ហេតុអ្វីបានជាកំរាលកំដៅ ប្រសិនបើអ្នកមានកុំព្យូទ័រយួរដៃ៖ ការសិក្សាអំពីភាពធន់នឹងកម្ដៅនៅកម្រិតអាតូមិច

អ្នកលេងហ្គេមជាច្រើននៅជុំវិញពិភពលោកដែលធ្លាប់មានបទពិសោធន៍ពីសម័យ Xbox 360 ច្បាស់ជាដឹងពីស្ថានភាពនៅពេលដែលកុងសូលរបស់ពួកគេប្រែទៅជាខ្ទះចៀនដែលពួកគេអាចចៀនពងបាន។ ស្ថានភាពសោកសៅស្រដៀងគ្នានេះកើតឡើងមិនត្រឹមតែជាមួយម៉ាស៊ីនហ្គេមប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែក៏មានទូរស័ព្ទ កុំព្យូទ័រយួរដៃ ថេប្លេត និងអ្វីៗជាច្រើនទៀតផងដែរ។ ជាគោលការណ៍ ស្ទើរតែគ្រប់ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចទាំងអស់អាចជួបប្រទះនឹងការឆក់កម្ដៅ ដែលអាចនាំឱ្យមិនត្រឹមតែការបរាជ័យ និងការតូចចិត្តរបស់ម្ចាស់របស់វាប៉ុណ្ណោះទេ ប៉ុន្តែវាថែមទាំងឈានដល់ "ការផ្ទុះដ៏អាក្រក់" នៃថ្ម និងរបួសធ្ងន់ធ្ងរផងដែរ។ ថ្ងៃនេះយើងនឹងស្គាល់ជាមួយនឹងការសិក្សាមួយដែលអ្នកវិទ្យាសាស្ត្រមកពីសាកលវិទ្យាល័យ Stanford ដូចជា Nick Fury មកពីរឿងកំប្លែង បានបង្កើតខែលការពារផ្នែកអេឡិចត្រូនិចដែលងាយនឹងកំដៅពីការឡើងកំដៅខ្លាំង ហើយជាលទ្ធផល ការពារការបែកបាក់របស់វា។ តើ​អ្នក​វិទ្យាសាស្ត្រ​បាន​បង្កើត​របាំង​ការពារ​កម្ដៅ​ដោយ​របៀប​ណា តើ​មាន​សមាសធាតុ​សំខាន់ៗ​អ្វី​ខ្លះ ហើយ​វា​មាន​ប្រសិទ្ធភាព​កម្រិត​ណា? យើងរៀនអំពីរឿងនេះ និងច្រើនទៀតពីរបាយការណ៍របស់ក្រុមស្រាវជ្រាវ។ ទៅ។

មូលដ្ឋានស្រាវជ្រាវ

បញ្ហានៃការឡើងកំដៅត្រូវបានគេដឹងជាយូរមកហើយ ហើយអ្នកវិទ្យាសាស្ត្រដោះស្រាយវាតាមវិធីផ្សេងៗគ្នា។ ការពេញនិយមបំផុតមួយចំនួនគឺការប្រើប្រាស់កញ្ចក់ ប្លាស្ទិក និងសូម្បីតែស្រទាប់ខ្យល់ ដែលបម្រើជាប្រភេទនៃអ៊ីសូឡង់នៃវិទ្យុសកម្មកម្ដៅ។ នៅក្នុងការពិតសម័យទំនើបវិធីសាស្រ្តនេះអាចត្រូវបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងដោយកាត់បន្ថយកម្រាស់នៃស្រទាប់ការពារទៅអាតូមជាច្រើនដោយមិនបាត់បង់លក្ខណៈសម្បត្តិអ៊ីសូឡង់កម្ដៅរបស់វា។ នោះហើយជាអ្វីដែលអ្នកស្រាវជ្រាវបានធ្វើ។

