Laut Prognosen vun der analytescher Firma , de Maart fir Kraaft Halbleiter baséiert op SiC (Siliciumcarbid) a GaN (Galliumnitrid) wäert am Joer 2021 $ 1 Milliard iwwerschreiden, gedriwwe vun der Nofro fir elektresch Gefierer, Stroumversuergung a Photovoltaikkonverter. Dëst bedeit datt d'Energieversuergung an d'Konverter méi kleng a méi hell ginn, wat méi laang Gamme fir elektresch Gefierer an Elektronik ubitt.
Laut de Resultater vun dësem Joer, wéi Omdia virausgesot, wäert de Maart fir SiC a GaN Elementer am Präis op $ 854 Millioune klammen.Zum Verglach, am Joer 2018 war de Maart fir "Net-Silicium" Kraaft Halbleiteren $ 571 Millioune wäert. dräi Joer gëtt et eng bal duebel Erhéijung vun de Wäert vum Maart ginn, déi eng dréngend Besoin fir dës Komponente weist.
Power Halbleiter baséiert op Siliziumkarbid a Galliumnitrid maachen et méiglech Dioden, Transistoren a Mikrokreesser fir Stroumversuergung a Konverter mat den héchsten Effizienzwäerter fir Stréim iwwer eng breet Palette ze produzéieren. Fir d'Gamme vun engem elektresche Gefier ze vergréisseren oder d'Batteriedauer vun engem Smartphone ze vergréisseren, brauche mir net nëmmen modern a capacious Batterien, awer och Halbleiteren, déi keng Energie während transiente Prozesser an Zwëschenkreesser verléieren.
Einnahmen fir SiC a GaN Zell Hiersteller ginn erwaart duerch duebel Zifferen all Joer fir de Rescht vun der Dekade ze wuessen, fir $ 2029 Milliarde am Joer 5 z'erreechen.
Source:
Source: 3dnews.ru