ເລເຊີຂອງອາເມລິກາຈະຊ່ວຍໃຫ້ນັກວິທະຍາສາດຊາວເບລຢ້ຽນມີຄວາມກ້າວຫນ້າກັບເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 3-nm ແລະຫຼາຍກວ່ານັ້ນ

ອີງຕາມເວັບໄຊທ໌ IEEE Spectrum, ຈາກທ້າຍເດືອນກຸມພາຫາຕົ້ນເດືອນມີນາ, ຫ້ອງທົດລອງໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນຢູ່ສູນ Imec ຂອງແບນຊິກຮ່ວມກັບບໍລິສັດອາເມລິກາ KMLabs ເພື່ອສຶກສາບັນຫາກັບ semiconductor photolithography ພາຍໃຕ້ອິດທິພົນຂອງຮັງສີ EUV (ໃນ ultra- ລະດັບ ultraviolet ຍາກ). ມັນເບິ່ງຄືວ່າ, ມີຫຍັງທີ່ຈະສຶກສາຢູ່ທີ່ນີ້? ບໍ່ມີ, ມີວິຊາທີ່ຈະສຶກສາ, ແຕ່ເປັນຫຍັງຈຶ່ງສ້າງຕັ້ງຫ້ອງທົດລອງໃຫມ່ສໍາລັບການນີ້? Samsung ເລີ່ມຜະລິດຊິບ 7nm ດ້ວຍການໃຊ້ບາງສ່ວນຂອງເຄື່ອງສະແກນ EUV ເມື່ອຫົກເດືອນກ່ອນ. TSMC ຈະເຂົ້າຮ່ວມໃນຄວາມພະຍາຍາມນີ້ໃນໄວໆນີ້. ໃນຕອນທ້າຍຂອງປີ, ທັງສອງຂອງພວກເຂົາຈະເລີ່ມຕົ້ນການຜະລິດທີ່ມີຄວາມສ່ຽງທີ່ມີມາດຕະຖານ 5 nm ແລະອື່ນໆ. ແລະຍັງມີບັນຫາ, ແລະພວກເຂົາມີຄວາມຮ້າຍແຮງພຽງພໍທີ່ຄໍາຕອບຂອງຄໍາຖາມຄວນໄດ້ຮັບການຊອກຫາຢູ່ໃນຫ້ອງທົດລອງ, ແລະບໍ່ແມ່ນຢູ່ໃນການຜະລິດ.

ບັນຫາຕົ້ນຕໍໃນ lithography EUV ໃນມື້ນີ້ຍັງຄົງມີຄຸນນະພາບຂອງ photoresist. ແຫຼ່ງຂອງຮັງສີ EUV ແມ່ນ plasma, ບໍ່ແມ່ນເລເຊີ, ຄືກັນກັບເຄື່ອງສະແກນ 193 nm ເກົ່າ. ເລເຊີ evaporates ການຫຼຸດລົງຂອງສານນໍາໃນສະພາບແວດລ້ອມອາຍແກັສແລະ radiation emits photons, ພະລັງງານຊຶ່ງໃນນັ້ນແມ່ນ 14 ເທົ່າຂອງພະລັງງານຂອງ photons ໃນເຄື່ອງສະແກນທີ່ມີ radiation ultraviolet. ດັ່ງນັ້ນ, photoresist ບໍ່ພຽງແຕ່ຖືກທໍາລາຍໃນສະຖານທີ່ເຫຼົ່ານັ້ນບ່ອນທີ່ມັນຖືກລະເບີດໂດຍ photons, ແຕ່ຍັງເກີດຄວາມຜິດພາດແບບສຸ່ມ, ລວມທັງອັນທີ່ເອີ້ນວ່າຜົນກະທົບຂອງສຽງລົບກວນ. ພະລັງງານຂອງ photons ແມ່ນສູງເກີນໄປ. ການທົດລອງກັບເຄື່ອງສະແກນ EUV ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ photoresists, ເຊິ່ງຍັງສາມາດເຮັດວຽກກັບມາດຕະຖານ 7 nm, ໃນກໍລະນີຂອງການຜະລິດວົງຈອນ 5 nm ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງຄວາມບົກຜ່ອງໃນລະດັບສູງ. ບັນຫາແມ່ນຮ້າຍແຮງຫຼາຍທີ່ຜູ້ຊ່ຽວຊານຫຼາຍຄົນບໍ່ເຊື່ອໃນການເປີດຕົວເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 5 nm ທີ່ປະສົບຜົນສໍາເລັດຢ່າງໄວວາ, ບໍ່ໄດ້ກ່າວເຖິງການຫັນປ່ຽນໄປສູ່ 3 nm ແລະຂ້າງລຸ່ມນີ້.

