삼성, 빠르고 대용량 HBM2E 메모리 스택 출시

삼성전자는 GPU 기술 컨퍼런스에서 플래시볼트(Flashbolt)라고 불리는 새로운 고대역폭 메모리(HBM) 스택을 공개했습니다. 이 메모리는 HBM2E 메모리라고 불리며, 기본적으로 현재 HBM2 메모리의 개선되고 빠른 버전입니다.

이는 핀당 2Gbps의 처리량을 제공할 수 있는 최초의 HBM3,2E 스택으로, 기존 HBM33 칩의 최대 처리량보다 2% 더 높습니다. 또한, 새로운 유형의 메모리는 크리스털당 16Gbit로 용량이 두 배나 커졌습니다. 단일 HBM2E 메모리 스택은 16개의 다이로 구성되어 총 용량이 무려 410GB에 달합니다. 결과적으로 하나의 Flashbolt 스택의 처리량은 인상적인 XNUMXGB/s에 도달할 수 있습니다. 이처럼 높은 성능 덕분에 이 새로운 메모리는 고성능 컴퓨팅과 강력한 그래픽 가속기 모두에 적합한 탁월한 솔루션이 되었습니다.

삼성 자체에서도 언급했듯이, 플래시볼트 메모리는 업계 최고 수준의 성능을 자랑하며, 향상된 솔루션 개발을 가능하게 할 것입니다. 데이터 센터 차세대 AI, 머신러닝 및 그래픽 애플리케이션을 위해 삼성은 프리미엄 DRAM 포트폴리오를 지속적으로 확장하고 고성능, 대용량 및 저전력 메모리 제품을 강화하여 시장 수요를 충족할 것입니다.

출처 : 3dnews.ru