ກອງທັບສະຫະລັດໄດ້ຮັບ radar ມືຖືທໍາອິດໂດຍອີງໃສ່ semiconductors gallium nitride

ການຫັນປ່ຽນຈາກຊິລິໂຄນໄປເປັນ semiconductors ທີ່ມີ bandgap ກວ້າງ (gallium nitride, silicon carbide ແລະອື່ນໆ) ສາມາດເພີ່ມຄວາມຖີ່ຂອງການດໍາເນີນງານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງການແກ້ໄຂ. ດັ່ງນັ້ນ, ຫນຶ່ງໃນພື້ນທີ່ທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງການນໍາໃຊ້ຊິບຊ່ອງຫວ່າງກວ້າງແລະ transistors ແມ່ນການສື່ສານແລະ radars. ເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍອີງໃສ່ວິທີແກ້ໄຂ GaN "ອອກຈາກສີຟ້າ" ສະຫນອງການເພີ່ມຂື້ນຂອງພະລັງງານແລະການຂະຫຍາຍຂອບເຂດຂອງ radars, ເຊິ່ງທະຫານໄດ້ໃຊ້ປະໂຫຍດໃນທັນທີ.

ບໍລິສັດ Lockheed Martin ລາຍງານວ່າໜ່ວຍ radar ມືຖືທໍາອິດ (radars) ໂດຍອີງໃສ່ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີອົງປະກອບຂອງ gallium nitride ໄດ້ຖືກສົ່ງໃຫ້ທະຫານສະຫະລັດ. ບໍລິສັດບໍ່ໄດ້ມາກັບສິ່ງໃຫມ່. ເຣດາຕ້ານແບດເຕີຣີ AN/TPQ-2010, ໄດ້ຮັບຮອງເອົາຕັ້ງແຕ່ປີ 53, ໄດ້ຖືກຍົກຍ້າຍໄປໃສ່ຖານອົງປະກອບ GaN. ນີ້ແມ່ນ radar semiconductor ຊ່ອງຫວ່າງທໍາອິດແລະມາຮອດປະຈຸບັນດຽວໃນໂລກ.

ໂດຍການປ່ຽນໄປໃຊ້ອົງປະກອບຂອງ GaN ທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວ, radar AN/TPQ-53 ໄດ້ເພີ່ມລະດັບການຊອກຄົ້ນຫາຂອງຕໍາແໜ່ງປືນໃຫຍ່ປິດ ແລະໄດ້ຮັບຄວາມສາມາດໃນການຕິດຕາມເປົ້າໝາຍທາງອາກາດພ້ອມໆກັນ. ໂດຍສະເພາະ, ເຣດາ AN/TPQ-53 ໄດ້ເລີ່ມນຳໃຊ້ກັບ drones, ລວມທັງພາຫະນະຂະໜາດນ້ອຍ. ການກໍານົດຕໍາແຫນ່ງປືນໃຫຍ່ທີ່ປົກຄຸມສາມາດປະຕິບັດໄດ້ທັງໃນຂະແຫນງ 90 ອົງສາແລະດ້ວຍມຸມເບິ່ງ 360 ອົງສາ.

Lockheed Martin ເປັນພຽງຜູ້ສະໜອງ radars phased array (phased array) ໃຫ້ແກ່ກອງທັບສະຫະລັດ. ການຫັນປ່ຽນໄປສູ່ພື້ນຖານອົງປະກອບ GaN ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດອີງໃສ່ການນໍາພາໃນໄລຍະຍາວຕື່ມອີກໃນດ້ານການປັບປຸງແລະການຜະລິດການຕິດຕັ້ງ radar.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru