កងទ័ពសហរដ្ឋអាមេរិកបានទទួលរ៉ាដាចល័តដំបូងគេដោយផ្អែកលើហ្គាលីញ៉ូមនីត្រាត semiconductors

ការផ្លាស់ប្តូរពីស៊ីលីកុនទៅជាសារធាតុ semiconductors ដែលមានគម្លាតធំទូលាយ (gallium nitride, silicon carbide និងផ្សេងទៀត) អាចបង្កើនប្រេកង់ប្រតិបត្តិការយ៉ាងសំខាន់ និងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពនៃដំណោះស្រាយ។ ដូច្នេះហើយ វិស័យដ៏ជោគជ័យមួយក្នុងការអនុវត្តបន្ទះឈីប និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រដែលមានគម្លាតធំទូលាយ គឺទំនាក់ទំនង និងរ៉ាដា។ គ្រឿងអេឡិចត្រូនិចផ្អែកលើដំណោះស្រាយ GaN "ចេញពីពណ៌ខៀវ" ផ្តល់នូវការកើនឡើងនៃថាមពល និងការពង្រីកជួររ៉ាដា ដែលយោធាបានទាញយកអត្ថប្រយោជន៍ភ្លាមៗ។

ក្រុមហ៊ុន Lockheed Martin រាយការណ៍ថា អង្គភាពរ៉ាដាចល័តដំបូង (រ៉ាដា) ដែលមានមូលដ្ឋានលើគ្រឿងអេឡិចត្រូនិកដែលមានធាតុធ្វើពីហ្គាលីញ៉ូមនីត្រាត ត្រូវបានបញ្ជូនទៅឱ្យកងទ័ពសហរដ្ឋអាមេរិក។ ក្រុមហ៊ុនមិនបានបង្កើតអ្វីថ្មីទេ។ រ៉ាដាប្រឆាំងអាគុយ AN/TPQ-2010 ដែលបានអនុម័តតាំងពីឆ្នាំ 53 ត្រូវបានផ្ទេរទៅមូលដ្ឋានធាតុ GaN ។ នេះគឺជារ៉ាដា semiconductor ដំបូងគេ និងរហូតមកដល់ពេលនេះ តែមួយគត់ក្នុងពិភពលោក។

ដោយប្តូរទៅសមាសធាតុ GaN សកម្ម រ៉ាដា AN/TPQ-53 បានបង្កើនជួររាវរកទីតាំងកាំភ្លើងធំបិទជិត និងទទួលបានសមត្ថភាពក្នុងការតាមដានគោលដៅអាកាសក្នុងពេលដំណាលគ្នា។ ជាពិសេស រ៉ាដា AN/TPQ-53 បានចាប់ផ្តើមប្រើប្រាស់ប្រឆាំងនឹងយន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក រួមទាំងយានយន្តតូចៗផងដែរ។ ការកំណត់ទីតាំងកាំភ្លើងធំដែលគ្របដណ្តប់អាចត្រូវបានអនុវត្តទាំងនៅក្នុងផ្នែក 90 ដឺក្រេ និងជាមួយនឹងទិដ្ឋភាព 360 ដឺក្រេ។

ក្រុមហ៊ុន Lockheed Martin គឺជាអ្នកផ្គត់ផ្គង់តែមួយគត់នៃរ៉ាដាដំណាក់កាលសកម្ម (អារេដំណាក់កាល) ដល់យោធាសហរដ្ឋអាមេរិក។ ការផ្លាស់ប្តូរទៅមូលដ្ឋានធាតុ GaN អនុញ្ញាតឱ្យវាពឹងផ្អែកលើការដឹកនាំរយៈពេលវែងបន្ថែមទៀតនៅក្នុងវិស័យនៃការកែលម្អ និងការផលិតការដំឡើងរ៉ាដា។

ប្រភព: 3dnews.ru