Everspin និង GlobalFoundries បានបន្តកិច្ចព្រមព្រៀងអភិវឌ្ឍន៍រួមគ្នា MRAM របស់ពួកគេទៅនឹងបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 12nm

អ្នកអភិវឌ្ឍន៍តែម្នាក់គត់របស់ពិភពលោកនៃបន្ទះឈីបអង្គចងចាំ MRAM ដែលដាច់ពីគ្នាគឺ Everspin Technologies បន្តកែលម្អបច្ចេកវិទ្យាផលិតកម្ម។ ថ្ងៃនេះ Everspin និង GlobalFoundries បានយល់ព្រម រួមគ្នាដើម្បីអភិវឌ្ឍបច្ចេកវិទ្យាសម្រាប់ការផលិត microcircuits STT-MRAM ជាមួយនឹងស្តង់ដារ 12 nm និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ FinFET ។

Everspin មានប៉ាតង់ និងកម្មវិធីជាង 650 ដែលទាក់ទងនឹងអង្គចងចាំ MRAM ។ នេះគឺជាអង្គចងចាំ សរសេរទៅក្រឡាដែលស្រដៀងនឹងការសរសេរព័ត៌មានទៅចានម៉ាញេទិកនៃថាសរឹង។ មានតែនៅក្នុងករណីនៃ microcircuits ប៉ុណ្ណោះដែលកោសិកានីមួយៗមានក្បាលម៉ាញ៉េទិច (តាមលក្ខខណ្ឌ) របស់វា។ អង្គចងចាំ STT-MRAM ដែលបានជំនួសវា ដោយផ្អែកលើឥទ្ធិពលនៃការផ្ទេរសន្ទុះវិលរបស់អេឡិចត្រុង ដំណើរការជាមួយនឹងតម្លៃថាមពលទាបជាង ដោយសារតែវាប្រើចរន្តទាបនៅក្នុងរបៀបសរសេរ និងអាន។

ដំបូងឡើយ អង្គចងចាំ MRAM ដែលបញ្ជាដោយ Everspin ត្រូវបានផលិតដោយ NXP នៅរោងចក្ររបស់ខ្លួននៅសហរដ្ឋអាមេរិក។ ក្នុងឆ្នាំ 2014 Everspin បានចុះកិច្ចព្រមព្រៀងការងាររួមគ្នាជាមួយ GlobalFoundries ។ ជាមួយគ្នា ពួកគេបានចាប់ផ្តើមបង្កើតដំណើរការផលិតផ្តាច់មុខ និងបង្កប់ MRAM (STT-MRAM) ដោយប្រើដំណើរការផលិតកម្រិតខ្ពស់ជាងមុន។

យូរៗទៅ គ្រឿងបរិក្ខារ GlobalFoundries បានចាប់ផ្តើមការផលិតបន្ទះឈីប 40-nm និង 28-nm STT-MRAM (បញ្ចប់ដោយផលិតផលថ្មី - បន្ទះឈីប STT-MRAM ដាច់ពីគ្នា 1-Gbit) ហើយក៏បានរៀបចំបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 22FDX សម្រាប់ការរួមបញ្ចូល STT- អារេ MRAM ចូលទៅក្នុងឧបករណ៍បញ្ជាដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 22-nm nm នៅលើ wafers FD-SOI ។ កិច្ចព្រមព្រៀងថ្មីរវាង Everspin និង GlobalFoundries នឹងនាំទៅដល់ការផ្ទេរការផលិតបន្ទះឈីប STT-MRAM ទៅបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 12-nm ។

អង្គចងចាំ MRAM កំពុងខិតជិតដល់ដំណើរការនៃអង្គចងចាំ SRAM ហើយអាចជំនួសវានៅក្នុងឧបករណ៍បញ្ជាសម្រាប់ Internet of Things ។ ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ វាមិនងាយនឹងបង្កជាហេតុ និងមានភាពធន់នឹងការពាក់ជាងអង្គចងចាំ NAND ធម្មតា។ ការផ្លាស់ប្តូរទៅស្តង់ដារ 12 nm នឹងបង្កើនដង់ស៊ីតេថត MRAM ហើយនេះគឺជាគុណវិបត្តិចម្បងរបស់វា។

ប្រភព: 3dnews.ru