เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆเบเบญเบ‡เบ›เบฐเบŠเบธเบก IEDM 2019, TSMC เบˆเบฐเบชเบปเบ™เบ—เบฐเบ™เบฒเปƒเบ™เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm.

เบ”เบฑเปˆเบ‡เบ—เบตเปˆเบžเบงเบเป€เบฎเบปเบฒเบฎเบนเป‰, เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบกเบตเบ™เบฒเบ‚เบญเบ‡เบ›เบตเบ™เบตเป‰, TSMC เป„เบ”เป‰เป€เบฅเบตเปˆเบกเบ•เบปเป‰เบ™เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ—เบปเบ”เบฅเบญเบ‡เบ‚เบญเบ‡เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ•เบฐเบžเบฑเบ™ 5nm. เป€เบซเบ”เบเบฒเบ™เบ™เบตเป‰เป€เบเบตเบ”เบ‚เบถเป‰เบ™เบขเบนเปˆเบ—เบตเปˆเป‚เบฎเบ‡เบ‡เบฒเบ™ Fab 18 เปเบซเปˆเบ‡เปƒเปเปˆเปƒเบ™เป„เบ•เป‰เบซเบงเบฑเบ™, เบชเป‰เบฒเบ‡เบ‚เบถเป‰เบ™เป‚เบ”เบเบชเบฐเป€เบžเบฒเบฐ เบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบ›เปˆเบญเบเบ‚เบญเบ‡เบเบฒเบ™เปเบเป‰เป„เบ‚ 5nm. เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เปƒเบซเบเปˆเป‚เบ”เบเปƒเบŠเป‰เบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm N5 เบ„เบฒเบ”เบงเปˆเบฒเบˆเบฐเบขเบนเปˆเปƒเบ™เป„เบ•เบกเบฒเบ”เบ—เบตเบชเบญเบ‡เบ‚เบญเบ‡ 2020. เปƒเบ™เบ•เบญเบ™เบ—เป‰เบฒเบเบ‚เบญเบ‡เบ›เบตเบ”เบฝเบงเบเบฑเบ™, เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบŠเบดเบšเป‚เบ”เบเบญเบตเบ‡เปƒเบชเปˆเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ” 5-nm เบซเบผเบท N5P (เบเบฒเบ™เบ›เบฐเบ•เบดเบšเบฑเบ”) เบˆเบฐเบ–เบทเบเป€เบ›เบตเบ”เบ•เบปเบง. เบ„เบงเบฒเบกเบžเป‰เบญเบกเบ‚เบญเบ‡เบŠเบดเบšเบ•เบปเป‰เบ™เปเบšเบšเบŠเปˆเบงเบเปƒเบซเป‰ TSMC เบชเบฒเบกเบฒเบ”เบ›เบฐเป€เบกเบตเบ™เบ„เบงเบฒเบกเบชเบฒเบกเบฒเบ”เบ‚เบญเบ‡ semiconductors เปƒเบ™เบญเบฐเบ™เบฒเบ„เบปเบ”เบ—เบตเปˆเบœเบฐเบฅเบดเบ”เป‚เบ”เบเบญเบตเบ‡เปƒเบชเปˆเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™เปƒเบซเบกเปˆ, เป€เบŠเบดเปˆเบ‡เบšเปเบฅเบดเบชเบฑเบ”เบˆเบฐเป€เบงเบปเป‰เบฒเบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒ. เปเบ•เปˆเป€เบˆเบปเป‰เบฒเบชเบฒเบกเบฒเบ”เบŠเบญเบเบซเบฒเบšเบฒเบ‡เบชเบดเปˆเบ‡เบšเบฒเบ‡เบขเปˆเบฒเบ‡เปเบฅเป‰เบง เบกเบทเป‰เบ™เบตเป‰ เบˆเบฒเบเบšเบปเบ”เบ„เบฑเบ”เบซเบเปเป‰เบ—เบตเปˆเบชเบปเปˆเบ‡เป‚เบ”เบ TSMC เบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบ™เปเบฒเบชเบฐเป€เบซเบ™เบตเบขเบนเปˆ IEDM 2019.

เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆเบเบญเบ‡เบ›เบฐเบŠเบธเบก IEDM 2019, TSMC เบˆเบฐเบชเบปเบ™เบ—เบฐเบ™เบฒเปƒเบ™เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm.

