ນັກພັດທະນາຊາວແບນຊິກໄດ້ປູທາງໃຫ້ອຸປະກອນພະລັງງານ "ຊິບດຽວ".

ພວກເຮົາໄດ້ສັງເກດເຫັນຫຼາຍກວ່າຫນຶ່ງຄັ້ງວ່າການສະຫນອງພະລັງງານໄດ້ກາຍເປັນ "ທຸກສິ່ງທຸກຢ່າງຂອງພວກເຮົາ." ເອເລັກໂຕຣນິກມືຖື, ຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ, ອິນເຕີເນັດຂອງສິ່ງຕ່າງໆ, ການເກັບຮັກສາພະລັງງານແລະຫຼາຍເຮັດໃຫ້ຂະບວນການຂອງການສະຫນອງພະລັງງານແລະການປ່ຽນແຮງດັນໄຟຟ້າໄປສູ່ຕໍາແຫນ່ງທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດທໍາອິດໃນເອເລັກໂຕຣນິກ. ເທກໂນໂລຍີການຜະລິດຊິບແລະອົງປະກອບທີ່ບໍ່ຊ້ໍາກັນໂດຍໃຊ້ວັດສະດຸເຊັ່ນ: gallium nitride (GaN). ໃນເວລາດຽວກັນ, ບໍ່ມີໃຜຈະໂຕ້ແຍ້ງຄວາມຈິງທີ່ວ່າການແກ້ໄຂປະສົມປະສານແມ່ນດີກ່ວາການແຍກແຍະທັງໃນດ້ານຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການແກ້ໄຂແລະປະຫຍັດເງິນໃນການອອກແບບແລະການຜະລິດ. ບໍ່ດົນມານີ້, ໃນກອງປະຊຸມ PCIM 2019, ນັກຄົ້ນຄວ້າຈາກສູນ Belgian Imec ຢ່າງຊັດເຈນ ສະແດງໃຫ້ເຫັນການສະຫນອງພະລັງງານຊິບດຽວ (inverters) ໂດຍອີງໃສ່ GaN ບໍ່ແມ່ນວິທະຍາສາດ fiction ທັງຫມົດ, ແຕ່ເປັນເລື່ອງຂອງອະນາຄົດອັນໃກ້ນີ້.

ການນໍາໃຊ້ gallium nitride ໃນເທກໂນໂລຍີຊິລິໂຄນໃນ SOI (silicon on insulator) wafers, ຜູ້ຊ່ຽວຊານ Imec ໄດ້ສ້າງຕົວແປງເຄິ່ງຂົວຫນຶ່ງຊິບ. ນີ້ແມ່ນຫນຶ່ງໃນສາມທາງເລືອກຄລາສສິກສໍາລັບການເຊື່ອມຕໍ່ສະຫຼັບພະລັງງານ (transistors) ເພື່ອສ້າງ inverters ແຮງດັນ. ປົກກະຕິແລ້ວ, ເພື່ອປະຕິບັດວົງຈອນ, ຊຸດຂອງອົງປະກອບແຍກແມ່ນປະຕິບັດ. ເພື່ອບັນລຸຄວາມຫນາແຫນ້ນທີ່ແນ່ນອນ, ຊຸດຂອງອົງປະກອບຍັງຖືກຈັດໃສ່ໃນຊຸດທົ່ວໄປຫນຶ່ງ, ເຊິ່ງບໍ່ປ່ຽນແປງຄວາມຈິງທີ່ວ່າວົງຈອນໄດ້ຖືກປະກອບຈາກອົງປະກອບສ່ວນບຸກຄົນ. ຊາວແບນຊິກສາມາດແຜ່ພັນເກືອບທັງຫມົດອົງປະກອບຂອງຂົວເຄິ່ງຫນຶ່ງຢູ່ໃນໄປເຊຍກັນດຽວ: transistors, capacitors ແລະ resistors. ການແກ້ໄຂເຮັດໃຫ້ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະເພີ່ມປະສິດທິພາບການແປງແຮງດັນໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນປະກົດການຂອງແມ່ກາຝາກທີ່ມັກຈະມາພ້ອມກັບວົງຈອນການແປງ.

ໃນຕົວແບບທີ່ສະແດງຢູ່ໃນກອງປະຊຸມ, ຊິບ GaN-IC ປະສົມປະສານໄດ້ປ່ຽນແຮງດັນ input 48-volt ເປັນແຮງດັນຜົນຜະລິດ 1-volt ທີ່ມີຄວາມຖີ່ຂອງການສະຫຼັບຂອງ 1 MHz. ການແກ້ໄຂອາດຈະເບິ່ງຄືວ່າມີລາຄາແພງຫຼາຍ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນການພິຈາລະນາການນໍາໃຊ້ SOI wafers, ແຕ່ນັກຄົ້ນຄວ້າເນັ້ນຫນັກວ່າການເຊື່ອມໂຍງລະດັບສູງຫຼາຍກ່ວາການຊົດເຊີຍຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ. ການຜະລິດ inverters ຈາກອົງປະກອບທີ່ບໍ່ຊ້ໍາກັນຈະມີລາຄາແພງກວ່າຕາມຄໍານິຍາມ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru