ತೈವಾನ್‌ನ ಉದ್ಯಮದ ಮೂಲಗಳ ಪ್ರಕಾರ, ಇದು ಇಂಟರ್ನೆಟ್ ಸಂಪನ್ಮೂಲ ಡಿಜಿಟೈಮ್ಸ್, ಚೈನೀಸ್ ಮೆಮೊರಿ ತಯಾರಕ ಚಾಂಗ್‌ಕ್ಸಿನ್ ಮೆಮೊರಿ ಟೆಕ್ನಾಲಜೀಸ್ (ಸಿಎಕ್ಸ್‌ಎಂಟಿ) LPDDR4 ಮೆಮೊರಿಯ ಸಾಮೂಹಿಕ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸಾಲುಗಳನ್ನು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸುವಲ್ಲಿ ಪೂರ್ಣ ಸ್ವಿಂಗ್‌ನಲ್ಲಿದೆ. Innotron Memory ಎಂದೂ ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ChangXin, 19nm ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ತನ್ನದೇ ಆದ DRAM ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದೆ ಎಂದು ಹೇಳಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಅದರ ಮೊದಲ 300 ಎಂಎಂ ಎಂಟರ್‌ಪ್ರೈಸ್‌ನಲ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿಯ ವಾಣಿಜ್ಯ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ, ಚಾಂಗ್‌ಕ್ಸಿನ್ ಮಾಡಬೇಕಾಗಿತ್ತು 2019 ರ ಮೊದಲಾರ್ಧದಲ್ಲಿ. ಅಯ್ಯೋ, ಇದು ಇನ್ನೂ ಸಂಭವಿಸಿಲ್ಲ. ಆದರೆ 8-Gbit DDR4 LPDDR4 ಚಿಪ್‌ಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಪ್ರಾರಂಭವು ತಿಂಗಳಿಗೆ 20 ಸಾವಿರ 300-nm ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ಗಳಿಗೆ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ವಿಸ್ತರಣೆಯೊಂದಿಗೆ ಇರುತ್ತದೆ. ChangXin ಎಂಟರ್‌ಪ್ರೈಸ್‌ನಲ್ಲಿನ ರೇಖೆಗಳ ಗರಿಷ್ಠ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ತಿಂಗಳಿಗೆ 125 ಸಾವಿರ 300 ಎಂಎಂ ಬಿಲ್ಲೆಗಳನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ. ಆದರೆ ಇದು ಕೂಡ ಮಿತಿಯಲ್ಲ. 300 ಎಂಎಂ ಮೆಮೊರಿ ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೊಳಿಸಲು ಮುಂದಿನ ವರ್ಷ ಎರಡನೇ ಸ್ಥಾವರವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುವುದಾಗಿ ಕಂಪನಿ ಹೇಳಿದೆ.
ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಈ ಚೀನೀ ತಯಾರಕರು ವಿಭಿನ್ನ ರೀತಿಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಎದುರಿಸಬಹುದು. DRAM ಮೆಮೊರಿಯ ಬೃಹತ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಲು ಹೊರಟಿದ್ದ ಮೊದಲ ಚೀನೀ ಕಂಪನಿ ಫುಜಿಯಾನ್ ಜಿನ್ಹುವಾ ಎಂದು ನಾವು ನೆನಪಿಸಿಕೊಳ್ಳೋಣ. ಅಮೇರಿಕನ್ ಪಾಲುದಾರರಿಂದ ಉತ್ಪಾದನಾ ಉಪಕರಣಗಳನ್ನು ಖರೀದಿಸುವ ನಿಷೇಧದೊಂದಿಗೆ USA. ತೈವಾನ್‌ನಲ್ಲಿ, ಫುಜಿಯಾನ್‌ನಂತೆಯೇ ಚಾಂಗ್‌ಕ್ಸಿನ್ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಎದುರಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಅವರು ನಂಬುತ್ತಾರೆ. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಇದು ಜಪಾನೀಸ್ ಎಲ್ಪಿಡಾದ ಹಿಂದಿನ ತೈವಾನೀಸ್ ಅಂಗಸಂಸ್ಥೆಯಿಂದ ಅರ್ಹ ಎಂಜಿನಿಯರ್‌ಗಳನ್ನು ನೇಮಿಸಿಕೊಂಡಿತು, ಅವರ ವ್ಯವಹಾರವನ್ನು ಅಮೇರಿಕನ್ ಮೈಕ್ರಾನ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಿತು. ವಿಶ್ಲೇಷಕರು ಮೈಕ್ರಾನ್‌ನಿಂದ ಚಾಂಗ್‌ಕ್ಸಿನ್ ವಿರುದ್ಧ ಹಕ್ಕುಗಳನ್ನು ನಿರೀಕ್ಷಿಸುತ್ತಾರೆ ಮತ್ತು ಚೀನಾದ ಕಡೆಯವರು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸದಿದ್ದರೆ ನಿರ್ಬಂಧಗಳು.
ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ, ChangXin 17 nm ಮಾನದಂಡಗಳೊಂದಿಗೆ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ತಾಂತ್ರಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸುತ್ತಿದೆ. 2021 ರಲ್ಲಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಪೂರ್ಣಗೊಳ್ಳುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ. ಬಹುಶಃ, ಎರಡನೇ ChangXin ಸ್ಥಾವರವು ಈ ಮಾನದಂಡಗಳೊಂದಿಗೆ DRAM ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಯೊಂದಿಗೆ ಕೆಲಸವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತದೆ. ಸಹಜವಾಗಿ, US ನಿರ್ಬಂಧಗಳು ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರಾನ್‌ನ ಕುತಂತ್ರಗಳು ಅವಳ ದಾರಿಯಲ್ಲಿ ದುಸ್ತರ ಅಡಚಣೆಯಾಗದ ಹೊರತು.
ಮೂಲ: 3dnews.ru