เบเปˆเบญเบ™เบ—เบตเปˆเบˆเบฐเบŠเบตเป‰เปเบˆเบ‡เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”, เปƒเบซเป‰เบˆเบทเปˆเบˆเปเบฒเบชเบดเปˆเบ‡เบ—เบตเปˆเบžเบงเบเป€เบฎเบปเบฒเบฎเบนเป‰เบˆเบฒเบเบ„เปเบฒเบ–เบฐเปเบซเบผเบ‡เบ—เบตเปˆเบœเปˆเบฒเบ™เบกเบฒเบˆเบฒเบ TSMC. เป€เบกเบทเปˆเบญเบ›เบฝเบšเบ—เบฝเบšเบเบฑเบšเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 7nm, เบกเบฑเบ™เบ–เบทเบเบญเป‰เบฒเบ‡เบงเปˆเบฒเบ›เบฐเบชเบดเบ”เบ—เบดเบžเบฒเบšเบชเบธเบ”เบ—เบดเบ‚เบญเบ‡เบŠเบดเบš 5nm เบˆเบฐเป€เบžเบตเปˆเบกเบ‚เบถเป‰เบ™ 15% เบซเบผเบทเบเบฒเบ™เบšเปเบฅเบดเป‚เบžเบเบˆเบฐเบซเบผเบธเบ”เบฅเบปเบ‡ 30% เบ–เป‰เบฒเบเบฒเบ™เบ›เบฐเบ•เบดเบšเบฑเบ”เบเบฑเบ‡เบ„เบปเบ‡เบขเบนเปˆเบ„เบทเบเบฑเบ™. เบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ N5P เบˆเบฐเป€เบžเบตเปˆเบกเบœเบปเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบญเบตเบ 7% เบซเบผเบท 15% เบ›เบฐเบซเบเบฑเบ”เปƒเบ™เบเบฒเบ™เบšเปเบฅเบดเป‚เบžเบ. เบ„เบงเบฒเบกเบซเบ™เบฒเปเบซเบ™เป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡เบญเบปเบ‡เบ›เบฐเบเบญเบšเบ•เบฒเบกเป€เบซเบ”เบœเบปเบ™เบˆเบฐเป€เบžเบตเปˆเบกเบ‚เบถเป‰เบ™ 1,8 เป€เบ—เบปเปˆเบฒ. เบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เป€เบŠเบ™ SRAM เบˆเบฐเบ›เปˆเบฝเบ™เปเบ›เบ‡เป‚เบ”เบเบ›เบฑเบ”เป„เบˆเบ‚เบญเบ‡ 0,75.

เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆเบเบญเบ‡เบ›เบฐเบŠเบธเบก IEDM 2019, TSMC เบˆเบฐเบชเบปเบ™เบ—เบฐเบ™เบฒเปƒเบ™เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm.

เปƒเบ™เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบŠเบดเบš 5nm, เบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เบ‚เบญเบ‡เบเบฒเบ™เบ™เปเบฒเปƒเบŠเป‰เป€เบ„เบทเปˆเบญเบ‡เบชเบฐเปเบเบ™ EUV เบˆเบฐเบšเบฑเบ™เบฅเบธเบฅเบฐเบ”เบฑเบšเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ—เบตเปˆเปเบเปˆเปเบฅเป‰เบง. เป‚เบ„เบ‡เบชเป‰เบฒเบ‡เบŠเปˆเบญเบ‡ transistor เบˆเบฐเบ–เบทเบเบ›เปˆเบฝเบ™เปเบ›เบ‡, เบญเบฒเบ”เบˆเบฐเปƒเบŠเป‰ germanium เบฎเปˆเบงเบกเบเบฑเบ™เบเบฑเบšเบซเบผเบทเปเบ—เบ™เบŠเบดเบฅเบดเป‚เบ„เบ™. เบ™เบตเป‰เบˆเบฐเบฎเบฑเบšเบ›เบฐเบเบฑเบ™เบเบฒเบ™เป€เบžเบตเปˆเบกเบ‚เบทเป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡เบเบฒเบ™เป€เบ„เบทเปˆเบญเบ™เป„เบซเบงเบ‚เบญเบ‡เป€เบญเป€เบฅเบฑเบเป‚เบ•เบฃเบ™เบดเบเปƒเบ™เบŠเปˆเบญเบ‡เบ—เบฒเบ‡เปเบฅเบฐเบเบฒเบ™เป€เบžเบตเปˆเบกเบ‚เบทเป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡เบเบฐเปเบชเป„เบŸเบŸเป‰เบฒ. เป€เบ—เบเป‚เบ™เป‚เบฅเบเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™เบชเบฐเบซเบ™เบญเบ‡เบฅเบฐเบ”เบฑเบšเปเบฎเบ‡เบ”เบฑเบ™เบซเบผเบฒเบเบเบฒเบ™เบ„เบงเบšเบ„เบธเบก, เบชเบนเบ‡เบชเบธเบ”เบ—เบตเปˆเบˆเบฐเบชเบฐเบซเบ™เบญเบ‡เบเบฒเบ™เป€เบžเบตเปˆเบกเบ›เบฐเบชเบดเบ”เบ—เบดเบžเบฒเบš 25% เป€เบกเบทเปˆเบญเบ—เบฝเบšเบเบฑเบšเบ”เบฝเบงเบเบฑเบ™เปƒเบ™เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 7 nm. เบเบฒเบ™เบชเบฐเบซเบ™เบญเบ‡เบžเบฐเบฅเบฑเบ‡เบ‡เบฒเบ™เบ‚เบญเบ‡ transistor เบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เป‚เบ•เป‰เบ•เบญเบš I/O เบˆเบฐเบกเบตเบ•เบฑเป‰เบ‡เปเบ•เปˆ 1,5 V เบซเบฒ 1,2 V.

เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆเบเบญเบ‡เบ›เบฐเบŠเบธเบก IEDM 2019, TSMC เบˆเบฐเบชเบปเบ™เบ—เบฐเบ™เบฒเปƒเบ™เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm.

เปƒเบ™เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ‚เบญเบ‡เป‚เบ”เบเบœเปˆเบฒเบ™เบฎเบนเบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™ metallization เปเบฅเบฐเบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบ•เบดเบ”เบ•เปเปˆ, เบงเบฑเบ”เบชเบฐเบ”เบธเบ—เบตเปˆเบกเบตเบเบฒเบ™เบ•เปเปˆเบ•เป‰เบฒเบ™เบ•เปˆเปเบฒเป€เบ–เบดเบ‡เปเบกเปˆเบ™เบงเปˆเบฒเบˆเบฐเบ–เบทเบเบ™เปเบฒเปƒเบŠเป‰. เบ•เบปเบงเป€เบเบฑเบšเบ›เบฐเบˆเบธ ultra-high-density เบˆเบฐเบ–เบทเบเบœเบฐเบฅเบดเบ”เป‚เบ”เบเปƒเบŠเป‰เบงเบปเบ‡เบˆเบญเบ™เป‚เบฅเบซเบฐ dielectric-metal, เป€เบŠเบดเปˆเบ‡เบˆเบฐเป€เบฎเบฑเบ”เปƒเบซเป‰เบœเบปเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เป€เบžเบตเปˆเบกเบ‚เบถเป‰เบ™ 4%. เป‚เบ”เบเบ—เบปเปˆเบงเป„เบ›, TSMC เบˆเบฐเบ›เปˆเบฝเบ™เป„เบ›เปƒเบŠเป‰ insulators เบ•เปˆเปเบฒ K เปƒเบซเบกเปˆ. เบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ "เปเบซเป‰เบ‡" เปƒเบซเบกเปˆ, เป‚เบฅเบซเบฐ Reactive Ion Etching (RIE), เบˆเบฐเบ›เบฒเบเบปเบ”เบขเบนเปˆเปƒเบ™เบงเบปเบ‡เบˆเบญเบ™เบเบฒเบ™เบ›เบฐเบกเบงเบ™เบœเบปเบ™ silicon wafer, เป€เบŠเบดเปˆเบ‡เบšเบฒเบ‡เบชเปˆเบงเบ™เบˆเบฐเบ—เบปเบ”เปเบ—เบ™เบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ Damascus เปเบšเบšเบ”เบฑเป‰เบ‡เป€เบ”เบตเบกเป‚เบ”เบเปƒเบŠเป‰เบ—เบญเบ‡เปเบ”เบ‡ (เบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบ•เบดเบ”เบ•เปเปˆเป‚เบฅเบซเบฐเบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เบ™เป‰เบญเบเบเบงเปˆเบฒ 30 nm). เบ™เบญเบเบˆเบฒเบเบ™เบฑเป‰เบ™, เป€เบ›เบฑเบ™เบ„เบฑเป‰เบ‡เบ—เปเบฒเบญเบดเบ”, เบŠเบฑเป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡ graphene เบˆเบฐเบ–เบทเบเบ™เปเบฒเปƒเบŠเป‰เป€เบžเบทเปˆเบญเบชเป‰เบฒเบ‡เบญเบธเบ›เบฐเบชเบฑเบเบฅเบฐเบซเบงเปˆเบฒเบ‡ conductors เบ—เบญเบ‡เปเบ”เบ‡เปเบฅเบฐ semiconductor (เป€เบžเบทเปˆเบญเบ›เป‰เบญเบ‡เบเบฑเบ™เบšเปเปˆเปƒเบซเป‰ electromigration).

เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆเบเบญเบ‡เบ›เบฐเบŠเบธเบก IEDM 2019, TSMC เบˆเบฐเบชเบปเบ™เบ—เบฐเบ™เบฒเปƒเบ™เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm.

เบˆเบฒเบเป€เบญเบเบฐเบชเบฒเบ™เบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบšเบปเบ”เบฅเบฒเบเบ‡เบฒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆ IEDM, เบžเบงเบเป€เบฎเบปเบฒเบชเบฒเบกเบฒเบ”เบฅเบงเบšเบฅเบงเบกเบงเปˆเบฒเบˆเปเบฒเบ™เบงเบ™เบ•เบปเบงเบเปเบฒเบ™เบปเบ”เบเบฒเบ™เบ‚เบญเบ‡เบŠเบดเบš 5nm เบˆเบฐเบ”เบตเบเบงเปˆเบฒ. เบ”เบฑเปˆเบ‡เบ™เบฑเป‰เบ™, เบ„เบงเบฒเบกเบซเบ™เบฒเปเบซเบ™เป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡เบญเบปเบ‡เบ›เบฐเบเบญเบšเบ•เบฒเบกเป€เบซเบ”เบœเบปเบ™เบˆเบฐเบชเบนเบ‡เบ‚เบถเป‰เบ™เปเบฅเบฐเบšเบฑเบ™เบฅเบธ 1,84 เป€เบ—เบปเปˆเบฒ. เป€เบŠเบ™ SRAM เบเบฑเบ‡เบˆเบฐเบ™เป‰เบญเบเบฅเบปเบ‡, เบกเบตเบžเบทเป‰เบ™เบ—เบตเปˆ 0,021 ยตm2. เบ—เบธเบเบชเบดเปˆเบ‡เบ—เบธเบเบขเปˆเบฒเบ‡เปเบกเปˆเบ™เบขเบนเปˆเปƒเบ™เบ„เปเบฒเบชเบฑเปˆเบ‡เบเบฑเบšเบเบฒเบ™เบ›เบฐเบ•เบดเบšเบฑเบ”เบ‚เบญเบ‡เบŠเบดเบฅเบดเป‚เบ„เบ™เบ—เบปเบ”เบฅเบญเบ‡ - เบเบฒเบ™เป€เบžเบตเปˆเบกเบ‚เบถเป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡ 15% เป„เบ”เป‰เบฎเบฑเบš, เป€เบŠเบฑเปˆเบ™เบ”เบฝเบงเบเบฑเบ™เบเบฑเบšเบเบฒเบ™เบซเบผเบธเบ”เบœเปˆเบญเบ™เบ„เบงเบฒเบกเป€เบ›เบฑเบ™เป„เบ›เป„เบ”เป‰ 30% เปƒเบ™เบเบฒเบ™เบšเปเบฅเบดเป‚เบžเบเปƒเบ™เบเปเบฅเบฐเบ™เบตเบ‚เบญเบ‡ freezing เบ‚เบญเบ‡เบ„เบงเบฒเบกเบ–เบตเปˆเบชเบนเบ‡.

เปƒเบ™เป€เบ”เบทเบญเบ™เบ—เบฑเบ™เบงเบฒเบ—เบตเปˆเบเบญเบ‡เบ›เบฐเบŠเบธเบก IEDM 2019, TSMC เบˆเบฐเบชเบปเบ™เบ—เบฐเบ™เบฒเปƒเบ™เบฅเบฒเบเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เบเปˆเบฝเบงเบเบฑเบšเป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 5nm.