ບັນຫາການສ້າງ photoresist ຮຸ່ນໃຫມ່ຈະຖືກພະຍາຍາມແກ້ໄຂຢູ່ໃນຫ້ອງທົດລອງຮ່ວມກັນຂອງ Imec ແລະ KMLabs. ແລະພວກເຂົາເຈົ້າຈະແກ້ໄຂມັນຈາກຈຸດຂອງທັດສະນະຂອງວິທີການວິທະຍາສາດ, ແລະບໍ່ແມ່ນໂດຍການເລືອກ reagents, ດັ່ງທີ່ໄດ້ເຮັດໃນສາມສິບປີກ່ອນ. ເພື່ອເຮັດສິ່ງນີ້, ຄູ່ຮ່ວມງານວິທະຍາສາດຈະສ້າງເຄື່ອງມືສໍາລັບການສຶກສາລາຍລະອຽດກ່ຽວກັບຂະບວນການທາງດ້ານຮ່າງກາຍແລະເຄມີໃນ photoresist. ໂດຍປົກກະຕິ, synchrotrons ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສຶກສາຂະບວນການໃນລະດັບໂມເລກຸນ, ແຕ່ Imec ແລະ KMLabs ກໍາລັງວາງແຜນທີ່ຈະສ້າງການຄາດຄະເນ EUV ແລະອຸປະກອນການວັດແທກໂດຍອີງໃສ່ເລເຊີ infrared. KMLabs ເປັນຜູ້ຊ່ຽວຊານໃນລະບົບເລເຊີ.

 

ໂດຍອີງໃສ່ການຕິດຕັ້ງເລເຊີ KMLabs, ເວທີສໍາລັບການສ້າງປະສົມກົມກຽວຄໍາສັ່ງສູງຈະຖືກສ້າງຂື້ນ. ໂດຍປົກກະຕິ, ສໍາລັບຈຸດປະສົງນີ້, ກໍາມະຈອນເຕັ້ນເລເຊີທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນສູງແມ່ນມຸ້ງໄປສູ່ຕົວກາງທີ່ມີທາດອາຍແກັສ, ເຊິ່ງຄວາມຖີ່ຄວາມຖີ່ສູງຂອງກໍາມະຈອນກໍາບັງເກີດຂື້ນ. ດ້ວຍການປ່ຽນໃຈເຫລື້ອມໃສດັ່ງກ່າວ, ການສູນເສຍພະລັງງານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍເກີດຂື້ນ, ດັ່ງນັ້ນຫຼັກການທີ່ຄ້າຍຄືກັນຂອງການສ້າງຮັງສີ EUV ບໍ່ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍກົງສໍາລັບ semiconductor lithography. ແຕ່ນີ້ແມ່ນພຽງພໍສໍາລັບການທົດລອງ. ສໍາຄັນທີ່ສຸດ, ການຮັງສີຜົນໄດ້ຮັບສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ທັງສອງໂດຍໄລຍະເວລາກໍາມະຈອນຕັ້ງແຕ່ picoseconds (10-12) ກັບ attoseconds (10-18), ແລະໂດຍ wavelength ຈາກ 6,5 nm ຫາ 47 nm. ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຄຸນນະພາບທີ່ມີຄຸນຄ່າສໍາລັບເຄື່ອງມືວັດແທກ. ພວກເຂົາເຈົ້າຈະຊ່ວຍສຶກສາຂະບວນການຂອງການປ່ຽນແປງໂມເລກຸນ ultra-ໄວໃນ photoresist, ຂະບວນການ ionization ແລະການສໍາຜັດກັບ photons ພະລັງງານສູງ. ຖ້າບໍ່ມີນີ້, photolithography ອຸດສາຫະກໍາທີ່ມີມາດຕະຖານຫນ້ອຍກວ່າ 3 ແລະແມ້ກະທັ້ງ 5 nm ຍັງຄົງຢູ່ໃນຄໍາຖາມ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru