Борттағы жедел жады көлемі бойынша смартфондар бірнеше жыл бойы ноутбуктер мен жұмыс үстелі компьютерлерінен озып келеді. Samsung бұл алшақтықты одан әрі кеңейтуді шешті. Болашақ премиум құрылғылар үшін бұл 16 ГБ LPDDR5 DRAM чиптері.
Samsung-тың жаңа рекордтық жад микросхемалары жинақталған 12 кристалдан тұрады. Олардың сегізінің әрқайсысының сыйымдылығы 12 Гб, ал төртеуі 8 Гб. Барлығы 16 ГБ сыйымдылығы бар бір жад микросхемасы шығады. Әлбетте, егер стектегі барлық өлшегіштер 12 Гб болса, онда Samsung 18 Гб чипті енгізер еді, ол оны жақын болашақта жасайтын шығар.
Сыйымдылығы 16 ГБ Samsung чипі деректер шинінің әрбір түйреуішінде өткізу қабілеті 5 Мбит/с болатын LPDDR5500 стандартында жасалған. Бұл LPDDR1,3X мобильді жадынан (4 Мбит/с) шамамен 4266 есе жылдамырақ. 8 ГБ LPDDR4X чипімен (оралған) салыстырғанда жаңа 16 ГБ LPDDR5 чип сыйымдылығы мен жылдамдығын екі есе арттыра отырып, қуатты 20% үнемдейді.
16 ГБ LPDDR5 чипі 10 нм класты процесс технологиясының екінші буыны арқылы өндірілген жад чиптерінен жиналғанын ескеріңіз. Осы жылдың екінші жартысында Оңтүстік Кореядағы бір мекемеде Samsung 16 нм класты технологиялық технологияның үшінші буынын пайдалана отырып, 5 Гб LPDDR10 өлшегіштерін жаппай өндіруді бастауға уәде береді. Бұл чиптер ең сыйымды болып қана қоймайды, сонымен қатар бір түйреуіш үшін 6400 Мбит/с өткізу қабілетімен жылдамырақ болады.
Қазіргі заманғы премиум смартфондар мен жақын болашақтың смартфондары, Samsung оперативті жадының әсерлі көлемінсіз жасай алмайтынына сенімді. Динамикалық диапазонды кеңейту және басқа мүмкіндіктері бар ақылды фотосурет, таңғажайып графикасы бар мобильді ойындар, виртуалды және толықтырылған шындық - мұның барлығы өткізу қабілеттілігі жоғары 5G желілерімен күшейтілген және одан да маңыздысы, кідіріс қысқартылған, смартфондарда жадтың жылдам өсуін талап етеді, бірақ ДК.
Ақпарат көзі: 3dnews.ru