Samsung បាននិយាយអំពីត្រង់ស៊ីស្ទ័រដែលនឹងជំនួស FinFET

ដូចដែលត្រូវបានគេរាយការណ៍ជាច្រើនដង អ្វីមួយត្រូវធ្វើជាមួយត្រង់ស៊ីស្ទ័រតូចជាង 5 nm ។ សព្វថ្ងៃនេះក្រុមហ៊ុនផលិតបន្ទះឈីបកំពុងផលិតដំណោះស្រាយកម្រិតខ្ពស់បំផុតដោយប្រើច្រក FinFET បញ្ឈរ។ ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ FinFET នៅតែអាចផលិតបានដោយប្រើដំណើរការបច្ចេកទេស 5-nm និង 4-nm (អ្វីក៏ដោយដែលស្តង់ដារទាំងនេះមានន័យ) ប៉ុន្តែរួចទៅហើយនៅក្នុងដំណាក់កាលនៃការផលិត semiconductors 3-nm រចនាសម្ព័ន្ធ FinFET ឈប់ដំណើរការដូចដែលវាគួរតែ។ ច្រកទ្វារនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រគឺតូចពេក ហើយវ៉ុលបញ្ជាមិនទាបគ្រប់គ្រាន់សម្រាប់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រដើម្បីបន្តបំពេញមុខងាររបស់ពួកគេជាច្រកនៅក្នុងសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា។ ដូច្នេះហើយ ឧស្សាហកម្ម និងជាពិសេស Samsung ដែលចាប់ផ្តើមពីបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 3nm នឹងប្តូរទៅការផលិតត្រង់ស៊ីស្ទ័រជាមួយ ring ឬ GAA (Gate-All-Around) gates ទាំងអស់។ ជាមួយនឹងសេចក្តីប្រកាសព័ត៌មានថ្មីៗនេះ ក្រុមហ៊ុន Samsung ទើបតែបង្ហាញនូវ Infographic ដែលមើលឃើញអំពីរចនាសម្ព័ន្ធនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រថ្មី និងអត្ថប្រយោជន៍នៃការប្រើប្រាស់ពួកវា។

ដូចដែលបានបង្ហាញនៅក្នុងរូបភាពខាងលើ ដោយសារស្តង់ដារផលិតកម្មបានធ្លាក់ចុះ ច្រកទ្វារបានវិវត្តន៍ពីរចនាសម្ព័ន្ធប្លង់ដែលអាចគ្រប់គ្រងតំបន់តែមួយនៅក្រោមច្រកទ្វារ ទៅជាបណ្តាញបញ្ឈរដែលហ៊ុំព័ទ្ធដោយច្រកទ្វារបីជ្រុង ហើយចុងក្រោយរំកិលទៅជិតប៉ុស្តិ៍ដែលព័ទ្ធជុំវិញដោយច្រកទ្វារ។ ទាំងបួនជ្រុង។ ផ្លូវទាំងមូលនេះត្រូវបានអមដោយការកើនឡើងនៅក្នុងតំបន់ច្រកទ្វារជុំវិញឆានែលដែលបានគ្រប់គ្រងដែលធ្វើឱ្យវាអាចធ្វើទៅបានដើម្បីកាត់បន្ថយការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលទៅត្រង់ស៊ីស្ទ័រដោយមិនធ្វើឱ្យខូចលក្ខណៈបច្ចុប្បន្ននៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រដូច្នេះនាំឱ្យមានការកើនឡើងនៃដំណើរការនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ។ និងការថយចុះនៃចរន្តលេចធ្លាយ។ ក្នុងន័យនេះ ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ GAA នឹងក្លាយជាមកុដថ្មីនៃការបង្កើត ហើយនឹងមិនតម្រូវឱ្យមានការដំណើរការឡើងវិញដ៏សំខាន់នៃដំណើរការបច្ចេកវិជ្ជា CMOS បុរាណនោះទេ។

បណ្តាញដែលព័ទ្ធជុំវិញដោយច្រកទ្វារអាចត្រូវបានផលិតជាទម្រង់ស្ពានស្តើង (nanowires) ឬក្នុងទម្រង់ជាស្ពានធំទូលាយ ឬ nanopages ។ Samsung ប្រកាសពីជម្រើសរបស់ខ្លួនក្នុងការពេញចិត្តចំពោះ nanopages និងអះអាងថាដើម្បីការពារការអភិវឌ្ឍន៍របស់ខ្លួនជាមួយនឹងប៉ាតង់ ទោះបីជាវាបានអភិវឌ្ឍរចនាសម្ព័ន្ធទាំងអស់នេះខណៈពេលដែលនៅតែចូលទៅក្នុងសម្ព័ន្ធភាពជាមួយ IBM និងក្រុមហ៊ុនផ្សេងទៀតឧទាហរណ៍ជាមួយ AMD ។ Samsung នឹងមិនហៅត្រង់ស៊ីស្ទ័រថ្មី GAA ទេ ប៉ុន្តែឈ្មោះកម្មសិទ្ធិ MBCFET (Multi Bridge Channel FET)។ ទំព័រឆានែលធំទូលាយនឹងផ្តល់នូវចរន្តសំខាន់ៗដែលពិបាកនឹងសម្រេចបាននៅក្នុងករណីនៃឆានែល nanowire ។