ជាការពិតណាស់យើងកំពុងនិយាយអំពី nanomaterials ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយការប្រើប្រាស់របស់ពួកគេនៅក្នុងអ៊ីសូឡង់កម្ដៅពីមុនមានភាពស្មុគស្មាញដោយការពិតដែលថារលកនៃ coolants (phonons *) គឺខ្លីជាងអេឡិចត្រុង ឬ ហ្វូតុង។

ផុនណុន* - quasiparticle ដែលជាបរិមាណនៃចលនារំញ័រនៃអាតូមគ្រីស្តាល់។

លើសពីនេះ ដោយសារតែធម្មជាតិនៃ phonons វាមិនអាចទៅរួចទេក្នុងការគ្រប់គ្រងពួកវាដោយវ៉ុល (ដូចដែលត្រូវបានធ្វើជាមួយឧបករណ៍ផ្ទុកបន្ទុក) ដែលជាទូទៅធ្វើឱ្យមានការលំបាកក្នុងការគ្រប់គ្រងការផ្ទេរកំដៅនៅក្នុងសារធាតុរាវ។

ពីមុន លក្ខណៈកម្ដៅនៃវត្ថុធាតុរឹង ដូចដែលអ្នកស្រាវជ្រាវរំលឹកយើង គឺត្រូវបានគ្រប់គ្រងតាមរយៈខ្សែភាពយន្ត nanolaminate និង superlattices ដោយសារតែភាពមិនប្រក្រតីនៃរចនាសម្ព័ន្ធ និងចំណុចប្រទាក់ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ ឬតាមរយៈ nanowires ស៊ីលីកូន និង germanium ដោយសារតែការខ្ចាត់ខ្ចាយ phonon ខ្លាំង។

ចំពោះវិធីសាស្រ្តអ៊ីសូឡង់កម្ដៅមួយចំនួនដែលបានពិពណ៌នាខាងលើ អ្នកវិទ្យាសាស្ត្របានត្រៀមខ្លួនជាស្រេចដោយទំនុកចិត្តដើម្បីសន្មតថាវត្ថុធាតុពីរវិមាត្រដែលមានកម្រាស់មិនលើសពីអាតូមជាច្រើនដែលធ្វើឱ្យពួកវាងាយស្រួលក្នុងការគ្រប់គ្រងលើមាត្រដ្ឋានអាតូមិច។ នៅក្នុងការសិក្សារបស់ពួកគេពួកគេបានប្រើ van der Waals (vdW) ការផ្គុំស្រទាប់ 2D ស្តើងអាតូមិច ដើម្បីសម្រេចបាននូវភាពធន់នឹងកម្ដៅខ្ពស់នៅទូទាំងរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructure របស់ពួកគេ។

កងកម្លាំង Van der Waals * - កម្លាំងអន្តរកម្មរវាងម៉ូលេគុល/អន្តរអាតូមិក ជាមួយនឹងថាមពល 10-20 kJ/mol ។

បច្ចេកទេសថ្មីនេះបានធ្វើឱ្យវាអាចទទួលបានភាពធន់ទ្រាំកំដៅនៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructure vdW ក្រាស់ 2 nm ប្រៀបធៀបទៅនឹងស្រទាប់ SiO2 (ស៊ីលីកុនឌីអុកស៊ីត) ក្រាស់ 300 nm ។

លើសពីនេះ ការប្រើប្រាស់ vdW heterostructures បានធ្វើឱ្យវាអាចទទួលបានការគ្រប់គ្រងលើលក្ខណៈសម្បត្តិកម្ដៅនៅកម្រិតអាតូមិច តាមរយៈការដាក់ស្រទាប់ monolayers XNUMXD ខុសធម្មតាជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេម៉ាស់អាតូមខុសៗគ្នា និងរបៀបរំញ័រ។

ដូច្នេះ សូមកុំទាញវីស្គីរបស់ឆ្មា ហើយចាប់ផ្តើមពិចារណាពីលទ្ធផលនៃការស្រាវជ្រាវដ៏អស្ចារ្យនេះ។