เป€เบ—เบเป‚เบ™เป‚เบฅเบเบตเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™เปƒเบซเบกเปˆเบˆเบฐเป€เบฎเบฑเบ”เปƒเบซเป‰เบชเบฒเบกเบฒเบ”เป€เบฅเบทเบญเบเบˆเบฒเบเป€เบˆเบฑเบ”เบ„เปˆเบฒเปเบฎเบ‡เบ”เบฑเบ™เบ‚เบญเบ‡เบเบฒเบ™เบ„เบงเบšเบ„เบธเบก, เป€เบŠเบดเปˆเบ‡เบˆเบฐเป€เบžเบตเปˆเบกเบ„เบงเบฒเบกเบซเบฅเบฒเบเบซเบฅเบฒเบเปƒเบซเป‰เบเบฑเบšเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™เบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเปเบฅเบฐเบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ•เบฐเบžเบฑเบ™, เปเบฅเบฐเบเบฒเบ™เบ™เปเบฒเปƒเบŠเป‰เป€เบ„เบทเปˆเบญเบ‡เบชเบฐเปเบเบ™ EUV เปเบ™เปˆเบ™เบญเบ™เบˆเบฐเป€เบฎเบฑเบ”เปƒเบซเป‰เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ‡เปˆเบฒเบเปเบฅเบฐเบฅเบฒเบ„เบฒเบ–เบทเบเบเบงเปˆเบฒ. เบญเบตเบ‡เบ•เบฒเบก TSMC, เบเบฒเบ™เบ›เปˆเบฝเบ™เป€เบ›เบฑเบ™เป€เบ„เบทเปˆเบญเบ‡เบชเบฐเปเบเบ™ EUV เบชเบฐเบซเบ™เบญเบ‡เบเบฒเบ™เบ›เบฑเบšเบ›เบธเบ‡ 0,73x เปƒเบ™เบ„เบงเบฒเบกเบฅเบฐเบญเบฝเบ”เป€เบชเบฑเป‰เบ™เบ—เบฝเบšเบเบฑเบšเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™ 7nm. เบ•เบปเบงเบขเปˆเบฒเบ‡, เป€เบžเบทเปˆเบญเบœเบฐเบฅเบดเบ”เบŠเบฑเป‰เบ™เป‚เบฅเบซเบฐเบ—เบตเปˆเบกเบตเบ„เบงเบฒเบกเบชเปเบฒเบ„เบฑเบ™เบ—เบตเปˆเบชเบธเบ”เบ‚เบญเบ‡เบŠเบฑเป‰เบ™เบ—เปเบฒเบญเบดเบ”, เปเบ—เบ™เบ—เบตเปˆเบˆเบฐเป€เบ›เบฑเบ™เบซเบ™เป‰เบฒเบเบฒเบเปเบšเบšเบ—เปเบฒเบกเบฐเบ”เบฒเบซเป‰เบฒ, เบžเบฝเบ‡เปเบ•เปˆเบซเบ™เป‰เบฒเบเบฒเบ EUV เบซเบ™เบถเปˆเบ‡เปเบกเปˆเบ™เบ•เป‰เบญเบ‡เบเบฒเบ™เปเบฅเบฐ, เบ•เบฒเบกเบ™เบฑเป‰เบ™, เบžเบฝเบ‡เปเบ•เปˆเบซเบ™เบถเปˆเบ‡เบงเบปเบ‡เบˆเบญเบ™เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เปเบ—เบ™เบ—เบตเปˆเบˆเบฐเบซเป‰เบฒ. เป‚เบ”เบเบงเบดเบ—เบตเบ—เบฒเบ‡เบเบฒเบ™, เปƒเบซเป‰เป€เบญเบปเบฒเปƒเบˆเปƒเบชเปˆเบเบฑเบšเบงเบดเบ—เบตเบเบฒเบ™เบ—เบตเปˆเบญเบปเบ‡เบ›เบฐเบเบญเบšเบ—เบตเปˆเบชเบฐเบญเบฒเบ”เบขเบนเปˆเปƒเบ™เบŠเบดเบšเบญเบญเบเบกเบฒเป€เบกเบทเปˆเบญเบ™เปเบฒเปƒเบŠเป‰เบเบฒเบ™เบ„เบฒเบ”เบ„เบฐเป€เบ™ EUV. เบ„เบงเบฒเบกเบ‡เบฒเบก, เปเบฅเบฐเบ™เบฑเป‰เบ™เปเบกเปˆเบ™เบ—เบฑเบ‡เบซเบกเบปเบ”.



เปเบซเบผเปˆเบ‡เบ‚เปเป‰เบกเบนเบ™: 3dnews.ru

เป€เบžเบตเปˆเบกเบ„เบงเบฒเบกเบ„เบดเบ”เป€เบซเบฑเบ™