USA ಯಿಂದ ಸಂಶೋಧಕರು ಮೂರು ಪರಮಾಣುಗಳ ದಪ್ಪವಿರುವ ಲೋಹದ ಪದರಗಳನ್ನು ಯಾಂತ್ರಿಕವಾಗಿ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವ ಮೂಲಕ ಡೇಟಾವನ್ನು ದಾಖಲಿಸುವ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶ. ಅಂತಹ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶವು ಹೆಚ್ಚಿನ ರೆಕಾರ್ಡಿಂಗ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಭರವಸೆ ನೀಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಅನುಷ್ಠಾನಕ್ಕೆ ಕನಿಷ್ಠ ಶಕ್ತಿಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.
ಸ್ಟ್ಯಾನ್‌ಫೋರ್ಡ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಎಸ್‌ಎಲ್‌ಎಸಿ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ, ಬರ್ಕ್‌ಲಿಯಲ್ಲಿರುವ ಕ್ಯಾಲಿಫೋರ್ನಿಯಾ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯ ಮತ್ತು ಟೆಕ್ಸಾಸ್ ಎ & ಎಂ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳ ಜಂಟಿ ಗುಂಪು ಈ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದೆ. ಜರ್ನಲ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಟವಾದ ಡೇಟಾ .
ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಟಂಗ್‌ಸ್ಟನ್ ಡಿಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಎಂಬ 2D ಲೋಹದ ಸ್ಟ್ಯಾಕ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಯೋಗಗಳ ಸರಣಿಯನ್ನು ನಡೆಸಿದರು. ಸ್ಟಾಕ್‌ನಲ್ಲಿರುವ 2D ಲೋಹದ ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಪದರವು ಮೂರು ಪರಮಾಣುಗಳ ದಪ್ಪವಾಗಿದ್ದು, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಅತ್ಯಂತ ದಟ್ಟವಾದ ರೆಕಾರ್ಡಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಭರವಸೆ ನೀಡುತ್ತದೆ. ಸ್ಟಾಕ್‌ಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ ಶಕ್ತಿಯು ಪದರಗಳ ಸ್ಟಾಕ್ನಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿ ಬೆಸ ಪದರದ ಜಾರುವಿಕೆಗೆ (ಸ್ಥಳಾಂತರಕ್ಕೆ) ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಪ್ರಯೋಗಗಳು ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸಿವೆ. ಇದು ಎಷ್ಟು ಬೇಗನೆ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದರೆ ಆವಿಷ್ಕಾರವು ಅತ್ಯಂತ ಉನ್ನತ-ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಸೃಷ್ಟಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು, ಇದು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಇಲ್ಲದೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಬಹುದು (ಬಾಷ್ಪಶೀಲವಲ್ಲದ).
ಸ್ಟಾಕ್ನಲ್ಲಿ ಲೋಹದ ಪದರವನ್ನು ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ರೆಕಾರ್ಡಿಂಗ್ ಮಾಹಿತಿ (ಶೂನ್ಯ ಅಥವಾ ಒಂದು) ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಪದರದ ಸ್ಥಳಾಂತರವು ಸ್ಥಳಾಂತರಗೊಂಡ ಪದರಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ 2D ಲೋಹಗಳ ಮೇಲಿನ ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ಪದರಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ಚಲನೆಯಲ್ಲಿ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಈ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಓದಲು, ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಎಂಬ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸುತ್ತಾರೆ . ಇದು ವಸ್ತುವಿನೊಳಗೆ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಆಗಿದೆ, ಇದು ಚಾರ್ಜ್ಡ್ ಕಣಗಳು ಸ್ಫಟಿಕ ಜಾಲರಿಯೊಳಗೆ ಚಲಿಸಿದಾಗ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ.
ಪ್ರಯೋಗದ ವಿವರಣೆಯ ಮೂಲಕ ನಿರ್ಣಯಿಸುವುದು, 2D ಲೋಹಗಳ ಸ್ಟ್ಯಾಕ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದಾದ ಪದರಗಳ ಮೇಲಿನ ಸ್ಮರಣೆಯು ಬಹಳ ದೂರದ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಾಗಿದೆ. ಆದರೆ ನಿರೀಕ್ಷೆಯು ಬಹಳ ಪ್ರಲೋಭನಕಾರಿಯಾಗಿದೆ, ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಶೇಖರಣೆಗಾಗಿ 100 ಪಟ್ಟು ವೇಗವಾದ ಡೇಟಾ ರೆಕಾರ್ಡಿಂಗ್ ಭರವಸೆ ನೀಡುತ್ತದೆ. ದಾರಿಯುದ್ದಕ್ಕೂ, ಹಲವಾರು ಪ್ರಯೋಗಗಳನ್ನು ಮಾಡಬೇಕಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ವಸ್ತುಗಳ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬೇಕು.
ಮೂಲ:
ಮೂಲ: 3dnews.ru