លទ្ធផលស្រាវជ្រាវ

ជាដំបូង អនុញ្ញាតឱ្យយើងស្គាល់ពីលក្ខណៈមីក្រូរចនាសម្ព័ន្ធ និងអុបទិកនៃរចនាសម្ព័ន្ធ vdW heterostructures ដែលប្រើក្នុងការសិក្សានេះ។

រូបភាពទី 1

នៅលើរូបភាព 1 ។ បង្ហាញដ្យាក្រាមផ្នែកឆ្លងកាត់នៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructure បួនស្រទាប់ដែលមាន (ពីកំពូលទៅបាត): graphene (Gr), MoSe2, MoS2, WSe22 និងស្រទាប់ខាងក្រោម SiO2/Si ។ ដើម្បីស្កេនស្រទាប់ទាំងអស់ក្នុងពេលដំណាលគ្នា សូមប្រើ រ៉ាម៉ានឡាស៊ែរ* ជាមួយនឹងរលក 532 nm ។

ឡាស៊ែរ Raman * - ប្រភេទនៃឡាស៊ែរដែលយន្តការសំខាន់នៃការពង្រីកពន្លឺគឺការខ្ចាត់ខ្ចាយ Raman ។

រ៉ាម៉ានបែកខ្ញែកនៅក្នុងវេន គឺជាការខ្ចាត់ខ្ចាយ inelastic នៃវិទ្យុសកម្មអុបទិកនៅលើម៉ូលេគុលនៃសារធាតុមួយ ដែលត្រូវបានអមដោយការផ្លាស់ប្តូរយ៉ាងសំខាន់នៅក្នុងប្រេកង់នៃវិទ្យុសកម្ម។

វិធីសាស្រ្តជាច្រើនត្រូវបានប្រើដើម្បីបញ្ជាក់ភាពដូចគ្នានៃរចនាសម្ព័ន្ធ កំដៅ និងអគ្គិសនីនៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructures: ការស្កែនបញ្ជូនមីក្រូទស្សន៍អេឡិចត្រុង (STEM), photoluminescence spectroscopy (PL), Kelvin probe microscopy (KPM), ការស្កែនមីក្រូទស្សន៍កម្ដៅ (SThM) ក៏ដូចជា Raman spectroscopy និង ទែរម៉ូម៉ែត្រ។

រូបភាពរូបភាព 1b បង្ហាញយើងនូវវិសាលគម Raman នៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructure Gr/MoSe2/MoS2/WSe22 នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម SiO2/Si នៅទីតាំងដែលសម្គាល់ដោយចំណុចក្រហម។ គ្រោងនេះបង្ហាញពីហត្ថលេខារបស់ monolayer នីមួយៗនៅក្នុងស្រទាប់ array ក៏ដូចជាហត្ថលេខានៃស្រទាប់ខាងក្រោម Si ។

នៅលើ 1c-1f រូបភាព STEM វាលងងឹតនៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructure Gr/MoSe2/MoS2/WSe22 ត្រូវបានបង្ហាញ (៤.៩.០с) និង Gr/MoS2/WSe22 heterostructures (1d-1f) ជាមួយនឹងទិសដៅបន្ទះឈើខុសៗគ្នា។ រូបភាព STEM បង្ហាញចន្លោះ vdW បិទអាតូមដោយគ្មានការចម្លងរោគ ដែលអនុញ្ញាតឱ្យកម្រាស់ទាំងមូលនៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructures ទាំងនេះអាចមើលឃើញយ៉ាងពេញលេញ។ វត្តមាននៃការភ្ជាប់ interlayer ត្រូវបានបញ្ជាក់ផងដែរនៅលើតំបន់ស្កេនធំដោយប្រើ photoluminescence (PL) spectroscopy (1g) សញ្ញា photoluminescent នៃស្រទាប់នីមួយៗនៅខាងក្នុង heterostructure ត្រូវបានបង្ក្រាបយ៉ាងខ្លាំងបើប្រៀបធៀបទៅនឹងសញ្ញានៃ monolayer ដាច់ដោយឡែកមួយ។ នេះត្រូវបានពន្យល់ដោយដំណើរការនៃការផ្ទេរបន្ទុក interlayer ដោយសារតែអន្តរកម្ម interlayer ជិតស្និទ្ធ ដែលកាន់តែរឹងមាំបន្ទាប់ពីការ annealing ។

