Me ji carekê zêdetir diyar kir ku dabînkirina elektrîkê dibe "her tiştê me". Elektronîkên mobîl, wesayîtên elektrîkê, înterneta tiştan, hilanîna enerjiyê û hêj bêtir pêvajoya dabînkirina hêzê û veguheztina voltajê di elektronîk de cîhên herî girîng ên yekem tîne. Teknolojiya hilberîna çîp û hêmanên veqetandî bi karanîna materyalên wekî (GaN). Di heman demê de, kes wê rastiyê napejirîne ku çareseriyên entegre hem ji hêla tevliheviya çareseriyan û hem jî ji hêla teserûfa drav li ser sêwirandin û hilberînê de ji yên veqetandî çêtir in. Di van demên dawî de, di konferansa PCIM 2019 de, lêkolînerên ji navenda Belçîkî Imec eşkere ku dabînkirina hêzê ya yek-çîp (veguheztin) ku li ser bingeha GaN-ê ye, qet ne çîroka zanistî ye, lê mijarek pêşerojek nêzîk e.
Bi karanîna galium nitride li ser teknolojiya silicon li ser waferên SOI (silicon on insulator), pisporên Imec veguherînerek nîv-pira yek-çîp çêkirin. Ev yek ji sê vebijarkên klasîk e ji bo girêdana guhêrbarên hêzê (transîstor) da ku veguhezerên voltajê biafirînin. Bi gelemperî, ji bo cîbicîkirina dorpêçek, komek hêmanên veqetandî têne girtin. Ji bo bidestxistina tevliheviyek diyar, komek hêman jî di yek pakêtek hevpar de tê danîn, ku vê rastiyê naguhezîne ku çerx ji hêmanên kesane hatî berhev kirin. Belçîkîyan karîbûn hema hema hemî hêmanên nîv-pirekê li ser yek krîstalek nûveber bikin: transîstor, kondensator û berxwedêr. Çareseriyê mimkun kir ku bi kêmkirina hejmarek diyardeyên parazît ên ku bi gelemperî bi çerxên veguheztinê re têkildariya veguheztina voltajê zêde bike.
Di prototîpa ku di konferansê de hate destnîşan kirin, çîpa GaN-IC ya yekbûyî voltaja têketinê ya 48 volt veguherand voltaja derketinê ya 1-volt a bi frekansa veguheztinê ya 1 MHz. Dibe ku çareserî pir biha xuya bike, nemaze ku karanîna SOI wafers dihesibîne, lê lêkolîner tekez dikin ku asta bilind a entegrasyonê ji mesrefan bêtir kêm dike. Hilberîna inverteran ji pêkhateyên veqetandî dê ji hêla pênasê ve bihatir be.
Source: 3dnews.ru