გაჯეტების დამტენები რევოლუციის ზღვარზეა: ჩინელებმა ისწავლეს GaN ტრანზისტორების დამზადება

დენის ნახევარგამტარები ნივთებს მაღლა სწევენ. სილიციუმის ნაცვლად გამოიყენება გალიუმის ნიტრიდი (GaN). GaN-ის ინვერტორები და კვების წყაროები მუშაობენ 99%-მდე ეფექტურობით, რაც უზრუნველყოფს ენერგეტიკულ სისტემებს ელექტროსადგურებიდან ელექტროენერგიის შენახვისა და უტილიზაციის სისტემებამდე. ახალი ბაზრის ლიდერები არიან კომპანიები აშშ-დან, ევროპიდან და იაპონიიდან. ახლა ამ სფეროში შევიდა პირველი კომპანია ჩინეთიდან.

ცოტა ხნის წინ, ჩინურმა გაჯეტების მწარმოებელმა ROCK-მა გამოუშვა პირველი დამტენი, რომელიც მხარს უჭერს სწრაფ დატენვას "ჩინურ ჩიპზე". ზოგადად ჩვეულებრივი გადაწყვეტა ეფუძნება InnoGaN სერიის GaN სიმძლავრის შეკრებას Inno Science-ისგან. ჩიპი დამზადებულია სტანდარტული DFN 8x8 ფორმის ფაქტორით კომპაქტური კვების წყაროსთვის.

2W ROCK 1C65AGaN დამტენი უფრო კომპაქტური და ფუნქციონალურია, ვიდრე Apple 61W PD დამტენი (შედარება ზემოთ მოცემულ ფოტოში). ჩინურ დამტენს შეუძლია ერთდროულად დატენოს სამი მოწყობილობა ორი USB Type-C და ერთი USB Type-A ინტერფეისით. სამომავლოდ ROCK გეგმავს გამოუშვას სწრაფი დამტენების ვერსიები 100 და 120 W სიმძლავრით ჩინურ GaN ასამბლეებზე. გარდა ამისა, დამტენებისა და კვების წყაროების დაახლოებით 10 სხვა ჩინელი მწარმოებელი თანამშრომლობს GaN კვების ელემენტების მწარმოებელთან, Inno Science-თან.

ჩინური კომპანიების და, კერძოდ, კომპანია Inno Science-ის კვლევა GaN ელექტრო კომპონენტების სფეროში, გამიზნულია ჩინეთის დამოუკიდებლობისკენ მსგავსი გადაწყვეტილებების უცხოელი მომწოდებლებისგან. Inno Science-ს აქვს საკუთარი განვითარების ცენტრი და ლაბორატორია ტესტირების გადაწყვეტილებების სრული ციკლისთვის. მაგრამ რაც მთავარია, მას აქვს ორი საწარმოო ხაზი GaN ხსნარების წარმოებისთვის 200 მმ ვაფლებზე. მსოფლიოსთვის და თუნდაც ჩინეთის ბაზრისთვის, ეს ზღვაში წვეთია. მაგრამ საიდანღაც უნდა დაიწყო.

წყარო: 3dnews.ru