Француздар ертеңгі жеті деңгейлі GAA транзисторын ұсынды
3 нм технологиялық технологиямен транзисторлар тік FinFET арналарынан қақпалармен немесе GAA (gate-all-around) толығымен қоршалған көлденең нанобеттік арналарға ауысатыны ешкімге құпия емес. Бүгін француздық CEA-Leti институты көп деңгейлі GAA транзисторларын өндіру үшін FinFET транзисторларын өндіру процестерін қалай пайдалануға болатындығын көрсетті. Ал техникалық процестердің үздіксіздігін сақтау жылдам түрлендірудің сенімді негізі болып табылады. VLSI Technology & Circuits симпозиумы үшін […]