Тайваньдағы өнеркәсіп көздеріне сәйкес, ол DigiTimes интернет-ресурсы, қытайлық жад өндірушісі ChangXin Memory Technologies (CXMT) LPDDR4 жадын жаппай өндіруге арналған желілерді дайындауда. ChangXin, сондай-ақ Innotron Memory ретінде белгілі, 19 нм технологиясын қолдана отырып, өзінің DRAM өндіру процесін әзірледі.
Алғашқы 300 мм кәсіпорында жадты коммерциялық өндіру үшін ChangXin қажет болды 2019 жылдың бірінші жартыжылдығында. Әттең, бұл әлі болған жоқ. Бірақ 8 Гбит DDR4 LPDDR4 чиптерін өндірудің басталуы қуаттылықты айына 20 мың 300 нм кремний пластинасына дейін кеңейтумен бірге жүреді. ChangXin кәсіпорнындағы желілердің максималды өнімділігі айына 125 мың 300 мм пластинаға жетеді. Бірақ бұл да шек емес. Компания келесі жылы 300 мм жадты пластиналарды өңдейтін екінші зауыттың құрылысын бастайтынын айтты.
Сонымен қатар, бұл қытайлық өндіруші басқа сипаттағы мәселелерге тап болуы мүмкін. Еске салайық, DRAM жадының сериялық өндірісін бастағалы жатқан алғашқы қытайлық компания Фуцзян Цзиньхуа болды. АҚШ американдық серіктестерден өндірістік жабдықты сатып алуға тыйым салады. Тайваньда олар ЧанСин Фуцзянь сияқты проблемаларға тап болады деп сенеді. Бұған қоса, ол бизнесі американдық микронмен сіңісіп кеткен жапондық Elpida-ның Тайваньдағы бұрынғы еншілес кәсіпорнынан білікті инженерлерді жалдады. Сарапшылар Micron-дан ChangXin-ге қарсы шағымдар мен Қытай тарапы жауап бермесе, санкциялар күтеді.
Сонымен қатар, ChangXin 17 нм стандарттары бар жад шығарудың техникалық процесін әзірлеуде. Әзірлеудің аяқталуы 2021 жылы күтілуде. Мүмкін, ChangXin екінші зауыты осы стандарттармен DRAM кристалдарын шығарумен жұмыс істей бастайды. Әрине, АҚШ санкциялары мен Микронның айла-амалдары оның жолындағы еңсерілмейтін кедергіге айналмаса.
Ақпарат көзі: 3dnews.ru