D'Fransousen hunn de siwen-Niveau GAA Transistor vu muer presentéiert
Et war laang kee Geheimnis datt mat der 3nm Prozesstechnologie Transistoren vu vertikalen "fin" FinFET Kanäl op horizontale Nanopage-Kanäl réckelen, komplett ëmgi vu Tore oder GAA (Gate-all-around). Haut huet de franséischen Institut CEA-Leti gewisen wéi FinFET Transistor Fabrikatiounsprozesser kënne benotzt ginn fir Multi-Level GAA Transistoren ze produzéieren. An d'Kontinuitéit vun technesche Prozesser erhalen ass eng zouverlässeg Basis fir séier Transformatioun. Fir de VLSI Technology & Circuits Symposium […]