រូបភាពទី 2

ដើម្បីវាស់ស្ទង់លំហូរកំដៅកាត់កែងទៅនឹងយន្តហោះអាតូមិកនៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructure អារេនៃស្រទាប់ត្រូវបានរៀបចំឡើងក្នុងទម្រង់ជាឧបករណ៍អគ្គិសនីបួន។ ស្រទាប់ខាងលើនៃ graphene ទំនាក់ទំនងអេឡិចត្រូត palladium (Pd) ហើយត្រូវបានគេប្រើជាឧបករណ៍កម្តៅសម្រាប់ការវាស់ស្ទង់ទែរម៉ូម៉ែត្រ Raman ។

វិធីសាស្រ្តកំដៅអគ្គិសនីនេះផ្តល់នូវបរិមាណច្បាស់លាស់នៃថាមពលបញ្ចូល។ វិធីសាស្ត្រកំដៅដែលអាចធ្វើទៅបានមួយទៀត អុបទិក នឹងមានការលំបាកក្នុងការអនុវត្ត ដោយសារភាពល្ងង់ខ្លៅនៃមេគុណស្រូបយកនៃស្រទាប់នីមួយៗ។

នៅលើ 2 ។ បង្ហាញសៀគ្វីរង្វាស់បួនក្បាល និង 2b បង្ហាញទិដ្ឋភាពកំពូលនៃរចនាសម្ព័ន្ធដែលកំពុងត្រូវបានសាកល្បង។ កាលវិភាគ ៤.៩.០с បង្ហាញលក្ខណៈនៃការផ្ទេរកំដៅដែលបានវាស់វែងសម្រាប់ឧបករណ៍ចំនួនបី ដែលមួយមានផ្ទុកតែ graphene និងពីរដែលមានអារេស្រទាប់ Gr/WSe22 និង Gr/MoSe2/WSe22 ។ វ៉ារ្យ៉ង់ទាំងអស់បង្ហាញពីអាកប្បកិរិយាមិនច្បាស់លាស់នៃ graphene ដែលត្រូវបានផ្សារភ្ជាប់ជាមួយនឹងអវត្តមាននៃគម្លាតក្រុម។

វាក៏ត្រូវបានគេរកឃើញផងដែរថាចរន្តនិងកំដៅកើតឡើងនៅក្នុងស្រទាប់ខាងលើ (graphene) ចាប់តាំងពីចរន្តអគ្គិសនីរបស់វាមានលំដាប់ជាច្រើននៃរ៉ិចទ័រខ្ពស់ជាង MoS2 និង WSe22 ។

ដើម្បីបង្ហាញពីភាពដូចគ្នានៃឧបករណ៍ដែលបានសាកល្បង ការវាស់វែងត្រូវបានធ្វើឡើងដោយប្រើមីក្រូទស្សន៍ Kelvin probe (KPM) និងការស្កែនមីក្រូទស្សន៍កម្ដៅ (SThM)។ នៅលើតារាង 2d ការវាស់វែង KPM ត្រូវបានបង្ហាញដែលបង្ហាញពីការចែកចាយសក្តានុពលលីនេអ៊ែរ។ លទ្ធផលនៃការវិភាគ SThM ត្រូវបានបង្ហាញនៅក្នុង ២៤០ ស. នៅទីនេះយើងឃើញផែនទីនៃបណ្តាញ Gr/MoS2/WSe22 កំដៅអគ្គិសនី ក៏ដូចជាវត្តមាននៃភាពស្មើគ្នានៅក្នុងកំដៅផ្ទៃ។

