Et ass onméiglech weider Entwécklung vun der Mikroelektronik virzestellen ouni d'Hallefleiterproduktiounstechnologien ze verbesseren. Fir d'Grenzen auszebauen a léiere wéi een ëmmer méi kleng Elementer op Kristalle produzéiert, sinn nei Technologien an nei Tools gebraucht. Eng vun dësen Technologien kéint eng Duerchbroch Entwécklung vun amerikanesche Wëssenschaftler sinn.
E Team vu Fuerscher vum US Department of Energy's Argonne National Laboratory
Déi proposéiert Technik gläicht dem traditionelle Prozess
Wéi am Fall vun der Atomschicht Ätzen, benotzt d'MLE-Methode Gasbehandlung an enger Chamber vun der Uewerfläch vun engem Kristall mat Filmer vun engem organesche Material. De Kristall gëtt zyklesch mat zwee verschiddene Gase ofwiesselnd behandelt bis de Film zu enger bestëmmter Dicke verdënntem ass.
Chemesch Prozesser ënnerleien d'Gesetzer vun der Selbstreguléierung. Dëst bedeit datt Schicht no Schicht gläichméisseg a kontrolléiert ewechgeholl gëtt. Wann Dir Fotomasken benotzt, kënnt Dir d'Topologie vum zukünftegen Chip op den Chip reproduzéiere an den Design mat der héchster Genauegkeet ätzen.
Am Experiment hunn d'Wëssenschaftler e Gas mat Lithiumsalze benotzt an e Gas baséiert op Trimethylaluminium fir molekulare Ätzen. Wärend dem Ätzprozess huet d'Lithiumverbindung mat der Uewerfläch vum Aluconfilm esou reagéiert datt Lithium op der Uewerfläch deposéiert gouf an déi chemesch Bindung am Film zerstéiert huet. Duerno gouf Trimethylaluminium geliwwert, wat d'Schicht vum Film mat Lithium ofgeschaaft huet, a sou weider een nom aneren, bis de Film op déi gewënscht Dicke reduzéiert gouf. Gutt Kontrollbarkeet vum Prozess, d'Wëssenschaftler gleewen, kann déi proposéiert Technologie erlaben d'Entwécklung vun der Hallefleitproduktioun ze drécken.
Source: 3dnews.ru