D'Schafung an d'Entwécklung vun Apparater fir net-flüchteg Späichere vun digitale Daten ass fir vill Joerzéngte weidergaang. E richtegen Duerchbroch gouf virun e bësse manner wéi 20 Joer vum NAND Memory gemaach, obwuel seng Entwécklung 20 Joer virdrun ugefaang huet. Haut, ongeféier en halleft Joerhonnert nom Start vun der grousser Fuerschung, dem Start vun der Produktioun a konstante Efforte fir d'NAND ze verbesseren, ass dës Zort Erënnerung no beim Ausbau vun hirem Entwécklungspotenzial. Et ass néideg d'Fundament fir den Iwwergank zu enger anerer Erënnerung Zell mat besser Energie, Vitesse an aner Charakteristiken ze leeën. Op laang Siicht kéint esou eng Erënnerung eng nei Zort ferroelektrescht Gedächtnis sinn.
Ferroelektrik (de Begrëff Ferroelektrik gëtt an auslännescher Literatur benotzt) sinn Dielektrik, déi eng Erënnerung un dat ugewandt elektrescht Feld hunn oder, an anere Wierder, duerch Reschtpolariséierung vu Ladungen charakteriséiert sinn. Ferroelektresch Erënnerung ass näischt Neies. D'Erausfuerderung war fir ferroelektresch Zellen op den Niveau vun der Nanoskala erofzesetzen.
Virun dräi Joer hu Wëssenschaftler um MIPT Technologie fir dënn Filmmaterial fir ferroelektrescht Gedächtnis ze fabrizéieren baséiert op Hafniumoxid (HfO2). Dëst ass och net eenzegaarteg Material. Dës Dielektrik gouf fir e puer fënnef Joer hannereneen benotzt fir Transistoren mat Metallpaarten an Prozessoren an aner digital Logik ze maachen. Baséierend op Legierungspolykristalline Filmer vun Hafnium- a Zirkoniumoxide mat enger Dicke vun 2,5 nm, déi bei MIPT proposéiert goufen, war et méiglech Iwwergäng mat ferroelektreschen Eegeschaften ze kreéieren.
Fir datt ferroelektresch Kondensatoren (wéi se ugefaang hunn bei MIPT genannt ze ginn) als Erënnerungszellen benotzt ginn, ass et néideg fir déi héchst méiglech Polariséierung z'erreechen, wat eng detailléiert Studie vun de kierperleche Prozesser an der Nanoschicht erfuerdert. Besonnesch, kritt eng Iddi iwwer d'Verdeelung vum elektresche Potenzial bannent der Schicht wann d'Spannung ugewannt gëtt. Bis viru kuerzem konnten d'Wëssenschaftler nëmmen op e mathemateschen Apparat vertrauen fir de Phänomen ze beschreiwen, an eréischt elo ass eng Technik ëmgesat ginn, mat där et wuertwiertlech méiglech war am Material am Prozess vum Phänomen ze kucken.
Déi virgeschloen Technik, déi op héichenergieger Röntgenfotoelektronespektroskopie baséiert, konnt nëmmen op enger spezieller Installatioun (Synchrotronbeschleuniger) ëmgesat ginn. Dëst ass zu Hamburg (Däitschland). All Experimenter mat Hafniumoxid-baséiert "ferroelektresche Kondensatoren", déi bei MIPT hiergestallt goufen, sinn an Däitschland stattfonnt. En Artikel iwwer d'Aarbechte gouf publizéiert am .
"Ferroelektresch Kondensatoren, déi an eisem Laboratoire erstallt sinn, wa se fir d'industriell Produktioun vun net-flüchtege Erënnerungszellen benotzt ginn, kënnen 1010 Rewrite-Zyklen ubidden - honnertdausend Mol méi wéi modern Computer-Flash-Laufwerke erlaben", seet den Andrei Zenkevich, ee vun den Autoren vum Aarbecht, Chef vum Labo vun funktionell Materialien an Apparater fir Nanoelektronik MIPT. Sou ass e weidere Schrëtt a Richtung nei Erënnerung geholl ginn, obwuel et nach vill, vill Schrëtt musse gemaach ginn.
Source: 3dnews.ru