ឡាស៊ែរអាមេរិកនឹងជួយអ្នកវិទ្យាសាស្ត្របែលហ្ស៊ិកជាមួយនឹងការឈានទៅរកបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 3-nm និងលើសពីនេះ។

យោងតាមគេហទំព័រ IEEE Spectrum ចាប់ពីចុងខែកុម្ភៈ ដល់ដើមខែមីនា មន្ទីរពិសោធន៍មួយត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅមជ្ឈមណ្ឌល Imec របស់ប្រទេសបែលហ្ស៊ិក រួមជាមួយនឹងក្រុមហ៊ុនអាមេរិក KMLabs ដើម្បីសិក្សាពីបញ្ហាជាមួយ semiconductor photolithography ក្រោមឥទ្ធិពលនៃវិទ្យុសកម្ម EUV (នៅក្នុង ultra- ជួរអ៊ុលត្រាវីយូឡេរឹង) ។ វាហាក់ដូចជាតើមានអ្វីដែលត្រូវសិក្សានៅទីនេះ? ទេ មានមុខវិជ្ជាដែលត្រូវសិក្សា ប៉ុន្តែហេតុអ្វីត្រូវបង្កើតមន្ទីរពិសោធន៍ថ្មីសម្រាប់រឿងនេះ? ក្រុមហ៊ុន Samsung បានចាប់ផ្តើមផលិតបន្ទះឈីប 7nm ជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ផ្នែកខ្លះនៃម៉ាស៊ីនស្កេន EUV កាលពីប្រាំមួយខែមុន។ TSMC នឹងចូលរួមជាមួយវាក្នុងពេលឆាប់ៗនេះក្នុងកិច្ចខិតខំប្រឹងប្រែងនេះ។ នៅចុងឆ្នាំនេះពួកគេទាំងពីរនឹងចាប់ផ្តើមផលិតកម្មប្រថុយប្រថានជាមួយនឹងស្តង់ដារ 5 nm ជាដើម។ ហើយនៅតែមានបញ្ហា ហើយពួកគេមានភាពធ្ងន់ធ្ងរគ្រប់គ្រាន់ដែលចម្លើយចំពោះសំណួរគួរតែត្រូវបានស្វែងរកនៅក្នុងមន្ទីរពិសោធន៍ មិនមែននៅក្នុងផលិតកម្មទេ។

បញ្ហាចម្បងនៅក្នុង EUV lithography សព្វថ្ងៃនេះនៅតែជាគុណភាពនៃ photoresist ។ ប្រភពនៃវិទ្យុសកម្ម EUV គឺជាប្លាស្មា មិនមែនឡាស៊ែរ ដូចទៅនឹងម៉ាស៊ីនស្កេន 193 nm ចាស់នោះទេ។ ឡាស៊ែរ​ហួត​ចេញ​នូវ​ការ​ទម្លាក់​សារធាតុ​នាំ​មុខ​ក្នុង​បរិយាកាស​ដែល​មាន​ឧស្ម័ន ហើយ​វិទ្យុសកម្ម​បាន​បញ្ចេញ​ហ្វូតូន ដែល​ថាមពល​នេះ​គឺ​ខ្ពស់​ជាង​ថាមពល​ហ្វូតុន​ក្នុង​ម៉ាស៊ីន​ស្កែន​ដែល​មាន​កាំរស្មីអ៊ុលត្រាវីយូឡេ ១៤ ដង។ ជាលទ្ធផល photoresist មិនត្រឹមតែត្រូវបានបំផ្លាញនៅកន្លែងទាំងនោះដែលវាត្រូវបានបំផ្ទុះដោយ photons ប៉ុណ្ណោះទេប៉ុន្តែក៏មានកំហុសចៃដន្យកើតឡើងផងដែរ រួមទាំងដោយសារអ្វីដែលគេហៅថា ប្រភាគប្រភាគ ឥទ្ធិពលសំឡេងរំខាន។ ថាមពលនៃហ្វូតូនគឺខ្ពស់ពេក។ ការពិសោធន៍ជាមួយម៉ាស៊ីនស្កេន EUV បង្ហាញថា photoresists ដែលនៅតែអាចធ្វើការជាមួយស្តង់ដារ 14 nm នៅក្នុងករណីនៃការផលិតសៀគ្វី 7 nm បង្ហាញពីកម្រិតខ្ពស់នៃពិការភាព។ បញ្ហាគឺធ្ងន់ធ្ងរដែលអ្នកជំនាញជាច្រើនមិនជឿលើការបើកដំណើរការបច្ចេកវិជ្ជាដំណើរការ 5 nm ដែលទទួលបានជោគជ័យយ៉ាងឆាប់រហ័ស ដោយមិននិយាយអំពីការផ្លាស់ប្តូរទៅជា 5 nm និងខាងក្រោម។