ការផ្លាស់ប្តូរទៅច្រកទ្វាររោទិ៍ក៏នឹងធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពថាមពលនៃរចនាសម្ព័ន្ធត្រង់ស៊ីស្ទ័រថ្មី។ នេះមានន័យថាវ៉ុលផ្គត់ផ្គង់នៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រអាចត្រូវបានកាត់បន្ថយ។ សម្រាប់រចនាសម្ព័ន្ធ FinFET ក្រុមហ៊ុនហៅកម្រិតកាត់បន្ថយថាមពលតាមលក្ខខណ្ឌ 0,75 V. ការផ្លាស់ប្តូរទៅត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET នឹងបន្ថយដែនកំណត់នេះកាន់តែទាបជាង។

ក្រុមហ៊ុនបានហៅអត្ថប្រយោជន៍បន្ទាប់នៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET ភាពបត់បែនដ៏អស្ចារ្យនៃដំណោះស្រាយ។ ដូច្នេះ ប្រសិនបើលក្ខណៈនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រ FinFET នៅដំណាក់កាលផលិតអាចត្រូវបានគ្រប់គ្រងដោយឡែក ដោយដាក់ចំនួនគែមជាក់លាក់ទៅក្នុងគម្រោងសម្រាប់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រនីមួយៗ នោះការរចនាសៀគ្វីជាមួយត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET នឹងស្រដៀងទៅនឹងការលៃតម្រូវដ៏ល្អបំផុតសម្រាប់គម្រោងនីមួយៗ។ ហើយនេះនឹងសាមញ្ញណាស់ក្នុងការធ្វើ: វានឹងគ្រប់គ្រាន់ដើម្បីជ្រើសរើសទទឹងដែលត្រូវការនៃឆានែល nanopage ហើយប៉ារ៉ាម៉ែត្រនេះអាចផ្លាស់ប្តូរបានតាមលីនេអ៊ែរ។

សម្រាប់ការផលិតត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET ដូចដែលបានរៀបរាប់ខាងលើ បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ CMOS បុរាណ និងឧបករណ៍ឧស្សាហកម្មដែលបានដំឡើងនៅក្នុងរោងចក្រគឺសមរម្យដោយគ្មានការផ្លាស់ប្តូរគួរឱ្យកត់សម្គាល់។ មានតែដំណាក់កាលដំណើរការនៃស៊ីលីកុន wafers ប៉ុណ្ណោះដែលនឹងតម្រូវឱ្យមានការកែប្រែបន្តិចបន្តួច ដែលអាចយល់បាន ហើយនោះជាអ្វីទាំងអស់។ នៅលើផ្នែកនៃក្រុមទំនាក់ទំនង និងស្រទាប់លោហធាតុ អ្នកមិនចាំបាច់ផ្លាស់ប្តូរអ្វីនោះទេ។

សរុបសេចក្តីមក Samsung ជាលើកដំបូងផ្តល់នូវការពិពណ៌នាគុណភាពនៃការកែលម្អដែលការផ្លាស់ប្តូរទៅបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 3nm និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ MBCFET នឹងនាំយកមកជាមួយ (ដើម្បីបញ្ជាក់ Samsung មិនបាននិយាយដោយផ្ទាល់អំពីបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 3nm នោះទេ ប៉ុន្តែវាបានរាយការណ៍ពីមុនមកថា បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 4nm នឹងនៅតែប្រើត្រង់ស៊ីស្ទ័រ FinFET)។ ដូច្នេះបើប្រៀបធៀបទៅនឹងបច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ 7nm FinFET ការផ្លាស់ប្តូរទៅបទដ្ឋានថ្មី ហើយ MBCFET នឹងផ្តល់នូវការកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ 50% ការកើនឡើង 30% នៃដំណើរការ និងការកាត់បន្ថយ 45% នៅក្នុងតំបន់បន្ទះឈីប។ មិនមែន "ទាំង ឬ" ទេ ប៉ុន្តែសរុបមក។ តើរឿងនេះនឹងកើតឡើងនៅពេលណា? វាអាចកើតឡើងនៅចុងឆ្នាំ 2021។

ប្រភព: 3dnews.ru