ຮຸ່ນທີສອງຂອງເຕັກໂນໂລຢີ Xtacking ໄດ້ຖືກກະກຽມສໍາລັບ 3D NAND ຂອງຈີນ

ວິ​ທີ​ການ ລາຍງານ ອົງການຂ່າວຂອງຈີນ, Yangtze Memory Technologies (YMTC) ໄດ້ກະກຽມສະບັບທີສອງຂອງເຕັກໂນໂລຊີ Xtacking ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງຂອງຕົນເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash 3D NAND ຫຼາຍຊັ້ນ. ເທກໂນໂລຍີ Xtacking, ພວກເຮົາຈື່ໄດ້, ໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີຢູ່ໃນກອງປະຊຸມສຸດຍອດ Flash Memory Summit ປະຈໍາປີໃນເດືອນສິງຫາປີກາຍນີ້ແລະເຖິງແມ່ນວ່າໄດ້ຮັບລາງວັນໃນປະເພດ "ການເລີ່ມຕົ້ນໃຫມ່ທີ່ສຸດໃນພາກສະຫນາມຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash."

ແນ່ນອນ, ການໂທຫາວິສາຫະກິດທີ່ມີງົບປະມານຫຼາຍຕື້ໂດລາການເລີ່ມຕົ້ນແມ່ນການຄາດເດົາຢ່າງຊັດເຈນຂອງບໍລິສັດ, ແຕ່, ໃຫ້ມີຄວາມຊື່ສັດ, YMTC ຍັງບໍ່ທັນຜະລິດຜະລິດຕະພັນໃນປະລິມານຫຼາຍ. ບໍລິສັດຈະຍ້າຍໄປສູ່ການສະຫນອງການຄ້າຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ 3D NAND ໃກ້ກັບທ້າຍປີນີ້ໃນເວລາທີ່ມັນເປີດຕົວການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 128 Gbit 64-layer, ເຊິ່ງ, ໂດຍວິທີທາງການ, ຈະໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນຈາກເຕັກໂນໂລຊີ Xtacking ນະວັດກໍາດຽວກັນນັ້ນ.

ດັ່ງ​ຕໍ່​ໄປ​ນີ້​ຈາກ​ບົດ​ລາຍ​ງານ​ທີ່​ຜ່ານ​ມາ​, ບໍ່​ດົນ​ມາ​ນີ້​ໃນ GSA Memory + forum​, Yangtze Memory CTO Tang Jiang ຍອມ​ຮັບ​ວ່າ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ Xtacking 2.0 ຈະ​ນໍາ​ສະ​ເຫນີ​ໃນ​ເດືອນ​ສິງ​ຫາ​. ແຕ່ຫນ້າເສຍດາຍ, ຫົວຫນ້າດ້ານວິຊາການຂອງບໍລິສັດບໍ່ໄດ້ແບ່ງປັນລາຍລະອຽດຂອງການພັດທະນາໃຫມ່, ດັ່ງນັ້ນພວກເຮົາຕ້ອງລໍຖ້າຈົນກ່ວາເດືອນສິງຫາ. ໃນຖານະເປັນການປະຕິບັດທີ່ຜ່ານມາສະແດງໃຫ້ເຫັນ, ບໍລິສັດຮັກສາຄວາມລັບຈົນເຖິງທີ່ສຸດແລະກ່ອນທີ່ຈະເລີ່ມຕົ້ນຂອງ Flash Memory Summit 2019, ພວກເຮົາບໍ່ຫນ້າຈະຮຽນຮູ້ສິ່ງທີ່ຫນ້າສົນໃຈກ່ຽວກັບ Xtacking 2.0.

ສໍາລັບເຕັກໂນໂລຢີ Xtacking ຕົວຂອງມັນເອງ, ເປົ້າຫມາຍຂອງມັນແມ່ນສາມຈຸດ: render ອິດທິພົນທີ່ຕັດສິນໃຈໃນການຜະລິດ 3D NAND ແລະຜະລິດຕະພັນໂດຍອີງໃສ່ມັນ. ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຄວາມໄວໃນການໂຕ້ຕອບຂອງຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການບັນທຶກແລະຄວາມໄວໃນການນໍາເອົາຜະລິດຕະພັນໃຫມ່ອອກສູ່ຕະຫຼາດ. ເທກໂນໂລຍີ Xtacking ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານສາມາດເພີ່ມອັດຕາແລກປ່ຽນກັບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາໃນຊິບ 3D NAND ຈາກ 1–1,4 Gbit/s (ONFi 4.1 ແລະ ToggleDDR interfaces) ເປັນ 3 Gbit/s. ໃນຂະນະທີ່ຄວາມອາດສາມາດຂອງຊິບເຕີບໂຕ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບຄວາມໄວຂອງການແລກປ່ຽນຈະເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະຈີນຫວັງວ່າຈະເປັນຜູ້ທໍາອິດທີ່ຈະສ້າງບາດກ້າວບຸກທະລຸໃນຂົງເຂດນີ້.

ມີອຸປະສັກອີກຢ່າງຫນຶ່ງທີ່ຈະເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການບັນທຶກ - ການມີຢູ່ໃນຊິບ 3D NAND ຂອງບໍ່ພຽງແຕ່ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາເທົ່ານັ້ນ, ແຕ່ຍັງມີການຄວບຄຸມອຸປະກອນຂ້າງຄຽງແລະວົງຈອນພະລັງງານ. ວົງຈອນເຫຼົ່ານີ້ໃຊ້ເວລາຫ່າງຈາກ 20% ຫາ 30% ຂອງພື້ນທີ່ໃຊ້ໄດ້ຈາກ array ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ, ແລະແມ້ກະທັ້ງ 128% ຂອງພື້ນຜິວຂອງຊິບຈາກຊິບ 50-Gbit. ໃນກໍລະນີຂອງເທກໂນໂລຍີ Xtacking, array ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາແມ່ນຜະລິດຢູ່ໃນຊິບຂອງຕົນເອງ, ແລະວົງຈອນຄວບຄຸມແມ່ນຜະລິດຢູ່ໃນເຄື່ອງອື່ນ. ໄປເຊຍກັນແມ່ນອຸທິດໃຫ້ຈຸລັງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາຢ່າງສົມບູນ, ແລະວົງຈອນຄວບຄຸມໃນຂັ້ນຕອນສຸດທ້າຍຂອງການປະກອບ chip ແມ່ນຕິດກັບໄປເຊຍກັນກັບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ.

ການຜະລິດແຍກຕ່າງຫາກແລະການປະກອບຕໍ່ມາຍັງຊ່ວຍໃຫ້ການພັດທະນາໄວຂຶ້ນຂອງຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ກໍາຫນົດເອງແລະຜະລິດຕະພັນທີ່ກໍາຫນົດເອງທີ່ປະກອບເຊັ່ນ bricks ເຂົ້າໄປໃນການປະສົມປະສານທີ່ເຫມາະສົມ. ວິທີການນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ພວກເຮົາຫຼຸດຜ່ອນການພັດທະນາຂອງຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ກໍາຫນົດເອງຢ່າງຫນ້ອຍ 3 ເດືອນຈາກໄລຍະເວລາການພັດທະນາທັງຫມົດ 12 ຫາ 18 ເດືອນ. ຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຫຼາຍຫມາຍເຖິງຄວາມສົນໃຈຂອງລູກຄ້າທີ່ສູງຂຶ້ນ, ເຊິ່ງຜູ້ຜະລິດຫນຸ່ມຂອງຈີນຕ້ອງການຄືກັບອາກາດ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru