Laut der IEEE Spectrum Websäit gouf vun Enn Februar bis Ufank Mäerz e Laboratoire am belsche Imec Zentrum zesumme mat der amerikanescher Firma KMLabs geschaf fir Problemer mat der Hallefleitfotolithographie ënner dem Afloss vun der EUV Stralung ze studéieren (an der ultra- schwéier ultraviolet Beräich). Et schéngt, wat ass hei ze studéieren? Neen, et gëtt e Sujet ze studéieren, mee firwat en neie Labo fir dëst opbauen? Samsung huet ugefaang 7nm Chips ze produzéieren mat deelweiser Notzung vun EUV Scanner viru sechs Méint. TSMC wäert geschwënn an dësem Effort matmaachen. Bis Enn vum Joer fänken déi zwee riskant Produktioun mat Normen vu 5 nm a sou weider. An awer ginn et Problemer, a si si seriös genuch, datt Äntwerten op Froen an de Laboratoiren gesicht ginn, an net an der Produktioun.
Den Haaptproblem an der EUV Lithographie bleift haut d'Qualitéit vum Photoresist. D'Quell vun der EUV-Stralung ass Plasma, net Laser, wéi dat de Fall ass mat eelere 193 nm Scanner. De Laser verdampft e Tropfen vu Bläi an engem gasfërmege Ëmfeld an déi entstinn Stralung emittéiert Photonen, deenen hir Energie 14 Mol méi héich ass wéi d'Energie vu Photonen a Scanner mat ultravioletter Stralung. Als Resultat gëtt de Photoresist net nëmmen op deene Plazen zerstéiert, wou e vu Photonen bombardéiert gëtt, mä och zoufälleg Feeler entstinn, ënner anerem duerch de sougenannte Fraktiounsgeräischereffekt. D'Energie vu Photonen ass ze héich. Experimenter mat EUV Scanner weisen datt Photoresists, déi nach ëmmer fäeg sinn mat 7 nm Standarden ze schaffen, am Fall vun der Fabrikatioun vun 5 nm Circuits e kriteschen héije Niveau vu Mängel weisen. De Problem ass sou eescht, datt vill Experten net un de séieren erfollegräiche Start vun der 5 nm Prozesstechnologie gleewen, fir net den Iwwergank op 3 nm an drënner ze ernimmen.
De Problem fir eng nei Generatioun vu Photoresist ze kreéieren gëtt probéiert am gemeinsame Laboratoire vun Imec a KMLabs ze léisen. A si wäerten et aus der Siicht vun enger wëssenschaftlecher Approche léisen, an net duerch d'Auswiel vun Reagenser, wéi et an de leschten drësseg-drësseg Joer gemaach gouf. Fir dëst ze maachen, wäerten d'wëssenschaftlech Partner en Tool erstellen fir eng detailléiert Studie vun de physikaleschen a chemesche Prozesser am Photoresist. Typesch gi Synchrotrone benotzt fir Prozesser um molekulare Niveau ze studéieren, awer Imec a KMLabs plangen EUV Projektioun a Miessausrüstung baséiert op Infrarout Laser ze kreéieren. KMLabs ass e Spezialist a Lasersystemer.
Baséierend op der KMLabs Laserinstallatioun gëtt eng Plattform fir d'Generatioun vun héijer Uerdnungsharmonie geschaf. Typesch, fir dësen Zweck, ass eng héich-Intensitéit Laser Impulsreferater an e gasfërmeg Medium riicht an deem ganz héich Frequenz Harmonie vun der direkter Impulser entstinn. Mat esou enger Konversioun entsteet e wesentleche Kraaftverloscht, sou datt en ähnleche Prinzip fir d'EUV Stralung ze generéieren kann net direkt fir Hallefleit Lithographie benotzt ginn. Awer dëst ass genuch fir Experimenter. Virun allem kann déi resultéierend Stralung kontrolléiert ginn souwuel duerch Pulsdauer rangéiert vu Pikosekonnen (10-12) bis Attosekonne (10-18), an duerch Wellelängt vu 6,5 nm bis 47 nm. Dëst si wäertvoll Qualitéite fir e Miessinstrument. Si wäerten hëllefen d'Prozesser vun ultra-schnell molekulare Verännerungen am Photoresist, Ioniséierungsprozesser an der Belaaschtung vun héich-energetesch Photonen ze studéieren. Ouni dëst bleift industriell Photolithographie mat Standarden manner wéi 3 a souguer 5 nm a Fro.
Source: 3dnews.ru