Бүгүн эртең менен Түштүк Кореянын Сеул шаарында Intel эстутум жана катуу диск рыногундагы келечектеги пландарга арналган “Эс тутум жана сактоо күнү 2019” иш-чарасын өткөрдү. Ал жерде компаниянын өкүлдөрү келечектеги Optane моделдери, беш биттик PLC NAND (Penta Level Cell) өнүгүүсүндөгү прогресс жана башка келечектүү технологиялар тууралуу айтып беришти, алар жакынкы жылдарда алдыга жылдырууну пландаштырууда. Intel ошондой эле узак мөөнөттүү келечекте рабочий компьютерлерде туруксуз оперативдүү эстутумду киргизүү каалоосу жана бул сегмент үчүн тааныш SSD дисктеринин жаңы моделдери жөнүндө айтты.
Учурдагы өнүгүүлөр жөнүндө Intel презентациясынын эң күтүлбөгөн бөлүгү PLC NAND жөнүндө окуя болду - флеш эс тутумдун дагы тыгыз түрү. Компания акыркы эки жылдын ичинде дүйнөдө өндүрүлгөн маалыматтардын жалпы көлөмү эки эсеге көбөйгөнүн баса белгилейт, ошондуктан төрт биттик QLC NAND негизиндеги дисктер мындан ары бул көйгөйдү жакшы чече албай калды - тармакка жогорураак варианттар керек. сактоо тыгыздыгы. Чыгуу Penta-Level Cell (PLC) флеш эс тутуму болушу керек, анын ар бир клеткасы бир эле учурда беш бит маалыматтарды сактайт. Ошентип, флеш эс тутум түрлөрүнүн иерархиясы жакында SLC-MLC-TLC-QLC-PLC сыяктуу көрүнөт. Жаңы PLC NAND SLC менен салыштырганда беш эсе көп маалыматтарды сактай алат, бирок, албетте, төмөн аткаруу жана ишенимдүүлүк менен, анткени контролер беш битти жазуу жана окуу үчүн клетканын зарядынын 32 ар кандай абалын айырмалоого туура келет. .
Белгилей кетсек, Intel дагы тыгызыраак флеш-эстутум жасоого умтулууда жалгыз эмес. Toshiba ошондой эле август айында өткөн Flash Memory саммитинде PLC NAND түзүү пландары жөнүндө айтып берди. Бирок, Intelдин технологиясы бир топ айырмаланат: компания калкып жүрүүчү эстутумдун клеткаларын колдонот, ал эми Toshibaнын конструкциялары заряд тузагына негизделген клеткалардын айланасында курулган. Маалыматты сактоо тыгыздыгынын өсүшү менен калкып жүрүүчү дарбаза эң жакшы чечим болуп көрүнөт, анткени ал клеткалардагы заряддардын өз ара таасирин жана агымын азайтат жана маалыматтарды азыраак каталар менен окууга мүмкүндүк берет. Башкача айтканда, Intelдин дизайны тыгыздыкты жогорулатуу үчүн ылайыктуу, бул ар кандай технологияларды колдонуу менен жасалган коммерциялык QLC NAND тестинин натыйжалары менен тастыкталат. Мындай тесттер калкыма дарбазага негизделген QLC эстутум клеткаларындагы маалыматтардын бузулушу заряд тузагы бар QLC NAND клеткаларына караганда эки-үч эсе жайыраак болорун көрсөтүп турат.
Ушунун фонунда Micron өзүнүн флэш-эстутумун иштеп чыгууну Intel менен бөлүшүүнү чечкени жөнүндө маалымат, башка нерселер менен катар, зарядды кармоочу клеткаларды колдонууга өтүүнү каалагандыктан, абдан кызыктуу көрүнөт. Intel оригиналдуу технологияга берилгендигин сактайт жана аны бардык жаңы чечимдерге системалуу түрдө киргизет.
Азырынча иштелип жаткан PLC NANDдан тышкары, Intel башка, арзаныраак технологияларды колдонуу менен флэш эстутумда маалыматтын сакталышынын тыгыздыгын жогорулатууга ниеттенүүдө. Атап айтканда, компания 96-катмар QLC 3D NAND массалык өндүрүшкө жакын арада өтүү ырастады: ал жаңы керектөө дискте колдонулат .
Андан кийин 144 катмарлуу QLC 3D NAND өндүрүшүн өздөштүрүү менен коштолот - ал келерки жылы өндүрүштүк дисктерге жетет. Кызык, Intel азырынча монолиттүү кристаллдарды үч жолу ширетүүнү колдонуу ниетин четке кагып келет, ошондуктан 96-кабаттуу дизайн эки 48-катмар кристаллдын вертикалдуу чогулушун камтыса, 144-кабаттуу технология, кыязы, 72-кабатка негизделет. "жарым фабрикаттар".
QLC 3D NAND кристаллдарындагы катмарлардын санынын көбөйүшү менен бирге, Intel иштеп чыгуучулары кристаллдардын сыйымдуулугун дагы жогорулатууну көздөшпөйт. 96- жана 144-кабаттуу технологиялардын негизинде, ошол эле терабит кристаллдары биринчи муундагы 64-кабаттуу QLC 3D NAND сыяктуу чыгарылат. Бул алгылыктуу аткаруу деңгээли менен анын негизинде SSDдерди камсыз кылуу каалоосу менен шартталган. 144-катмар эс тутумун колдонгон биринчи SSD'лер Arbordale+ сервердик дисктери болот.
Source: 3dnews.ru