Deen eenzegen Entwéckler vun der Welt vun diskreten magnetoresistive MRAM Memory Chips, Everspin Technologies, setzt d'Produktiounstechnologien ze verbesseren. Haut Everspin a GlobalFoundries zesumme fir Technologie fir d'Produktioun vu STT-MRAM Mikrokreesser mat 12 nm Standarden a FinFET Transistoren z'entwéckelen.
Everspin huet iwwer 650 Patenter an Uwendungen am Zesummenhang mat MRAM Erënnerung. Dëst ass Erënnerung, Schreiwen un eng Zell vun deem ass ähnlech ze schreiwen Informatiounen op eng magnetesch Plack vun enger Festplack. Nëmmen am Fall vu Mikrokreesser huet all Zell säin eegene (bedingt) Magnéitkopf. D'STT-MRAM Erënnerung déi et ersat huet, baséiert op dem Elektronen Spin Impulstransfer Effekt, funktionnéiert mat nach méi nidderegen Energiekäschten, well et manner Stréim a Schreif- a Liesmodus benotzt.
Am Ufank gouf MRAM Erënnerung bestallt vum Everspin vun NXP a senger Planz an den USA produzéiert. Am 2014 huet Everspin e gemeinsame Aarbechtsvertrag mat GlobalFoundries agefouert. Zesummen hunn se ugefaang diskret an embedded MRAM (STT-MRAM) Fabrikatiounsprozesser mat méi fortgeschrattene Fabrikatiounsprozesser z'entwéckelen.
Mat der Zäit hunn d'GlobalFoundries Ariichtungen d'Produktioun vu 40-nm an 28-nm STT-MRAM Chips lancéiert (endlech mat engem neie Produkt - en 1-Gbit diskrete STT-MRAM Chip), an och d'22FDX Prozesstechnologie virbereet fir STT-Integratioun MRAM Arrays a Controller mat 22-nm nm Prozesstechnologie op FD-SOI Wafers. Den neien Ofkommes tëscht Everspin a GlobalFoundries féiert zum Transfert vun der Produktioun vu STT-MRAM Chips op d'12-nm Prozesstechnologie.
MRAM Gedächtnis kënnt op d'Performance vum SRAM Gedächtnis a kann et potenziell a Controller fir den Internet of Things ersetzen. Zur selwechter Zäit ass et net flüchteg a vill méi resistent géint Verschleiung wéi konventionell NAND Erënnerung. Den Iwwergank op 12 nm Standards wäert d'Opnahmsdichte vum MRAM erhéijen, an dëst ass säin Haaptnodeel.
Source: 3dnews.ru