Haut ass Samsung Electronics iwwer Pläng fir d'Entwécklung vun technesche Prozesser fir d'Produktioun vun Hallefleit. D'Firma betruecht d'Schafung vun digitale Projete vun experimentellen 3-nm Chips baséiert op patentéierte MBCFET Transistoren als Haaptaktuell Erreeche. Dëst sinn Transistoren mat multiple horizontalen Nanopage Kanäl a vertikale FET Paarte (Multi-Bridge-Channel FET).
Am Kader vun enger Allianz mat IBM huet Samsung eng liicht aner Technologie entwéckelt fir d'Produktioun vun Transistoren mat Kanäl komplett ëmgi vu Paarte (GAA oder Gate-All-Around). D'Kanäl sollten dënn gemaach ginn a Form vun Nanodrähten. Duerno ass Samsung vun dësem Schema fortgaang an huet eng Transistorstruktur patentéiert mat Kanäl a Form vun Nanopages. Dës Struktur erlaabt Iech d'Charakteristiken vun Transistoren ze kontrolléieren andeems Dir d'Zuel vun de Säiten (Kanäl) manipuléiert an d'Breet vun de Säiten ugepasst. Fir déi klassesch FET Technologie ass esou e Manöver onméiglech. Fir d'Kraaft vun engem FinFET Transistor ze erhéijen, ass et néideg d'Zuel vun de FET Fins um Substrat ze multiplizéieren, an dëst erfuerdert Gebitt. D'Charakteristike vum MBCFET Transistor kënnen an engem physikalesche Paart geännert ginn, fir deen Dir d'Breet vun de Kanäl an hir Zuel setzen musst.
D'Disponibilitéit vun engem digitalen Design (ausgepaakt) vun engem Prototyp-Chip fir d'Produktioun mam GAA-Prozess erlaabt Samsung d'Limite vun de Fäegkeete vu MBCFET-Transistoren ze bestëmmen. Et sollt een am Kapp behalen datt dëst nach ëmmer Computermodelldaten sinn an den neien technesche Prozess kann nëmmen endlech beurteelt ginn nodeems en an d'Massproduktioun lancéiert gouf. Et gëtt awer e Startpunkt. D'Firma sot datt den Iwwergank vum 7nm Prozess (offensichtlech déi éischt Generatioun) an de GAA Prozess eng 45% Reduktioun am Stierfberäich an eng 50% Reduktioun vum Konsum ubitt. Wann Dir de Konsum net spuert, kann d'Produktivitéit ëm 35% erhéicht ginn. Virdrun huet Samsung Spuer- a Produktivitéitsgewënn gesinn wann se op den 3nm Prozess geplënnert sinn duerch Komma getrennt. Et huet sech erausgestallt datt et entweder deen een oder deen aneren war.
D'Firma betruecht d'Virbereedung vun enger ëffentlecher Cloud Plattform fir onofhängeg Chip Entwéckler a fabels Firmen als e wichtege Punkt bei der Populariséierung vun der 3nm Prozesstechnologie. Samsung huet d'Entwécklungsëmfeld, d'Projetverifizéierung a Bibliothéiken op Produktiounsserver net verstoppt. D'SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) Plattform wäert fir Designer weltwäit verfügbar sinn. D'SAFE Cloud Plattform gouf mat der Participatioun vun esou groussen ëffentleche Cloud Servicer wéi Amazon Web Services (AWS) a Microsoft Azure erstallt. Entwéckler vun Designsystemer vu Cadence a Synopsys hunn hir Designtools bannent SAFE geliwwert. Dëst versprécht et méi einfach a méi bëlleg ze maachen fir nei Léisunge fir Samsung Prozesser ze kreéieren.
Zréck op Samsung's 3nm Prozesstechnologie, loosst eis addéieren datt d'Firma déi éischt Versioun vu sengem Chip Entwécklungspaket presentéiert huet - 3nm GAE PDK Version 0.1. Mat senger Hëllef kënnt Dir haut ufänken 3nm Léisungen ze designen, oder op d'mannst virbereeden fir dëse Samsung Prozess ze treffen wann et verbreet gëtt.
Samsung annoncéiert seng Zukunftspläng wéi follegt. An der zweeter Halschent vun dësem Joer gëtt d'Massproduktioun vu Chips mam 6nm Prozess gestart. Zur selwechter Zäit wäert d'Entwécklung vun der 4nm Prozesstechnologie ofgeschloss ginn. D'Entwécklung vun den éischte Samsung Produkter mat dem 5nm Prozess wäert dësen Hierscht ofgeschloss ginn, mat der Produktioun an der éischter Halschent vum nächste Joer lancéiert. Och bis Enn vun dësem Joer wäert Samsung d'Entwécklung vun der 18FDS Prozesstechnologie (18 nm op FD-SOI Wafers) an 1-Gbit eMRAM Chips fäerdeg maachen. Prozesstechnologien vu 7 nm bis 3 nm wäerten EUV Scanner mat erhéijen Intensitéit benotzen, wat all Nanometer zielt. Weider um Wee erof gëtt all Schrëtt mat engem Kampf gemaach.
Source: 3dnews.ru