នៅ Samsung រាល់ nanometer រាប់៖ បន្ទាប់ពី 7 nm វានឹងមានដំណើរការបច្ចេកវិជ្ជា 6-, 5-, 4- និង 3-nm

ថ្ងៃនេះ Samsung Electronics រាយការណ៍ អំពីផែនការសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍនៃដំណើរការបច្ចេកទេសសម្រាប់ការផលិត semiconductors ។ ក្រុមហ៊ុនចាត់ទុកការបង្កើតគម្រោងឌីជីថលនៃបន្ទះឈីប 3-nm ពិសោធន៍ដោយផ្អែកលើត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET ដែលមានប៉ាតង់ជាសមិទ្ធិផលសំខាន់នាពេលបច្ចុប្បន្ន។ ទាំងនេះគឺជាត្រង់ស៊ីស្ទ័រដែលមានបណ្តាញ nanopage ផ្ដេកច្រើននៅក្នុងច្រក FET បញ្ឈរ (Multi-Bridge-Channel FET)។

ជាផ្នែកមួយនៃសម្ព័ន្ធភាពជាមួយ IBM ក្រុមហ៊ុន Samsung បានបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាខុសគ្នាបន្តិចបន្តួចសម្រាប់ការផលិតត្រង់ស៊ីស្ទ័រជាមួយនឹងបណ្តាញដែលហ៊ុំព័ទ្ធដោយច្រកទ្វារ (GAA ឬ Gate-All-Around) ។ ឆានែលត្រូវបានគេសន្មត់ថាត្រូវបានធ្វើឱ្យស្តើងនៅក្នុងទម្រង់នៃ nanowires ។ ក្រោយមក Samsung បានផ្លាស់ប្តូរឆ្ងាយពីគ្រោងការណ៍នេះ ហើយបានធ្វើប៉ាតង់រចនាសម្ព័ន្ធត្រង់ស៊ីស្ទ័រជាមួយនឹងឆានែលក្នុងទម្រង់ជា nanopages ។ រចនាសម្ព័ន្ធនេះអនុញ្ញាតឱ្យអ្នកគ្រប់គ្រងលក្ខណៈនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រដោយរៀបចំទាំងចំនួនទំព័រ (ឆានែល) និងដោយការកែតម្រូវទទឹងទំព័រ។ សម្រាប់បច្ចេកវិទ្យា FET បុរាណ ការធ្វើសមយុទ្ធបែបនេះគឺមិនអាចទៅរួចទេ។ ដើម្បីបង្កើនថាមពលនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ FinFET វាចាំបាច់ក្នុងការគុណចំនួន fins FET នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម ហើយនេះតម្រូវឱ្យមានផ្ទៃ។ លក្ខណៈនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET អាចត្រូវបានផ្លាស់ប្តូរនៅក្នុងច្រកទ្វារមួយ ដែលអ្នកត្រូវកំណត់ទទឹងនៃឆានែល និងលេខរបស់វា។

ភាពអាចរកបាននៃការរចនាឌីជីថល (ថតចេញ) នៃបន្ទះឈីបគំរូសម្រាប់ការផលិតដោយប្រើដំណើរការ GAA បានអនុញ្ញាតឱ្យ Samsung កំណត់ដែនកំណត់នៃសមត្ថភាពរបស់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET ។ វាគួរតែត្រូវបានដោយសារក្នុងចិត្តថានេះនៅតែជាទិន្នន័យគំរូកុំព្យូទ័រ ហើយដំណើរការបច្ចេកទេសថ្មីអាចត្រូវបានវិនិច្ឆ័យចុងក្រោយបន្ទាប់ពីវាត្រូវបានដាក់ឱ្យដំណើរការទៅជាផលិតកម្មទ្រង់ទ្រាយធំ។ ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយមានចំណុចចាប់ផ្តើម។ ក្រុមហ៊ុនបាននិយាយថាការផ្លាស់ប្តូរពីដំណើរការ 7nm (ជាក់ស្តែងជំនាន់ទី 45) ទៅដំណើរការ GAA នឹងផ្តល់នូវការកាត់បន្ថយ 50% នៅក្នុងតំបន់ស្លាប់ និង 35% នៃការប្រើប្រាស់។ ប្រសិនបើអ្នកមិនសន្សំលើការប្រើប្រាស់ទេ ផលិតភាពអាចកើនឡើង 3%។ កាលពីមុន Samsung បានឃើញការសន្សំ និងបង្កើនផលិតភាពនៅពេលផ្លាស់ប្តូរទៅដំណើរការ XNUMXnm រាយ បំបែកដោយសញ្ញាក្បៀស។ វាបានប្រែក្លាយថាវាគឺមួយឬផ្សេងទៀត។