បច្ចេកទេសស្កេនដែលបានពិពណ៌នាខាងលើ ជាពិសេស SThM បានបញ្ជាក់ពីភាពដូចគ្នានៃរចនាសម្ព័ន្ធដែលកំពុងសិក្សា នោះគឺភាពដូចគ្នារបស់វាទាក់ទងនឹងសីតុណ្ហភាព។ ជំហានបន្ទាប់គឺដើម្បីកំណត់បរិមាណសីតុណ្ហភាពនៃស្រទាប់ធាតុផ្សំនីមួយៗដោយប្រើ Raman spectroscopy (ឧទាហរណ៍ Raman spectroscopy)។

ឧបករណ៍ទាំងបីត្រូវបានសាកល្បង ដែលនីមួយៗមានផ្ទៃដី ~40 µm2 ។ ក្នុងករណីនេះថាមពលកំដៅបានផ្លាស់ប្តូរដោយ 9 mW ហើយថាមពលឡាស៊ែរដែលស្រូបចូលគឺទាបជាង ~ 5 μW ជាមួយនឹងតំបន់ឡាស៊ែរនៃ ~ 0.5 μm2 ។

រូបភាពទី 3

នៅលើតារាង 3 ។ ការកើនឡើងនៃសីតុណ្ហភាព (∆T) នៃស្រទាប់នីមួយៗ និងស្រទាប់ខាងក្រោមអាចមើលឃើញនៅពេលដែលថាមពលកំដៅនៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធ Heterostructure Gr/MoS2/WSe22 កើនឡើង។

ជម្រាលនៃមុខងារលីនេអ៊ែរសម្រាប់សម្ភារៈនីមួយៗ (ស្រទាប់) បង្ហាញពីភាពធន់ទ្រាំកម្ដៅ (Rth=∆T/P) រវាងស្រទាប់នីមួយៗ និងឧបករណ៍ផ្ទុកកំដៅ។ ដោយមានការចែកចាយឯកសណ្ឋាននៃកំដៅលើតំបន់នោះ ភាពធន់នឹងកម្ដៅអាចវិភាគបានយ៉ាងងាយស្រួលពីបាតទៅស្រទាប់ខាងលើ ដែលកំឡុងពេលតម្លៃរបស់វាត្រូវបានធ្វើឱ្យធម្មតាដោយផ្ទៃឆានែល (WL) ។

L និង W គឺជាប្រវែងនិងទទឹងឆានែលដែលធំជាងកម្រាស់នៃស្រទាប់ខាងក្រោម SiO2 និងប្រវែងកំដៅនៅពេលក្រោយគឺ ~ 0.1 μm។

ដូច្នេះយើងអាចទាញយករូបមន្តសម្រាប់ធន់ទ្រាំនឹងកម្ដៅនៃស្រទាប់ខាងក្រោម Si ដែលនឹងមើលទៅដូចនេះ៖

Rth, Si ≈ (WL)1/2 / (2kស៊ី)

ក្នុងស្ថានភាពនេះ។ kSi ≈ 90 W m−1 K−1 ដែលជាចរន្តកំដៅដែលរំពឹងទុកនៃស្រទាប់ខាងក្រោមដែលមានសារធាតុ doped ខ្លាំង។

ភាពខុសគ្នារវាង Rth, WSe2 និង Rth, Si គឺជាផលបូកនៃភាពធន់ទ្រាំកម្ដៅនៃ SiO2 ក្រាស់ 100 nm និងភាពធន់ទ្រាំព្រំដែនកម្ដៅ (TBR) នៃចំណុចប្រទាក់ WSe2/SiO2 ។

