ការផលិតបន្ទះឈីបអង្គចងចាំ Samsung B-die ត្រូវបានបញ្ឈប់

ម៉ូឌុលអង្គចងចាំដែលបង្កើតឡើងនៅលើបន្ទះឈីប Samsung B-die ប្រហែលជាជម្រើសដ៏ពេញនិយមបំផុតក្នុងចំណោមអ្នកដែលចូលចិត្ត។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ក្រុមហ៊ុនផលិតរបស់កូរ៉េខាងត្បូងចាត់ទុកថាពួកវាលែងប្រើហើយ ហើយបច្ចុប្បន្នកំពុងបញ្ឈប់ការផលិតរបស់ពួកគេ ដោយផ្តល់ជូននូវការជំនួសបន្ទះឈីបអង្គចងចាំ DDR4 ផ្សេងទៀត ដែលការផលិតដែលប្រើប្រាស់ដំណើរការបច្ចេកទេសថ្មីៗ។ នេះមានន័យថា ម៉ូឌុលអង្គចងចាំ DDR4 របស់ Samsung ដែលមិនមានសតិបណ្ដោះអាសន្នដោយផ្អែកលើបន្ទះឈីប B-die ឥឡូវនេះបានឈានដល់ទីបញ្ចប់នៃវដ្តជីវិតរបស់ពួកគេ ហើយនឹងអស់ពីស្តុកក្នុងពេលឆាប់ៗនេះ។ ក្រុមហ៊ុនផលិតផ្សេងទៀតដែលប្រើបន្ទះឈីប Samsung B-die នៅក្នុងផលិតផលរបស់ពួកគេក៏នឹងឈប់ផ្គត់ផ្គង់ម៉ូឌុលស្រដៀងគ្នានេះដែរ។

បន្ទះឈីប Samsung B-die និងម៉ូឌុលអង្គចងចាំដែលមានមូលដ្ឋានលើពួកវាបានទទួលការទទួលស្គាល់យ៉ាងទូលំទូលាយដោយសារតែភាពបត់បែន និងសក្តានុពលនៃការធ្វើ Overclock របស់ពួកគេ។ ពួកវាធ្វើមាត្រដ្ឋានយ៉ាងល្អឥតខ្ចោះក្នុងប្រេកង់ ឆ្លើយតបយ៉ាងល្អចំពោះការកើនឡើងនៃវ៉ុលផ្គត់ផ្គង់ និងអនុញ្ញាតឱ្យប្រតិបត្តិការជាមួយនឹងពេលវេលាដ៏ខ្លាំងក្លាបំផុត។ អត្ថប្រយោជន៍សំខាន់ដាច់ដោយឡែកនៃម៉ូឌុលដែលមានមូលដ្ឋានលើបន្ទះឈីប Samsung B-die គឺភាពមិនគួរឱ្យជឿ និងភាពឆបគ្នាយ៉ាងទូលំទូលាយជាមួយនឹងឧបករណ៍បញ្ជាអង្គចងចាំផ្សេងៗ ដែលពួកគេត្រូវបានស្រឡាញ់ជាពិសេសដោយម្ចាស់ប្រព័ន្ធដែលមានមូលដ្ឋានលើប្រព័ន្ធដំណើរការ Ryzen ។

ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ សម្រាប់ការផលិតបន្ទះសៀគ្វី B-die ដំណើរការបច្ចេកវិជ្ជាចាស់គួរសមជាមួយនឹងស្តង់ដារ 20 nm ត្រូវបានប្រើប្រាស់ ដូច្នេះបំណងប្រាថ្នារបស់ Samsung ក្នុងការបោះបង់ចោលការផលិតឧបករណ៍ semiconductor បែបនេះដើម្បីគាំទ្រជម្រើសទំនើបជាងនេះគឺអាចយល់បាន។ មិនយូរប៉ុន្មានក្រុមហ៊ុនបានប្រកាសពីការចាប់ផ្តើមផលិតបន្ទះឈីប DDR4 SDRAM ដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យា 1z-nm (ជំនាន់ទីបី) ហើយបន្ទះឈីបដែលផលិតដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យា 1y-nm (ជំនាន់ទីពីរ) ត្រូវបានផលិតអស់រយៈពេលជាងមួយឆ្នាំកន្លះ។ វាគឺជារបស់ទាំងនេះដែលក្រុមហ៊ុនផលិតលើកទឹកចិត្តអ្នកឱ្យប្តូរទៅ។ បន្ទះឈីប B-die ត្រូវបានកំណត់ជាផ្លូវការនូវស្ថានភាព EOL (End of Life) - ចុងបញ្ចប់នៃវដ្តជីវិត។

ជំនួសឱ្យបន្ទះឈីប Samsung B-die រឿងព្រេងនិទាន ការផ្តល់ជូនផ្សេងទៀតនឹងត្រូវបានចែកចាយឥឡូវនេះ។ បន្ទះសៀគ្វី M-die ដែលត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 1y nm បានឈានដល់ដំណាក់កាលនៃការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំ។ បន្ទះសៀគ្វី A-die ដែលផលិតដោយប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យាកាន់តែទំនើបជាមួយនឹងស្តង់ដារ 1z nm ក៏បានឈានដល់ដំណាក់កាលផលិតមានលក្ខណៈសម្បត្តិគ្រប់គ្រាន់ផងដែរ។ នេះមានន័យថាអង្គចងចាំនៅលើបន្ទះឈីប M-die នឹងដាក់លក់ក្នុងពេលដ៏ខ្លីខាងមុខនេះ ហើយម៉ូឌុលដែលបង្កើតឡើងនៅលើបន្ទះឈីប A-die នឹងមានសម្រាប់អ្នកប្រើប្រាស់ក្នុងរយៈពេលប្រាំមួយខែ។

អត្ថប្រយោជន៍ចម្បងនៃបន្ទះឈីបអង្គចងចាំថ្មីជាមួយនឹងស្នូលដែលបានធ្វើបច្ចុប្បន្នភាព បន្ថែមពីលើដំណើរការបច្ចេកទេសទំនើប និងសក្តានុពលប្រេកង់ខ្ពស់ ក៏ជាការបង្កើនសមត្ថភាពរបស់ពួកគេផងដែរ។ ពួកគេអនុញ្ញាតឱ្យផលិតម៉ូឌុលមេម៉ូរី DDR4 ម្ខាងដែលមានសមត្ថភាព 16 GB និងម៉ូឌុលទ្វេភាគីដែលមានសមត្ថភាព 32 GB ដែលពីមុនមិនអាចទៅរួចនោះទេ។

វាគឺមានតំលៃរំលឹកថារដូវក្តៅនេះយើងអាចរំពឹងថានឹងមានការផ្លាស់ប្តូរយ៉ាងសំខាន់នៅក្នុងជួរនៃម៉ូឌុលអង្គចងចាំ DDR4 SDRAM ដែលមាននៅលើទីផ្សារ។ បន្ថែមពីលើបន្ទះឈីប Samsung ថ្មី បន្ទះឈីប E-die ពី Micron និង C-die ពី SK Hynix ក៏គួរត្រូវបានប្រើប្រាស់នៅក្នុងបន្ទះអង្គចងចាំផងដែរ។ វាទំនងជាថាការផ្លាស់ប្តូរទាំងអស់នេះនឹងបណ្តាលឱ្យមានការកើនឡើងមិនត្រឹមតែនៅក្នុងកម្រិតសំឡេងជាមធ្យមប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែក៏មានសក្តានុពលប្រេកង់នៃម៉ូឌុល DDR4 SDRAM ជាមធ្យមផងដែរ។

ប្រភព: 3dnews.ru