SK hynix ນຳສະເໜີ DDR5 DRAM ທຳອິດຂອງໂລກ

ບໍລິສັດເກົາຫຼີ Hynix ນໍາສະເຫນີໃຫ້ສາທາລະນະຊົນຄັ້ງທໍາອິດຂອງປະເພດ RAM ມາດຕະຖານ DDR5 ຂອງຕົນ, ກ່ຽວກັບ ລາຍງານມາ ໃນ blog ຢ່າງເປັນທາງການຂອງບໍລິສັດ.

ອີງຕາມ SK hynix, ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາໃຫມ່ໃຫ້ອັດຕາການໂອນຂໍ້ມູນ 4,8-5,6 Gbps ຕໍ່ pin. ນີ້ແມ່ນ 1,8 ເທົ່າຫຼາຍກ່ວາປະສິດທິພາບພື້ນຖານຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DDR4 ລຸ້ນກ່ອນຫນ້າ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ຜູ້ຜະລິດອ້າງວ່າແຮງດັນໃນແຖບໄດ້ຖືກຫຼຸດລົງຈາກ 1,2 ຫາ 1,1 V, ເຊິ່ງ, ໃນທາງກັບກັນ, ເພີ່ມປະສິດທິພາບພະລັງງານຂອງໂມດູນ DDR5. ການສະຫນັບສະຫນູນການແກ້ໄຂຂໍ້ຜິດພາດ ECC - ລະຫັດການແກ້ໄຂຂໍ້ຜິດພາດ - ໄດ້ຖືກປະຕິບັດເຊັ່ນກັນ. ຄຸນສົມບັດນີ້ຖືກກ່າວວ່າຈະປັບປຸງຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືຂອງແອັບພລິເຄຊັນ 20 ເທົ່າເມື່ອທຽບໃສ່ກັບໜ່ວຍຄວາມຈຳລຸ້ນກ່ອນໜ້າ. ຈໍາ​ນວນ​ຕໍາ​່​ສຸດ​ທີ່​ຂອງ​ຫນ່ວຍ​ຄວາມ​ຈໍາ​ຄະ​ນະ​ກໍາ​ມະ​ແມ່ນ​ລະ​ບຸ​ໄວ້​ທີ່ 16 GB​, ສູງ​ສຸດ​ແມ່ນ​ 256 GB.

ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາໃຫມ່ໄດ້ຖືກພັດທະນາຕາມມາດຕະຖານສະເພາະ JEDEC Solid State Technology Association, ເຊິ່ງໄດ້ຈັດພີມມາໃນວັນທີ 14 ກໍລະກົດ 2020. ອີງຕາມການປະກາດຂອງ JEDEC ໃນເວລານັ້ນ, ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງ DDR5 ສະຫນັບສະຫນູນສອງເທົ່າຂອງຊ່ອງທາງທີ່ແທ້ຈິງຂອງ DDR4, ນັ້ນແມ່ນ, ເຖິງ 6,4 Gbps ສໍາລັບ DDR5 ທຽບກັບ 3,2 Gbps ທີ່ມີຢູ່ສໍາລັບ DDR4. ໃນເວລາດຽວກັນ, ການເປີດຕົວມາດຕະຖານຈະເປັນ "ກ້ຽງ", ນັ້ນແມ່ນ, ແຖບທໍາອິດ, ຕາມການວາງແຜນຂອງສະມາຄົມແລະດັ່ງທີ່ SK hynix ສະແດງໃຫ້ເຫັນ, ໃນຖານຂໍ້ມູນແມ່ນໄວກວ່າພຽງແຕ່ 50% ເມື່ອທຽບກັບ DDR4, ນັ້ນແມ່ນ, ພວກເຂົາ. ມີຊ່ອງ 4,8 Gbit/s

ອີງຕາມການປະກາດ, ບໍລິສັດພ້ອມທີ່ຈະກ້າວໄປສູ່ການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງໂມດູນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາຂອງມາດຕະຖານໃຫມ່. ຂັ້ນຕອນການກະກຽມແລະການທົດສອບທັງຫມົດ, ລວມທັງການທົດສອບໂດຍຜູ້ຜະລິດໂປເຊດເຊີສູນກາງ, ໄດ້ສໍາເລັດ, ແລະບໍລິສັດຈະເລີ່ມຜະລິດແລະຂາຍຫນ່ວຍຄວາມຈໍາປະເພດໃຫມ່ຢ່າງຫ້າວຫັນໃນທັນທີທີ່ອຸປະກອນທີ່ກົງກັບລັກສະນະສະເພາະ. Intel ໄດ້ມີສ່ວນຮ່ວມຢ່າງຈິງຈັງໃນການພັດທະນາຫນ່ວຍຄວາມຈໍາໃຫມ່.