ដោយដាក់ទិដ្ឋភាពខាងលើទាំងអស់បញ្ចូលគ្នា យើងអាចបង្កើតបានថា Rth, MoS2 − Rth, Wse2 = TBRMoS2/WSe2, និង Rth, Gr − Rth, MoS2 = TBRGr/MoS2 ។ ដូច្នេះពីក្រាហ្វ 3 ។ វាអាចទាញយកតម្លៃ TBR សម្រាប់ចំណុចប្រទាក់ WSe2/SiO2, MoS2/WSe2 និង Gr/MoS2 នីមួយៗ។

បន្ទាប់មក អ្នកវិទ្យាសាស្ត្របានប្រៀបធៀបភាពធន់នឹងកម្ដៅសរុបនៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructures ទាំងអស់ដែលវាស់វែងដោយប្រើ Raman spectroscopy និងមីក្រូទស្សន៍កម្ដៅ (3b).

Bilayer និង trilayer heterostructures នៅលើ SiO2 បានបង្ហាញភាពធន់ទ្រាំកម្ដៅដ៏មានប្រសិទ្ធភាពក្នុងចន្លោះពី 220 ទៅ 280 m2 K/GW នៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់ ដែលស្មើនឹងភាពធន់កំដៅរបស់ SiO2 ដែលមានកំរាស់ពី 290 ទៅ 360 nm ។ ទោះបីជាការពិតដែលថាកម្រាស់នៃរចនាសម្ព័ន្ធ heterostructures ដែលកំពុងសិក្សាមិនលើសពី 2 nm (1d-1f) ចរន្តកំដៅរបស់ពួកគេគឺ 0.007-0.009 W m−1 K−1 នៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់។

រូបភាពទី 4

រូបភាពទី 4 បង្ហាញពីការវាស់វែងនៃរចនាសម្ព័ន្ធទាំងបួន និងទំនាក់ទំនងកម្ដៅព្រំដែន (TBC) នៃចំណុចប្រទាក់របស់វា ដែលអនុញ្ញាតឱ្យយើងវាយតម្លៃកម្រិតនៃឥទ្ធិពលនៃស្រទាប់នីមួយៗលើភាពធន់កម្ដៅដែលបានវាស់ពីមុន (TBC = 1 / TBR) ។

អ្នកស្រាវជ្រាវកត់សម្គាល់ថានេះគឺជាការវាស់វែង TBC លើកដំបូងដែលមិនធ្លាប់មានសម្រាប់ចំណុចប្រទាក់បិទអាតូមរវាង monolayers ដាច់ដោយឡែក (2D/2D) ជាពិសេសរវាង monolayers WSe2 និង SiO2 ។

TBC នៃចំណុចប្រទាក់ monolayer WSe2/SiO2 គឺទាបជាងចំណុចប្រទាក់ WSe2/SiO2 ពហុស្រទាប់ ដែលវាមិនគួរឱ្យភ្ញាក់ផ្អើលទេចាប់តាំងពី monolayer មានរបៀប phonon ពត់កោងតិចជាងច្រើនដែលអាចរកបានសម្រាប់ការបញ្ជូន។ និយាយឱ្យសាមញ្ញ TBC នៃចំណុចប្រទាក់រវាងស្រទាប់ 2D គឺទាបជាង TBC នៃចំណុចប្រទាក់រវាងស្រទាប់ 2D និងស្រទាប់ខាងក្រោម 3D SiO2 (4b).

សម្រាប់អ្នកស្គាល់គ្នាលម្អិតបន្ថែមទៀតជាមួយ nuances នៃការសិក្សានេះ ខ្ញុំសូមណែនាំឱ្យមើល អ្នកវិទ្យាសាស្ត្ររាយការណ៍ и សម្ភារៈបន្ថែម ដល់គាត់

