Google huet "Half-Double" agefouert, eng nei RowHammer Attack Technik déi den Inhalt vun eenzelne Bits vun dynamesche Zoufallszougang Memory (DRAM) änneren kann. D'Attack kann op e puer modern DRAM Chips reproduzéiert ginn, deenen hir Hiersteller Zellgeometrie reduzéiert hunn.
Erënneren, datt RowHammer Klass Attacken erlaben Iech den Inhalt vun eenzelne Erënnerung Bits ze verzerren duerch cyclically liesen Daten aus Nopeschlänner Erënnerung Zellen. Zënter DRAM Erënnerung ass eng zweedimensional Array vun Zellen, déi all aus engem Kondensator an engem Transistor besteet, déi kontinuéierlech Liesungen vun der selwechter Erënnerungsregioun ausféieren, resultéiert zu Spannungsschwankungen an Anomalien, déi e klenge Verloscht vun der Ladung an de Nopeschzellen verursaachen. Wann d'Liesintensitéit héich genuch ass, da kann d'Nopeschzell eng genuch grouss Betrag vun der Ladung verléieren an den nächsten Erhuelungszyklus huet keng Zäit fir säin ursprénglechen Zoustand ze restauréieren, wat zu enger Verännerung vum Wäert vun den Daten, déi an der gespäichert sinn, féieren. Zell.
Fir géint RowHammer ze schützen, hunn Chiphersteller en TRR (Target Row Refresh) Mechanismus implementéiert deen géint Korruptioun vun Zellen an benachbarte Reihen schützt. D'Half-Double Method erlaabt Iech dëse Schutz ëmzegoen andeems Dir manipuléiert datt d'Verzerrungen net op ugrenzend Linnen limitéiert sinn an op aner Erënnerungslinnen verbreet sinn, obwuel a mannerem Ausmooss. Google Ingenieuren hunn gewisen, datt fir sequentiell Zeile vun Erënnerung "A", "B" an "C" et méiglech ass Zeil "C" mat ganz schwéieren Zougang zu Zeil "A" ze attackéieren a wéineg Aktivitéit betreffend Rei "B". Zougang zu Zeil "B" während engem Attack aktivéiert net-linear Ladungsleckage an erlaabt d'Zeil "B" als Transport ze benotzen fir de Rowhammer Effekt vun der Rei "A" op "C" ze transferéieren.
Am Géigesaz zum TRRespass-Attack, deen Mängel a verschiddenen Implementatiounen vum Zellkorruptiouns-Préventiounsmechanismus manipuléiert, baséiert den Half-Double Attack op de kierperlechen Eegeschafte vum Siliziumsubstrat. Hallef-Double weist datt et wahrscheinlech ass datt d'Effekter, déi zu Rowhammer féieren, e Besëtz vun der Distanz sinn, anstatt déi direkt Kontiguitéit vun den Zellen. Wéi d'Zellgeometrie a modernen Chips erofgeet, erhéicht de Radius vum Afloss vun der Verzerrung och. Et ass méiglech datt den Effekt op enger Distanz vu méi wéi zwou Linnen observéiert gëtt.
Et gëtt bemierkt datt, zesumme mat der JEDEC Associatioun, verschidde Propositioune entwéckelt goufen fir méiglech Weeër ze analyséieren fir esou Attacken ze blockéieren. D'Method gëtt verëffentlecht well Google mengt datt d'Fuerschung eist Verständnis vum Rowhammer Phänomen wesentlech erweidert an d'Wichtegkeet vu Fuerscher, Chipmakers an aner Akteuren ënnersträicht, déi zesumme schaffen fir eng ëmfaassend, laangfristeg Sécherheetsléisung z'entwéckelen.
Source: opennet.ru