Intel preparéiert 144-Schicht QLC NAND an entwéckelt fënnef-Bit PLC NAND

Dëse Moien zu Seoul, Südkorea, huet Intel den "Memory and Storage Day 2019" Event gewidmet fir zukünfteg Pläng am Memory an Solid-State Drive Maart. Do hunn d'Firmavertrieder iwwer zukünfteg Optane Modeller geschwat, Fortschrëtter an der Entwécklung vu fënnef-Bit PLC NAND (Penta Level Cell) an aner villverspriechend Technologien, déi et plangt an de kommende Joeren ze förderen. Intel huet och iwwer säi Wonsch geschwat fir net-flüchteg RAM an Desktop Computeren op laang Dauer anzeféieren an iwwer nei Modeller vu vertraute SSDs fir dëst Segment.

Intel preparéiert 144-Schicht QLC NAND an entwéckelt fënnef-Bit PLC NAND

Deen onerwaartsten Deel vun der Presentatioun vun Intel iwwer lafend Entwécklungen war d'Geschicht iwwer PLC NAND - eng nach méi dichter Aart vu Flash Memory. D'Firma betount datt an de leschten zwee Joer de Gesamtbetrag vun den Donnéeën op der Welt verduebelt huet, sou datt Drive baséiert op Véier-Bit QLC NAND net méi eng gutt Léisung fir dëse Problem schéngen - d'Industrie brauch e puer Optiounen mat méi héijen. Stockage Dicht. D'Output soll Penta-Level Cell (PLC) Flash Memory sinn, vun deenen all Zell fënnef Bits vun Daten op eemol späichert. Sou wäert d'Hierarchie vu Flash Memory Typen geschwënn ausgesinn wéi SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Den neie PLC NAND wäert fäeg sinn fënnef Mol méi Daten am Verglach zum SLC ze späicheren, awer natierlech mat manner Leeschtung an Zouverlässegkeet, well de Controller muss tëscht 32 verschiddene Ladungszoustand vun der Zell ënnerscheeden fir fënnef Bits ze schreiwen an ze liesen .

Intel preparéiert 144-Schicht QLC NAND an entwéckelt fënnef-Bit PLC NAND

Et ass derwäert ze notéieren datt Intel net eleng ass a senger Sich no nach méi dichter Flash Memory ze maachen. Toshiba huet och iwwer Pläng geschwat fir PLC NAND während dem Flash Memory Summit am August ze kreéieren. Wéi och ëmmer, d'Intel Technologie ass wesentlech anescht: d'Firma benotzt Floating-Gate Memory Zellen, während dem Toshiba seng Designe ronderëm Ladungsfall-baséiert Zellen gebaut sinn. Mat enger Erhéijung vun der Informatiounsspeicherdicht schéngt e schwiewend Paart déi bescht Léisung ze sinn, well et de géigesäitege Afloss an de Flux vun de Käschten an den Zellen miniméiert an et méiglech mécht Daten mat manner Feeler ze liesen. An anere Wierder, Intel Design ass besser gëeegent fir Erhéijung Dicht, déi duerch Test Resultater vun kommerziell verfügbar QLC NAND mat verschiddenen Technologien bestätegt ass. Esou Tester weisen datt Datendegradatioun an QLC Erënnerungszellen baséiert op engem schwiewend Paart zwee bis dräimol méi lues geschitt wéi an QLC NAND Zellen mat enger Ladungsfall.

Intel preparéiert 144-Schicht QLC NAND an entwéckelt fënnef-Bit PLC NAND

Virun dësem Hannergrond gesäit d'Informatioun datt Micron decidéiert huet seng Flash Memory Entwécklung mat Intel ze deelen, ënner anerem wéinst dem Wonsch op d'Benotzung vun Charge Trap Zellen ze wiesselen, ganz interessant. Intel bleift engagéiert fir d'Original Technologie an implementéiert se systematesch an all nei Léisungen.

Zousätzlech zu der PLC NAND, déi nach ëmmer an der Entwécklung ass, wëll Intel d'Späicherdicht vun Informatioun am Flash-Speicher erhéijen andeems se aner, méi bezuelbar Technologien benotzen. Besonnesch bestätegt d'Firma den bevirsteeten Iwwergang op d'Massproduktioun vum 96-Schicht QLC 3D NAND: et gëtt an engem neie Konsumentfahrt benotzt. Intel SSD 665p.

Intel preparéiert 144-Schicht QLC NAND an entwéckelt fënnef-Bit PLC NAND

Dëst wäert gefollegt ginn andeems d'Produktioun vum 144-Schicht QLC 3D NAND beherrscht gëtt - et wäert d'nächst Joer Produktiounsfuere schloen. Et ass virwëtzeg datt Intel bis elo all Absicht ofgeleent huet fir Triple Soldering vu monolithesche Kristalle ze benotzen, sou datt wärend den 96-Schichten Design déi vertikal Assemblée vun zwee 48-Schicht Kristalle involvéiert, wäert d'144-Schicht Technologie anscheinend op 72-Schicht baséieren. "Halleffäerdeg Produkter".

Zesumme mat der Erhéijung vun der Unzuel vun Schichten an QLC 3D NAND Kristalle, Intel Entwéckler hunn nach net wëlles d'Kapazitéit vun de Kristalle selwer ze erhéijen. Baséierend op 96- an 144-Schicht Technologien, ginn déiselwecht Terabit-Kristalle produzéiert wéi déi éischt Generatioun 64-Schicht QLC 3D NAND. Dëst ass wéinst dem Wonsch SSDs baséiert op et mat engem akzeptablen Leeschtungsniveau ze bidden. Déi éischt SSDs fir 144-Layer Memory ze benotzen sinn Arbordale + Server Drive.



Source: 3dnews.ru

Setzt e Commentaire