Intel រៀបចំ 144-layer QLC NAND និងបង្កើត PLC NAND ប្រាំប៊ីត

ព្រឹកនេះនៅទីក្រុងសេអ៊ូល ប្រទេសកូរ៉េខាងត្បូង ក្រុមហ៊ុន Intel បានប្រារព្ធព្រឹត្តិការណ៍ “Memory and Storage Day 2019” ដែលឧទ្ទិសដល់ផែនការអនាគតនៅក្នុងទីផ្សារ memory និង solid-state drive។ នៅទីនោះ អ្នកតំណាងក្រុមហ៊ុនបាននិយាយអំពីម៉ូដែល Optane នាពេលអនាគត វឌ្ឍនភាពក្នុងការអភិវឌ្ឍន៍នៃ PLC NAND ប្រាំប៊ីត (Penta Level Cell) និងបច្ចេកវិទ្យាសន្យាផ្សេងទៀតដែលវាមានគម្រោងផ្សព្វផ្សាយក្នុងរយៈពេលប៉ុន្មានឆ្នាំខាងមុខនេះ។ Intel ក៏បាននិយាយអំពីបំណងប្រាថ្នារបស់ខ្លួនក្នុងការណែនាំ RAM ដែលមិនងាយនឹងបង្កជាហេតុនៅក្នុងកុំព្យូទ័រលើតុក្នុងរយៈពេលយូរ និងអំពីម៉ូដែលថ្មីនៃ SSDs ដែលធ្លាប់ស្គាល់សម្រាប់ផ្នែកនេះ។

ផ្នែកដែលមិននឹកស្មានដល់បំផុតនៃបទបង្ហាញរបស់ Intel អំពីការអភិវឌ្ឍន៍ដែលកំពុងដំណើរការគឺរឿងអំពី PLC NAND ដែលជាប្រភេទអង្គចងចាំពន្លឺកាន់តែក្រាស់។ ក្រុមហ៊ុនសង្កត់ធ្ងន់ថាក្នុងរយៈពេល 32 ឆ្នាំកន្លងមកនេះ ចំនួនសរុបនៃទិន្នន័យដែលបានផលិតនៅលើពិភពលោកបានកើនឡើងទ្វេដង ដូច្នេះដ្រាយដែលផ្អែកលើ QLC NAND បួនប៊ីតហាក់ដូចជាលែងជាដំណោះស្រាយដ៏ល្អចំពោះបញ្ហានេះទៀតហើយ - ឧស្សាហកម្មត្រូវការជម្រើសមួយចំនួនដែលមានកម្រិតខ្ពស់ជាងនេះ។ ដង់ស៊ីតេផ្ទុក។ លទ្ធផលគួរតែជាអង្គចងចាំពន្លឺ Penta-Level Cell (PLC) ដែលកោសិកានីមួយៗផ្ទុកទិន្នន័យប្រាំប៊ីតក្នុងពេលតែមួយ។ ដូច្នេះ ឋានានុក្រមនៃប្រភេទអង្គចងចាំពន្លឺនឹងមើលទៅដូច SLC-MLC-TLC-QLC-PLC ឆាប់ៗនេះ។ PLC NAND ថ្មីនឹងអាចផ្ទុកទិន្នន័យបានច្រើនជាង XNUMX ដងបើប្រៀបធៀបទៅនឹង SLC ប៉ុន្តែជាការពិតណាស់ ជាមួយនឹងដំណើរការទាប និងភាពជឿជាក់ ចាប់តាំងពីឧបករណ៍បញ្ជានឹងត្រូវបែងចែករវាង XNUMX រដ្ឋផ្សេងគ្នានៃបន្ទុកនៃក្រឡាដើម្បីសរសេរ និងអានប្រាំប៊ីត។ .

គួរកត់សម្គាល់ថាក្រុមហ៊ុន Intel មិនមែនតែម្នាក់ឯងទេក្នុងការស្វែងរកបង្កើតអង្គចងចាំពន្លឺកាន់តែក្រាស់។ ក្រុមហ៊ុន Toshiba ក៏បាននិយាយអំពីផែនការបង្កើត PLC NAND ក្នុងអំឡុងពេលកិច្ចប្រជុំកំពូល Flash Memory ដែលធ្វើឡើងនៅក្នុងខែសីហា។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ បច្ចេកវិទ្យារបស់ Intel មានភាពខុសប្លែកគ្នាខ្លាំង៖ ក្រុមហ៊ុនប្រើប្រាស់កោសិកាអង្គចងចាំអណ្តែតទឹក ខណៈដែលការរចនារបស់ Toshiba ត្រូវបានបង្កើតឡើងជុំវិញកោសិកាសាកថ្មដែលមានមូលដ្ឋានលើអន្ទាក់។ ជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃដង់ស៊ីតេផ្ទុកព័ត៌មាន ច្រកអណ្តែតទឹកហាក់ដូចជាដំណោះស្រាយដ៏ល្អបំផុត ព្រោះវាកាត់បន្ថយឥទ្ធិពលទៅវិញទៅមក និងលំហូរនៃការគិតថ្លៃនៅក្នុងកោសិកា និងធ្វើឱ្យវាអាចអានទិន្នន័យដោយមានកំហុសតិចជាងមុន។ ម្យ៉ាងវិញទៀត ការរចនារបស់ Intel គឺសមស្របជាងសម្រាប់ការបង្កើនដង់ស៊ីតេ ដែលត្រូវបានបញ្ជាក់ដោយលទ្ធផលតេស្តនៃ QLC NAND ដែលមានលក់ក្នុងពាណិជ្ជកម្មដែលផលិតដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យាផ្សេងៗគ្នា។ ការធ្វើតេស្តបែបនេះបង្ហាញថាការរិចរិលទិន្នន័យនៅក្នុងកោសិកាអង្គចងចាំ QLC ដោយផ្អែកលើច្រកអណ្តែតទឹកកើតឡើង 2 ទៅ 3 ដងយឺតជាងនៅក្នុងកោសិកា QLC NAND ដែលមានអន្ទាក់សាក។

