연말에 중국 제조업체인 ChangXin Memory는 8Gbit LPDDR4 칩 생산을 시작할 예정입니다.

대만 업계 소식통에 따르면 ~을 지칭하다 인터넷 자료 디지타임즈(DigTimes)에 따르면 중국 메모리 제조사 창신메모리테크놀로지스(CXMT)가 LPDDR4 메모리 양산 준비 라인을 본격화하고 있다. Innotron Memory로도 알려진 ChangXin은 19nm 기술을 사용하여 자체 DRAM 생산 공정을 개발했다고 합니다.

ChangXin은 최초의 300mm 기업에서 메모리를 상업적으로 생산하기 위해 다음을 수행해야 했습니다. 시작한다 2019년 상반기에. 아아, 이런 일은 아직 일어나지 않았습니다. 그러나 8Gbit DDR4 LPDDR4 칩 생산이 시작되면 용량이 월 20개의 300nm 실리콘 웨이퍼로 확장됩니다. ChangXin 기업의 최대 라인 용량은 월간 125mm 웨이퍼 300개에 이릅니다. 그러나 이것도 한계가 아닙니다. 회사는 내년에 300mm 메모리 웨이퍼를 처리하기 위한 두 번째 공장 건설을 시작할 것이라고 밝혔습니다.

동시에 이 중국 제조업체는 다른 종류의 문제에 직면할 수도 있습니다. DRAM 메모리 대량 생산을 시작한 최초의 중국 회사는 Fujian Jinhua였습니다. 제재 목록에 포함됐다 미국은 미국 파트너로부터 생산 장비 구매를 금지합니다. 대만에서는 ChangXin이 Fujian과 동일한 문제에 직면할 것이라고 믿고 있습니다. 또한 미국 마이크론에 사업이 흡수된 일본 엘피다의 전 대만 자회사에서 자격을 갖춘 엔지니어를 채용했습니다. 분석가들은 마이크론이 창신을 상대로 소송을 제기하고 중국 측이 이에 응하지 않을 경우 제재를 가할 것으로 예상하고 있다.

이와 동시에 ChangXin은 17nm 표준으로 메모리를 생산하기 위한 기술 프로세스를 개발하고 있습니다. 개발 완료는 2021년으로 예상된다. 아마도 두 번째 ChangXin 공장에서는 이러한 표준에 맞는 DRAM 크리스탈 생산 작업을 시작할 것입니다. 물론 미국의 제재와 마이크론의 계략이 그녀의 길에 극복할 수 없는 장애물이 되지 않는 한 말이다.

출처 : 3dnews.ru