SK하이닉스, 중국에 D램 메모리 신규 생산라인 가동

18월 XNUMX일 목요일, 이석희 SK하이닉스 전무이사가 주한대한민국영사관 직원들과 당 지도부, 장쑤성 지도자들이 참석한 가운데 엄숙히 참석한 가운데 이석희 SK하이닉스 상무가 이같이 말했다. 가동시키다 중국 생산 현장에 새로운 공장 건물을 짓고 있습니다. 이곳은 C2 Fab 회사 옆 우시 근처의 C2F 공장입니다. C2 Fab는 SK하이닉스가 처음으로 300mm 실리콘 웨이퍼를 수용하는 시설이다. 회사는 이 웨이퍼를 이용해 중국에서 DRAM형 메모리 생산을 시작했다.

우시공장은 2006년부터 제품 생산을 시작했다. 기술 프로세스가 개선됨에 따라 장비는 점점 더 복잡해졌습니다. 새로운 스캐너와 기술 프로세스를 위해서는 추가 장비 형태로 인프라를 확장해야 했습니다. 따라서 클린룸 면적 측면에서 생산량이 감소하고 기업의 작업 영역을 확장해야 할 필요성이 대두되었습니다. 그래서 2016년에는 계획이 나왔다 나중에 C2F로 알려지게 된 새 건물을 짓습니다.

2017년부터 2018년까지 C2F에 대한 투자액은 950억 원(790억 XNUMX만 달러)에 달합니다. 새 건물에서는 클린룸의 일부만 완료되었다는 점에 유의해야 합니다. 회사는 완성된 라인의 능력을 공개하지 않으며, 나머지 부분의 가동 시기도 구체적으로 밝히지 않는다. 올해는 D램 도매가격 하락세로 인해 SK하이닉스가 이 프로젝트에 대한 투자를 중단할 것으로 추정된다. 어쨌든 분석가들은 배고 있다 바로 이 시나리오입니다. 양사는 이르면 올해 하반기, 이르면 내년부터 메모리 생산능력 확대를 위한 자금조달 사업을 재개할 계획이다.

C2F 단지는 316m180 면적에 측면 51×58m, 높이 000m의 단일 건물로 설계됐다. C2 Fab 건물의 크기는 비슷합니다. C2 공장이 매달 최대 2개의 직경 130mm 웨이퍼를 처리할 수 있을 것으로 추정되지만 확실하지는 않습니다. 새 작업장의 최대 수용력은 이 값과 비슷하거나 비슷할 것으로 예상할 수 있습니다.

출처 : 3dnews.ru