បញ្ហានៃការបង្កើត photoresist ជំនាន់ថ្មីនឹងត្រូវបានព្យាយាមដោះស្រាយនៅក្នុងមន្ទីរពិសោធន៍រួមរបស់ Imec និង KMLabs។ ហើយពួកគេនឹងដោះស្រាយវាតាមទស្សនៈនៃវិធីសាស្រ្តវិទ្យាសាស្ត្រ ហើយមិនមែនដោយការជ្រើសរើសសារធាតុ reagents ដូចដែលបានធ្វើនៅក្នុងសាមសិបឆ្នាំចុងក្រោយនេះទេ។ ដើម្បីធ្វើដូច្នេះ ដៃគូវិទ្យាសាស្ត្រនឹងបង្កើតឧបករណ៍សម្រាប់សិក្សាលម្អិតអំពីដំណើរការរូបវិទ្យា និងគីមីនៅក្នុង photoresist ។ ជាធម្មតា synchrotrons ត្រូវបានប្រើដើម្បីសិក្សាដំណើរការនៅកម្រិតម៉ូលេគុល ប៉ុន្តែ Imec និង KMLabs គ្រោងនឹងបង្កើតឧបករណ៍វាស់ស្ទង់ EUV និងឧបករណ៍វាស់វែងដោយផ្អែកលើឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ។ KMLabs គឺជាអ្នកឯកទេសខាងប្រព័ន្ធឡាស៊ែរ។

 

ដោយផ្អែកលើការដំឡើងឡាស៊ែរ KMLabs វេទិកាសម្រាប់បង្កើតអាម៉ូនិកលំដាប់ខ្ពស់នឹងត្រូវបានបង្កើតឡើង។ ជាធម្មតា សម្រាប់គោលបំណងនេះ ជីពចរឡាស៊ែរដែលមានអាំងតង់ស៊ីតេខ្ពស់ត្រូវបានដឹកនាំទៅក្នុងឧបករណ៍ផ្ទុកឧស្ម័នដែលក្នុងនោះអាម៉ូនិកប្រេកង់ខ្ពស់នៃជីពចរដឹកនាំកើតឡើង។ ជាមួយនឹងការបំប្លែងបែបនេះ ការបាត់បង់ថាមពលខ្លាំងកើតឡើង ដូច្នេះគោលការណ៍ស្រដៀងគ្នានៃការបង្កើតវិទ្យុសកម្ម EUV មិនអាចប្រើដោយផ្ទាល់សម្រាប់ lithography semiconductor បានទេ។ ប៉ុន្តែនេះគឺគ្រប់គ្រាន់សម្រាប់ការពិសោធន៍។ សំខាន់បំផុត វិទ្យុសកម្មជាលទ្ធផលអាចគ្រប់គ្រងបានទាំងរយៈពេលជីពចរចាប់ពី picoseconds (10-12) ដល់ attoseconds (10-18) និងដោយរលកចម្ងាយពី 6,5 nm ដល់ 47 nm ។ ទាំងនេះគឺជាគុណសម្បត្តិដ៏មានតម្លៃសម្រាប់ឧបករណ៍វាស់ស្ទង់។ ពួកគេនឹងជួយសិក្សាពីដំណើរការនៃការផ្លាស់ប្តូរម៉ូលេគុលលឿនជ្រុលក្នុង photoresist ដំណើរការ ionization និងការប៉ះពាល់នឹង photons ថាមពលខ្ពស់។ បើគ្មាននេះទេ photolithography ឧស្សាហកម្មដែលមានស្តង់ដារតិចជាង 3 និងសូម្បីតែ 5 nm នៅតែស្ថិតក្នុងសំណួរ។

ប្រភព: 3dnews.ru