중국 3D NAND용 Xtacking 기술 XNUMX차 버전 준비

방법 сообщают 중국 통신사인 Yangtze Memory Technologies(YMTC)는 다층 3D NAND 플래시 메모리 생산을 최적화하기 위해 독자적인 Xtacking 기술의 두 번째 버전을 준비했습니다. Xtacking 기술은 작년 XNUMX월 연례 Flash Memory Summit 포럼에서 발표되었으며 "플래시 메모리 분야에서 가장 혁신적인 스타트업" 부문에서 상을 받기도 했습니다.

물론 수십억 달러의 예산을 가진 기업을 스타트업이라고 부르는 것은 분명히 회사를 과소평가하는 것이지만, 솔직히 말해서 YMTC는 아직 대량으로 제품을 생산하지 않습니다. 회사는 3Gbit 128층 메모리 생산을 시작하는 올해 말에 64D NAND의 대량 상용 공급으로 전환할 예정이며, 이는 동일한 혁신적인 Xtacking 기술의 지원을 받게 될 것입니다.

최근 보고서에 따르면 최근 GSA Memory+ 포럼에서 Yangtze Memory CTO Tang Jiang은 Xtacking 2.0 기술이 2019월에 발표될 것이라고 인정했습니다. 아쉽게도 회사의 기술 책임자가 새로운 개발에 대한 세부 사항을 공유하지 않았기 때문에 2.0월까지 기다려야 합니다. 과거 사례에서 알 수 있듯이 회사는 끝까지 비밀을 유지하고 Flash Memory Summit XNUMX가 시작되기 전에 Xtacking XNUMX에 대해 흥미로운 내용을 배울 가능성이 없습니다.

Xtacking 기술 자체의 목표는 세 가지였습니다. 렌더링하다 3D NAND 및 이를 기반으로 한 제품 생산에 결정적인 영향을 미칩니다. 이는 플래시 메모리 칩의 인터페이스 속도, 기록 밀도의 증가 및 신제품 출시 속도입니다. Xtacking 기술을 사용하면 3D NAND 칩의 메모리 어레이와의 교환 속도를 1~1,4Gbit/s(ONFi 4.1 및 ToggleDDR 인터페이스)에서 3Gbit/s로 높일 수 있습니다. 칩의 용량이 커짐에 따라 교환 속도에 대한 요구 사항도 높아질 것이며 중국인은 이 분야에서 가장 먼저 돌파구를 마련하기를 희망합니다.

기록 밀도를 높이는 데에는 또 다른 장애물이 있습니다. 3D NAND 칩에는 메모리 어레이뿐만 아니라 주변 장치 제어 및 전원 회로도 존재합니다. 이러한 회로는 메모리 어레이에서 사용 가능한 영역의 20~30%를 차지하고 128Gbit 칩에서는 칩 표면의 50%를 차지합니다. Xtacking 기술의 경우 메모리 어레이는 자체 칩에서 생산되고 제어 회로는 다른 칩에서 생산됩니다. 크리스탈은 전적으로 메모리 셀 전용이며, 칩 조립의 마지막 단계에서 제어 회로는 메모리가 있는 크리스탈에 부착됩니다.

또한 별도의 제조 및 후속 조립을 통해 맞춤형 메모리 칩과 벽돌처럼 올바른 조합으로 조립되는 맞춤형 제품을 더 빠르게 개발할 수 있습니다. 이 접근 방식을 통해 우리는 전체 개발 시간 3~12개월 중 맞춤형 메모리 칩 개발을 최소 18개월 단축할 수 있습니다. 유연성이 커진다는 것은 고객의 관심이 높아지는 것을 의미하며, 이는 젊은 중국 제조업체가 공기처럼 필요로 하는 것입니다.

출처 : 3dnews.ru