ក្រុមហ៊ុនបានចាត់ទុកការរៀបចំវេទិកាពពកសាធារណៈសម្រាប់អ្នកបង្កើតបន្ទះឈីបឯករាជ្យ និងក្រុមហ៊ុនដែលមិនចេះអស្ចារ្យថាជាចំណុចសំខាន់ក្នុងការធ្វើឱ្យពេញនិយមនៃបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 3nm ។ Samsung មិនបានលាក់បរិយាកាសអភិវឌ្ឍន៍ ការផ្ទៀងផ្ទាត់គម្រោង និងបណ្ណាល័យនៅលើម៉ាស៊ីនមេផលិតកម្មទេ។ វេទិកា SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) នឹងមានសម្រាប់អ្នករចនាជុំវិញពិភពលោក។ វេទិកាពពកសុវត្ថិភាពត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយមានការចូលរួមពីសេវាកម្មពពកសាធារណៈសំខាន់ៗដូចជា Amazon Web Services (AWS) និង Microsoft Azure ។ អ្នកបង្កើតប្រព័ន្ធរចនាពី Cadence និង Synopsys បានផ្តល់ឧបករណ៍រចនារបស់ពួកគេនៅក្នុង SAFE ។ នេះសន្យាថានឹងធ្វើឱ្យកាន់តែងាយស្រួល និងថោកជាងមុនក្នុងការបង្កើតដំណោះស្រាយថ្មីសម្រាប់ដំណើរការរបស់ Samsung។

ត្រលប់ទៅបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 3nm របស់ក្រុមហ៊ុន Samsung សូមបន្ថែមថាក្រុមហ៊ុនបានបង្ហាញកំណែដំបូងនៃកញ្ចប់អភិវឌ្ឍន៍បន្ទះឈីបរបស់ខ្លួន - 3nm GAE PDK កំណែ 0.1 ។ ដោយមានជំនួយរបស់វា អ្នកអាចចាប់ផ្តើមរចនាដំណោះស្រាយ 3nm នៅថ្ងៃនេះ ឬយ៉ាងហោចណាស់រៀបចំដើម្បីបំពេញតាមដំណើរការរបស់ Samsung នេះ នៅពេលដែលវារីករាលដាល។

ក្រុមហ៊ុន Samsung ប្រកាសអំពីផែនការអនាគតរបស់ខ្លួនដូចខាងក្រោម។ នៅក្នុងឆមាសទីពីរនៃឆ្នាំនេះ ការផលិតបន្ទះសៀគ្វីដ៏ធំដោយប្រើដំណើរការ 6nm នឹងត្រូវបានដាក់ឱ្យដំណើរការ។ ទន្ទឹមនឹងនេះដែរ ការអភិវឌ្ឍន៍បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 4nm នឹងត្រូវបញ្ចប់។ ការអភិវឌ្ឍន៍ផលិតផល Samsung ដំបូងគេដែលប្រើប្រាស់ដំណើរការ 5nm នឹងត្រូវបញ្ចប់នៅរដូវស្លឹកឈើជ្រុះនេះ ដោយការផលិតនឹងចាប់ផ្តើមនៅឆមាសទីមួយនៃឆ្នាំក្រោយ។ ដូចគ្នានេះផងដែរនៅចុងឆ្នាំនេះ Samsung នឹងបញ្ចប់ការអភិវឌ្ឍន៍បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 18FDS (18 nm នៅលើ FD-SOI wafers) និងបន្ទះឈីប 1-Gbit eMRAM ។ បច្ចេកវិជ្ជាដំណើរការពី 7 nm ដល់ 3 nm នឹងប្រើម៉ាស៊ីនស្កេន EUV ជាមួយនឹងអាំងតង់ស៊ីតេកើនឡើង ដែលធ្វើអោយរាល់ nanometer រាប់។ បន្ថែមទៀតនៅលើផ្លូវចុះក្រោម រាល់ជំហាននឹងត្រូវធ្វើឡើងជាមួយនឹងការប្រយុទ្ធ។

ប្រភព: 3dnews.ru