Nokia Electronics pergit in 10 um genus processus technicae artis dare. Hoc tempore, sicut XVI mensis post initium productionis massae memoriae DDR16 utens secundae generationis 4nm classium (10y-nm) processus technologiae, opifex Coreanus Meridianus progressus memoriam DDR1 perfecit, utens tertia generatione 4 um classium ( 10z-um) processum amplificat. Gravis est quod tertia-generatio 1nm classium adhuc utitur lisn 10nm lithographia et non innititur in low-peractionibus EUV scanneribus. Hoc significat transitum ad productionem memoriae molis utentis technologiae 193z-nm processuum relative velox et sine significativis oeconomicis sumptibus ad lineas reparandas.
Societas massarum productionem 8-Gbit DDR4 incipiet utens technicae processuum 1z-nm 10 classis in media parte huius anni. Ut norma facta est cum transitus ad technologiam 20nm processuum, Samsung notiones exactas processus technologiae non indicat. Supponitur quod societas 1x-um 10-um classis technicae processus 18-nm signis occurrit, processus 1y-um obvium 17- vel 16-um signa, ac novissimum 1z-um 16- vel 15-um signa obvium; fortasse usque ad 13 nm. Utcumque, reducendo scalam processus technici, iterum proventus crystallorum ex uno lagano, sicut Samsung admittit, 20% auget. In posterum haec societas permittet novam memoriam viliorem vel meliorem marginem vendere donec competitores similes effectus in productione consequantur. Sed parum trepida est Samsung 1z-nm 16 Gbit DDR4 crystallum creare non potuit. Hoc innuere potest exspectationem aucti defectus quantitatis in productione.
Tertia generatio 10nm classium processus technologiae adhibens, societas prima erit ad memoriam et memoriam servo pro fine PCs summus. In posterum, technologiae 1z-nm 10nm classis aptabitur ad memoriam producendam DDR5, LPDDR5 et GDDR6. Servientes, machinis mobilibus et graphicis, citius ac minus memoriae famelicae plene utantur, quod facilior erit transitu ad signa productionis tenuiora.
Source: 3dnews.ru