Samsung beschleunegt d'Entwécklung vun 160-Layer 3D NAND Erënnerung

Dës Woch déi chinesesch Firma YMTC gemellt op d'Entwécklung vun engem Rekord-briechen 128-Layer 3D NAND Flash Erënnerung. D'Chinese sprangen d'Produktiounsstadium vum 96-Layer Memory iwwersprangen an um Enn vum Joer fänken se direkt un 128-Layer Memory ze produzéieren. Sou wäerten se den Niveau vun den Industrieleit erreechen, wat gläichwäerteg ass mat engem roude Stoff virun enger Stier ze wénken. An d'"Bullen" hu wéi erwaart reagéiert.

Samsung beschleunegt d'Entwécklung vun 160-Layer 3D NAND Erënnerung

Südkoreanesche Site ETNews haut gemelltdatt Samsung d'Entwécklung vum 160-Layer 3D NAND beschleunegt huet (oder V-NAND, wéi d'Firma Multi-Layer Flash Memory nennt). Samsung nennt et eng "super Gap" Strategie, oder spillt viraus, wat südkoreanesch Tech Leadere soll hëllefe virun der Konkurrenz ze bleiwen. Zënter dem Samsung säin Erfolleg am Häerz vun der südkoreanescher Wirtschaft läit, ass et eng Saach vu Wuelstand fir d'ganz Natioun, sou datt d'Firma hir Aarbecht eescht hëlt.

Samsung huet Erënnerung mat 100+ Schichten agefouert August d'lescht Joer. Mir kënnen dovun ausgoen, datt d'Firma fir den drëtten Trimester an enger Zeil konventionell 128-Layer Erënnerung verëffentlecht huet (déi genee Zuel vun Schichten bleift onbekannt fir bestëmmte). Nächst op der Zeen soll Samsung Erënnerung mat 160 oder souguer méi Schichten ginn. Et wäert zu der 7. Generatioun vu V-NAND Erënnerung gehéieren. Laut Rumeuren huet d'Firma bedeitend Fortschrëtter a senger Entwécklung gemaach. Et gëtt eng Meenung datt Samsung déi éischt ass fir d'160-Layer Mark z'erreechen, sou wéi mat all de fréiere Generatiounen vun 3D NAND Erënnerung geschitt ass.



Source: 3dnews.ru

Setzt e Commentaire