Ut pluries relatum est, aliquid fieri debet cum transistore 5 um minor. Hodie, fabricatores chippis efficiunt solutiones antecedens utentes portas verticales FinFET. FinFET transistores adhuc produci possunt utentes 5-um et 4-um processuum technicorum (quaecumque haec signa significant), sed iam in scaena productionis III-um semiconductorum, structurae FinFET ut debent operari. Portae transistorum nimis parvae sunt et moderatio intentionis non sufficit ut transistores munus suum ut portae in circuitibus integris adimpleant pergant. Industria igitur et, praesertim, Samsung, a technologia 3nm processuum incipiens, transistorum productionem per anulum vel portas omnia circumiens GAA faciet. Cum recenti dimissione pressa, Samsung solum visualium infographicum obtulit de structura novorum transistorum et commoda utendi.
Ut supra in illustratione demonstratum est, signa fabricandi declinaverunt, portae e structuris planis evolutae sunt, quae unum spatium sub porta continere possent, ad canales verticales a porta tribus lateribus circumventos, et tandem propius ad canales portas cinctas. omnes quattuor partes. Tota haec via aucto comitatus est in portae area circa canalem moderatum, quae effecit ut potestatem transistorum reducere posset sine detrimento hodierni notae transistorum, propterea quod ad augmentum transistorum perficiendum. et decrementum lacus cursus. Hac de re, GAA transistores nova creationis corona fiet et notabilem retractationem CMOS processuum technologicorum non requiret.
Canales portae cincti produci possunt vel in forma pontium tenuium (nanowires) vel in forma pontium latorum vel nanopagiorum. Samsung nuntiat electionem suam in favorem nanopagiarum et petit ut suum progressum cum diplomatibus tueatur, quamvis has omnes structuras evolvit dum in societatem cum IBM et aliis societatibus adhuc init, exempli gratia, cum AMD. LG non novos transistores GAA vocabit, sed nomen proprietatis MBCFET (Multi Bridge Channel FET). Paginae canalis latae notabiles currentes praebebunt, qui difficile sunt consequi in canalibus canalibus nanoviae.
Transitus ad portas anulos etiam efficaciam energiae novarum structurarum transistoris emendare faciet. Hoc significat copiam intentionis ad transistores reduci posse. Ad structuras FinFET, societas vim conditionalem reductionem limen vocat 0,75 V. Transitus ad MBCFET transistores hunc limitem etiam deprimet.
Societas proximum commodum MBCFET transistorum vocat solutionum flexibilitate incredibili. Si igitur notae transistorum FinFET in scaena producendi modo discrete temperari possunt, certos oras in project cuiusque transistoris ponendo, circuitus cum MBCFET transistoribus designans assimilabitur optimae cuiusque rei. Et hoc valde simplex erit: satis erit eligere debitam latitudinem canalium nanopage, et hic modulus lineariter mutari potest.
Ad transistores MBCFET producendos, ut supra memoravimus, technologiae classicorum CMOS processus et instrumentum industriae in officinis inauguratum sine significantibus mutationibus apti sunt. Solus scaena laganae siliconis processus exiget modificationes minores, quae intellegibiles sunt, et omnes. Ex parte societatum contactus et stratorum metallizationis, ne mutandum quidem est.
In conclusione, Samsung primum dat descriptionem qualitativa incrementorum quae transitus ad technologiam 3nm processuum et transistores MBCFET secum afferet (declarare, Samsung non directe loquitur de technologia 3nm processuum, sed ante relatum est. technologiae 4nm processus adhuc FinFET transistores utuntur). Ita comparata ad 7nm FinFET processum technologiae, ad novam normam movens et MBCFET minutionem in phthisi praebebit, 50% incrementum in effectu et 30% minui in area chippis. Non « vel », sed totum. Quando hoc fiet? Fieri potest ut per finem MMXXI.
Source: 3dnews.ru