Согласно официальному утверждению IBM, магниторезистивную память MRAM изобрели в компании в 1996 году. Разработка появилась после изучения тонкоплёночных структур для магнитных пластин и магнитных головок жёстких дисков. Обнаруженный инженерами компании эффект магнитных туннельных переходов подтолкнул к мысли использовать явление для организации ячеек полупроводниковой памяти. Сначала память MRAM компания IBM разрабатывала вместе с Motorola. Затем лицензии были проданы компаниям Micron, Toshiba, TDK, Infineon и массе других компаний. К чему этот экскурс в историю? Оказалось, что обширными патентами на технологии производства MRAM обладает компания Seagate ― один из двух оставшихся в мире производителей жёстких дисков.
Вчера компания Seagate , что между ней и компанией Everspin Technologies заключено обширное перекрёстное лицензионное соглашение об обмене патентами и лицензировании. Утверждается, что Seagate и Everspin каждая потратила годы на исследования и разработки, которые будут крайне полезны каждой из противоположной сторон. Так, Seagate передала компании Everspin права на использование собственных разработок в области MRAM, а Everspin разрешила компании Seagate использовать свои технологии в области производства магнитных головок на основе туннельного магниторезистивного эффекта (Tunneling Magneto Resistance, TMR).
В сущности, Seagate и Everspin привели в соответствие патентную базу, которая может помочь каждой из них продвинуться в своих областях. Лицензии Everspin помогут Seagate совершенствовать магнитные головки для жёстких дисков, а лицензии Seagate не будет чинить препятствия Everspin при разработке и производстве MRAM. В августе компания Everspin как раз массовый выпуск 1-Гбит микросхем STT-MRAM и возможные лицензионные споры с Seagate только навредили бы этой пока ещё слабо развитой области производства полупроводниковой памяти.
ಮೂಲ: 3dnews.ru