Li gorî pêşbîniyên şirketa analîtîk , bazara nîvconduktorên hêzê yên li ser bingeha SiC (karbîd silicon) û GaN (nîtrîd galium) dê di sala 2021-an de ji 1 milyar dolarî derbas bibe, ji ber daxwaziya wesayîtên elektrîkî, dabînkirina hêzê û veguherînerên fotovoltaîk. Ev tê vê wateyê ku dabînkirina hêzê û veguherîner dê piçûktir û siviktir bibin, hem ji bo wesayîtên elektrîkî hem jî ji elektronîk re dirêjtir peyda bikin.
Li gorî encamên îsal, wekî ku Omdia pêşbînî dike, bazara hêmanên SiC û GaN dê biha bibe 854 mîlyon dolar. Ji bo berhevdanê, di sala 2018-an de bazara nîvconduktorên hêza "ne-silicon" bi nirxê 571 mîlyon dolar bû. Bi vî rengî, di sê salan dê hema hema du qat zêdebûnek di nirxê bazarê de çêbibe, ku ev yek hewcedariya lezgîn ji van pêkhateyan re nîşan dide.
Nîvconduktorên hêzê yên ku li ser bingeha silicon carbide û galium nitride têne çêkirin, gengaz dike ku ji bo dabînkirina hêzê û veguherîneran ji bo herikîna di navberek fireh de dîod, transîstor û mîkrocircuits hilberînin. Ji bo zêdekirina rêjeya wesayitek elektrîkî an jî zêdekirina jiyana bateriya têlefonek têlefonê, ne tenê pêdivî bi bataryayên nûjen û jêhatî, lê di heman demê de nîvconductors jî hene ku di pêvajoyên derbasbûyî û çerxên navîn de enerjiyê winda nakin.
Tê payîn ku dahata ji bo hilberînerên hucreyên SiC û GaN her sal ji bo deh salên mayî bi du hejmar zêde bibe, di sala 2029-an de bigihîje 5 mîlyar dolar.
Source:
Source: 3dnews.ru