Epilogue

ការស្រាវជ្រាវនេះ ដូចដែលអ្នកវិទ្យាសាស្ត្រខ្លួនឯងអះអាង ផ្តល់ឱ្យយើងនូវចំណេះដឹងដែលអាចអនុវត្តបានក្នុងការអនុវត្តចំណុចប្រទាក់កម្ដៅអាតូមិច។ ការងារនេះបានបង្ហាញពីលទ្ធភាពនៃការបង្កើតវត្ថុធាតុកំដៅដែលមានអ៊ីសូឡង់ដែលលក្ខណៈសម្បត្តិមិនត្រូវបានរកឃើញនៅក្នុងធម្មជាតិ។ លើសពីនេះ ការសិក្សាក៏បានបញ្ជាក់ពីលទ្ធភាពនៃការអនុវត្តការវាស់សីតុណ្ហភាពច្បាស់លាស់នៃរចនាសម្ព័ន្ធបែបនេះ ទោះបីជាមានមាត្រដ្ឋានអាតូមិចនៃស្រទាប់ក៏ដោយ។

រចនាសម្ព័ន្ធ heterostructures ដែលបានពិពណ៌នាខាងលើអាចក្លាយជាមូលដ្ឋានសម្រាប់ "ប្រឡោះកំដៅ" ដែលមានពន្លឺខ្លាំងនិងបង្រួមដែលមានសមត្ថភាពឧទាហរណ៍ការដកកំដៅចេញពីចំណុចក្តៅនៅក្នុងអេឡិចត្រូនិច។ លើសពីនេះ បច្ចេកវិទ្យានេះអាចត្រូវបានប្រើនៅក្នុងម៉ាស៊ីនកំដៅកំដៅ ឬឧបករណ៍ដែលគ្រប់គ្រងដោយកម្ដៅ ដោយបង្កើនដំណើរការរបស់វា។

ការសិក្សានេះបញ្ជាក់ម្តងទៀតថា វិទ្យាសាស្ត្រទំនើបចាប់អារម្មណ៍យ៉ាងខ្លាំងលើគោលការណ៍ "ប្រសិទ្ធភាពក្នុងដុំពក" ដែលមិនអាចហៅថាជាគំនិតឆោតល្ងង់ ដោយសារធនធានមានកម្រិតនៃភពផែនដី និងកំណើនជាបន្តបន្ទាប់នៃតម្រូវការសម្រាប់ការច្នៃប្រឌិតបច្ចេកវិទ្យាគ្រប់ប្រភេទ។

អរគុណសម្រាប់ការអាន ចង់ដឹងចង់ឃើញ និងរីករាយសប្តាហ៍! 🙂

សូមអរគុណចំពោះការស្នាក់នៅជាមួយពួកយើង។ តើអ្នកចូលចិត្តអត្ថបទរបស់យើងទេ? ចង់មើលខ្លឹមសារគួរឱ្យចាប់អារម្មណ៍បន្ថែមទៀតទេ? គាំទ្រយើងដោយការបញ្ជាទិញឬណែនាំដល់មិត្តភក្តិ, ការបញ្ចុះតម្លៃ 30% សម្រាប់អ្នកប្រើប្រាស់ Habr នៅលើ analogue តែមួយគត់នៃម៉ាស៊ីនមេកម្រិតធាតុ ដែលត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយពួកយើងសម្រាប់អ្នក៖ ការពិតទាំងមូលអំពី VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps ចាប់ពី $20 ឬរបៀបចែករំលែកម៉ាស៊ីនមេ? (អាចប្រើបានជាមួយ RAID1 និង RAID10 រហូតដល់ 24 cores និងរហូតដល់ 40GB DDR4)។

Dell R730xd ថោកជាង 2 ដង? នៅទីនេះ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 TV ចាប់ពី $199 នៅប្រទេសហូឡង់! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - ចាប់ពី $99! អាន​អំពី របៀបបង្កើតក្រុមហ៊ុនហេដ្ឋារចនាសម្ព័ន្ធ ថ្នាក់ជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ម៉ាស៊ីនមេ Dell R730xd E5-2650 v4 ដែលមានតម្លៃ 9000 អឺរ៉ូសម្រាប់មួយកាក់?

ប្រភព: www.habr.com