ການມີສ່ວນຮ່ວມຂອງ Intel ບໍ່ແມ່ນເລື່ອງບັງເອີນ. Hynix ບອກວ່າໃນປັດຈຸບັນຜູ້ບໍລິໂພກຕົ້ນຕໍຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາລຸ້ນໃຫມ່, ໃນຄວາມຄິດເຫັນຂອງພວກເຂົາ, ຈະເປັນສູນຂໍ້ມູນແລະສ່ວນຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍທັງຫມົດ. Intel ຍັງຄົງຄອບງໍາຕະຫຼາດນີ້, ແລະໃນປີ 2018, ເມື່ອຂັ້ນຕອນການເຮັດວຽກຂອງການຮ່ວມມືແລະການທົດສອບຄວາມຊົງຈໍາໃຫມ່ໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນ, ມັນເປັນຜູ້ນໍາທີ່ບໍ່ມີການໂຕ້ຖຽງກັນໃນສ່ວນຂອງໂປເຊດເຊີ.

Jonghoon Oh, ຮອງປະທານບໍລິຫານ ແລະ ຫົວໜ້າຝ່າຍການຕະຫຼາດຂອງ Sk hynix ກ່າວວ່າ:

SK hynix ຈະເນັ້ນໃສ່ຕະຫຼາດເຊີບເວີພຣີມຽມທີ່ເຕີບໂຕໄວ, ເສີມສ້າງຄວາມເຂັ້ມແຂງໃນຖານະເປັນບໍລິສັດເຊີຟເວີ DRAM ຊັ້ນນໍາ.

ຂັ້ນຕອນຕົ້ນຕໍຂອງການເຂົ້າສູ່ຕະຫຼາດຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາໃຫມ່ແມ່ນໄດ້ວາງແຜນໄວ້ສໍາລັບປີ 2021 - ນັ້ນແມ່ນເວລາທີ່ຄວາມຕ້ອງການຂອງ DDR5 ຈະເລີ່ມເຕີບໂຕແລະໃນເວລາດຽວກັນອຸປະກອນທີ່ມີຄວາມສາມາດເຮັດວຽກກັບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາໃຫມ່ຈະມີການຂາຍ. Synopsys, Renesas, Montage Technology ແລະ Rambus ກໍາລັງເຮັດວຽກຮ່ວມກັນກັບ SK hynix ເພື່ອສ້າງລະບົບນິເວດສໍາລັບ DDR5.

ໃນປີ 2022, SK hynix ຄາດຄະເນວ່າຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DDR5 ຈະເກັບກໍາສ່ວນແບ່ງ 10%, ແລະໃນປີ 2024 - ແລ້ວ 43% ຂອງຕະຫຼາດ RAM. ແທ້ຈິງແລ້ວ, ມັນບໍ່ໄດ້ຖືກລະບຸວ່ານີ້ຫມາຍເຖິງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາຂອງເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍ, ຫຼືຕະຫຼາດທັງຫມົດ, ລວມທັງ desktops, laptops ແລະອຸປະກອນອື່ນໆ.

ບໍລິສັດຫມັ້ນໃຈວ່າການພັດທະນາຂອງຕົນ, ແລະມາດຕະຖານ DDR5 ໂດຍທົ່ວໄປ, ຈະເປັນທີ່ນິຍົມຫລາຍໃນບັນດາຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ເຮັດວຽກກັບຂໍ້ມູນໃຫຍ່ແລະການຮຽນຮູ້ເຄື່ອງຈັກ, ໃນບັນດາການບໍລິການຟັງທີ່ມີຄວາມໄວສູງແລະຜູ້ບໍລິໂພກອື່ນໆທີ່ຄວາມໄວຂອງການໂອນຂໍ້ມູນພາຍໃນເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍຂອງມັນເອງແມ່ນ. ສຳຄັນ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: www.habr.com