Veguheztina ji silicon berbi nîvconduktorên bi bandgapek fireh (galium nitride, silicon carbide û yên din) dikare frekansên xebitandinê bi girîngî zêde bike û karîgeriya çareseriyan baştir bike. Ji ber vê yekê, yek ji deverên hêvîdar ên serîlêdana çîp û transîstorên berfereh ragihandin û radar in. Elektronîkên li ser bingeha çareseriyên GaN-ê "ji şîn" zêdebûnek hêzê û berfirehkirina rêza radaran peyda dike, ku artêşê tavilê jê sûd werdigire.
Şirketa Lockheed Martin ku yekem yekîneyên radarê yên mobîl (radar) yên ku li ser bingeha elektronîkî bi hêmanên galium nitride ve hatine radest kirin ji leşkerên Amerîkî re. Şîrket tiştek nû dernexistiye holê. Radarên berberî yên AN/TPQ-2010, ku ji sala 53-an vir ve hatine pejirandin, veguheztin bingeha elementa GaN. Ev yekem û heya nuha yekane radara nîvconductor-a fireh e li cîhanê.
Radara AN/TPQ-53 bi guheztina pêkhateyên GaN-ê yên aktîf, rayeya tespîtkirina çeperên girtî yên topavêj zêde kir û şiyana şopandina hemwext hedefên hewayî bi dest xist. Bi taybetî radara AN/TPQ-53 li dijî dronên ku di nav wan de wesayitên biçûk jî hebûn dest pê kir. Tespîtkirina çeperên topavêjên nixumandî hem di sektora 90-pileyî de hem jî bi dîmenek 360-pileyî ya tev-dorê dikare were kirin.
Lockheed Martin tekane dabînkerê radarên xêzkirina qonaxên çalak (rûpela qonax) ji artêşa Dewletên Yekbûyî re ye. Veguhastina bingeha hêmanên GaN dihêle ku ew di warê çêtirkirin û hilberîna sazkirinên radarê de li ser serokatiya dirêj-dirêj hesab bike.
Source: 3dnews.ru