Кубаттуу жарым өткөргүчтөр бир тепкичке көтөрүлөт. Кремнийдин ордуна галлий нитриди (GaN) колдонулат. GaN инверторлору жана энергия булактары 99% га чейин эффективдүү иштеп, электр станцияларынан электр энергиясын сактоо жана колдонуу системаларына чейин энергетикалык системаларга эң жогорку эффективдүүлүктү камсыз кылат. Жаңы рыноктун лидерлери АКШ, Европа жана Япониядан келген компаниялар. Эми бул аймакка Кытайдан келген биринчи компания.
Жакында кытайлык ROCK гаджет өндүрүүчүсү “кытай чипинде” тез кубаттоону колдогон биринчи заряддагычты чыгарды. Жалпысынан кадимки чечим Inno Science компаниясынын InnoGaN сериясынын GaN кубаттуулугуна негизделген. Чип компакт энергия булактары үчүн стандарттуу DFN 8x8 форма факторунда жасалган.
2W ROCK 1C65AGaN заряддагыч Apple 61W PD кубаттагычына караганда компакттуу жана функционалдык (жогорку сүрөттө салыштыруу). Кытай заряддагыч бир эле учурда эки USB Type-C жана бир USB Type-A интерфейси аркылуу үч түзмөктү кубаттай алат. Келечекте ROCK кытайлык GaN топтомдоруна 100 жана 120 Вт кубаттуулуктагы тез заряддагычтардын версияларын чыгарууну пландаштырууда. Андан тышкары 10го жакын кытайлык заряддоочу түзүлүштөрдү жана энергия булактарын өндүрүүчү GaN кубаттуу элементтерин өндүрүүчү Inno Science менен кызматташат.
Кытай компанияларынын жана, атап айтканда, Inno Science компаниясынын GaN кубаттуулук компоненттери жаатындагы изилдөөлөрү Кытайдын ушуга окшош чечимдерди чет өлкөлүк жеткирүүчүлөрдөн көз карандысыздыгына алып келүүгө багытталган. Inno Science өзүнүн өнүгүү борборуна жана сыноо чечимдеринин толук циклине ээ лабораторияга ээ. Бирок андан да маанилүүсү, анын 200 мм пластинкаларында GaN чечимдерин чыгаруу үчүн эки өндүрүш линиясы бар. Дүйнө үчүн, ал тургай Кытай рыногу үчүн бул океандагы тамчы. Бирок бир жерден баштоо керек.
Source: 3dnews.ru