანი კრისტალების შეერთებით. თუ სამსუნგს შეუძლია მომავალ წელს დაიწყოს 300-ფენიანი 3D NAND-ის მასიური წარმოება, ეს მტკივნეული დარტყმა იქნება კონკურენტებისთვის და ჩინეთში გაჩენილი ფლეშ მეხსიერების ინდუსტრია.

წყარო: 3dnews.ru