Galli septimum gradum GAA transitorem crastinum praesentaverunt
Diu nullum secretum fuit quod cum 3nm processu technologiae transistores movebunt ab verticali "pin" FinFET canales ad canales nanopage horizontales circumclusi portis vel GAA (porta-all-circa). Hodie, institutum Gallicum CEA-Leti ostendit quomodo processus fabricandi FinFET transistor multi gradus transistores GAA producere possunt. Et conservans continuitatem processuum technicorum certum fundamentum est celeris mutationis. Pro VLSI Technologia & Circuitibus Symposii […]