Power Semiconductors huelen d'Saachen op. Amplaz Silizium gëtt Galliumnitrid (GaN) benotzt. GaN Inverter a Stroumversuergung funktionnéieren mat bis zu 99% Effizienz, liwweren déi héchst Effizienz un Energiesystemer vu Kraaftwierker bis Stroumlagerung an Notzungssystemer. D'Cheffen vum neie Maart sinn Firmen aus den USA, Europa a Japan. Elo zu dësem Beräich déi éischt Firma aus China.
Viru kuerzem huet de chinesesche Gadgethersteller ROCK den éischten Ladegerät verëffentlecht deen séier Laden op engem "Chinese Chip" ënnerstëtzt. Déi allgemeng konventionell Léisung baséiert op der GaN Kraaftversammlung vun der InnoGaN Serie vun Inno Science. Den Chip gëtt am Standard DFN 8x8 Formfaktor fir kompakt Stroumversuergung gemaach.
Den 2W ROCK 1C65AGaN Ladegerät ass méi kompakt a méi funktionell wéi den Apple 61W PD Ladegerät (Vergläich op der Foto hei uewen). De chinesesche Ladegerät kann gläichzäiteg dräi Geräter iwwer zwee USB Type-C an een USB Type-A Interface laden. An Zukunft plangt ROCK Versioune vu Schnellladeger mat enger Kraaft vun 100 an 120 W op Chinesesch GaN Versammlungen eraus. Zousätzlech dozou, kooperéieren ongeféier 10 aner chinesesch Hiersteller vu Ladegeräter a Stroumversuergung mam Fabrikant vu GaN Kraaftelementer, Inno Science.
D'Fuerschung vu chinesesche Firmen a besonnesch d'Inno Science Firma am Beräich vun de GaN Kraaftkomponenten soll zur Onofhängegkeet vu China vun auslännesche Fournisseuren vun ähnlechen Léisungen féieren. Inno Science huet säin eegenen Entwécklungszenter a Labo fir e komplette Zyklus vun Testléisungen. Awer méi wichteg ass et zwou Produktiounslinnen fir GaN Léisungen op 200mm Wafer ze produzéieren. Fir d'Welt a souguer fir de chinesesche Maart ass dëst en Drëps am Ozean. Mee Dir musst iergendwou ufänken.
Source: 3dnews.ru