ប្រឆាំងនឹងផ្ទៃខាងក្រោយនេះ ព័ត៌មានដែល Micron បានសម្រេចចិត្តចែករំលែកការអភិវឌ្ឍន៍អង្គចងចាំពន្លឺរបស់ខ្លួនជាមួយ Intel ក្នុងចំណោមរបស់ផ្សេងទៀត ដោយសារតែចង់ប្តូរទៅប្រើកោសិកាអន្ទាក់សាក មើលទៅគួរអោយចាប់អារម្មណ៍ណាស់។ Intel នៅតែប្តេជ្ញាចិត្តចំពោះបច្ចេកវិទ្យាដើម ហើយអនុវត្តវាជាប្រព័ន្ធនៅក្នុងដំណោះស្រាយថ្មីទាំងអស់។

បន្ថែមពីលើ PLC NAND ដែលនៅតែស្ថិតក្រោមការអភិវឌ្ឍន៍ Intel មានបំណងបង្កើនដង់ស៊ីតេផ្ទុកព័ត៌មាននៅក្នុងអង្គចងចាំពន្លឺ ដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យាផ្សេងទៀតដែលមានតម្លៃសមរម្យជាង។ ជាពិសេសក្រុមហ៊ុនបានបញ្ជាក់ពីការផ្លាស់ប្តូរជិតមកដល់ក្នុងការផលិតដ៏ធំនៃ 96-layer QLC 3D NAND: វានឹងត្រូវបានប្រើនៅក្នុងដ្រាយអ្នកប្រើប្រាស់ថ្មី។ អេសអេសអេសអេស ៦០០ ភី.

នេះនឹងត្រូវបានបន្តដោយការស្ទាត់ជំនាញការផលិត 144 ស្រទាប់ QLC 3D NAND - វានឹងវាយលុកផលិតកម្មនៅឆ្នាំក្រោយ។ វាជាការចង់ដឹងចង់ឃើញដែលថាក្រុមហ៊ុន Intel រហូតមកដល់ពេលនេះបានបដិសេធនូវចេតនាណាមួយក្នុងការប្រើប្រាស់បីដងនៃគ្រីស្តាល់ monolithic ដូច្នេះខណៈពេលដែលការរចនា 96 ស្រទាប់ពាក់ព័ន្ធនឹងការជួបប្រជុំគ្នាបញ្ឈរនៃគ្រីស្តាល់ 48 ស្រទាប់ពីរ បច្ចេកវិទ្យា 144 ស្រទាប់នឹងច្បាស់ជាផ្អែកលើ 72 ស្រទាប់។ "ផលិតផលពាក់កណ្តាលសម្រេច" ។

រួមជាមួយនឹងការកើនឡើងនៃចំនួនស្រទាប់នៅក្នុងគ្រីស្តាល់ QLC 3D NAND អ្នកអភិវឌ្ឍន៍ Intel មិនទាន់មានបំណងបង្កើនសមត្ថភាពរបស់គ្រីស្តាល់ខ្លួនឯងនោះទេ។ ដោយផ្អែកលើបច្ចេកវិទ្យា 96- និង 144 ស្រទាប់ គ្រីស្តាល់ terabit ដូចគ្នានឹងត្រូវបានផលិតជា QLC 64D NAND ជំនាន់ទី 3 ស្រទាប់ទីមួយ។ នេះគឺដោយសារតែបំណងប្រាថ្នាដើម្បីផ្តល់ SSDs ដោយផ្អែកលើវាជាមួយនឹងកម្រិតនៃការអនុវត្តដែលអាចទទួលយកបាន។ SSDs ដំបូងដែលប្រើអង្គចងចាំ 144 ស្រទាប់នឹងជា Arbordale+ server drives។

ប្រភព: 3dnews.ru