Intel ກະກຽມ 144-layer QLC NAND ແລະພັດທະນາຫ້າບິດ PLC NAND

ຕອນເຊົ້ານີ້ໃນກຸງໂຊລ, ເກົາຫຼີໃຕ້, Intel ໄດ້ຈັດກິດຈະກໍາ "Memory and Storage Day 2019" ທີ່ອຸທິດຕົນເພື່ອແຜນການໃນອະນາຄົດໃນຕະຫລາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາແລະ solid-state drive. ຢູ່ທີ່ນັ້ນ, ຜູ້ຕາງຫນ້າຂອງບໍລິສັດໄດ້ເວົ້າກ່ຽວກັບຕົວແບບ Optane ໃນອະນາຄົດ, ຄວາມຄືບຫນ້າໃນການພັດທະນາຂອງຫ້າບິດ PLC NAND (Penta Level Cell) ແລະເຕັກໂນໂລຢີທີ່ໂດດເດັ່ນອື່ນໆທີ່ມັນວາງແຜນທີ່ຈະສົ່ງເສີມໃນຊຸມປີຂ້າງຫນ້າ. Intel ຍັງໄດ້ກ່າວເຖິງຄວາມປາຖະຫນາຂອງຕົນທີ່ຈະແນະນໍາ RAM ທີ່ບໍ່ປ່ຽນແປງໃນຄອມພິວເຕີ desktop ໃນໄລຍະຍາວແລະກ່ຽວກັບຮູບແບບໃຫມ່ຂອງ SSDs ທີ່ຄຸ້ນເຄີຍສໍາລັບພາກສ່ວນນີ້.

ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ຄາດຄິດທີ່ສຸດໃນການນໍາສະເຫນີຂອງ Intel ກ່ຽວກັບການພັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແມ່ນເລື່ອງກ່ຽວກັບ PLC NAND - ປະເພດຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາແຟດທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນກວ່າ. ບໍລິສັດເນັ້ນຫນັກວ່າໃນໄລຍະສອງປີທີ່ຜ່ານມາ, ຈໍານວນຂໍ້ມູນທັງຫມົດທີ່ຜະລິດຢູ່ໃນໂລກໄດ້ເພີ່ມຂຶ້ນສອງເທົ່າ, ດັ່ງນັ້ນການຂັບລົດໂດຍອີງໃສ່ສີ່ບິດ QLC NAND ເບິ່ງຄືວ່າເປັນການແກ້ໄຂທີ່ດີຕໍ່ບັນຫານີ້ - ອຸດສາຫະກໍາຕ້ອງການທາງເລືອກທີ່ສູງກວ່າ. ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການເກັບຮັກສາ. ຜົນຜະລິດຄວນຈະເປັນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Flash Penta-Level Cell (PLC), ແຕ່ລະເຊນທີ່ເກັບຂໍ້ມູນຫ້າບິດໃນເວລາດຽວກັນ. ດັ່ງນັ້ນ, ລໍາດັບຊັ້ນຂອງປະເພດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash ໃນໄວໆນີ້ຈະເບິ່ງຄືວ່າ SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. PLC NAND ໃຫມ່ຈະສາມາດເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນຫ້າເທົ່າເມື່ອທຽບກັບ SLC, ແຕ່, ແນ່ນອນ, ປະສິດທິພາບຕ່ໍາແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ເນື່ອງຈາກວ່າຕົວຄວບຄຸມຈະຕ້ອງຈໍາແນກລະຫວ່າງ 32 ລັດທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງຄ່າຂອງເຊນເພື່ອຂຽນແລະອ່ານຫ້າບິດ. .

ມັນເປັນມູນຄ່າທີ່ສັງເກດວ່າ Intel ບໍ່ໄດ້ຢູ່ຄົນດຽວໃນການຄົ້ນຫາຂອງມັນເພື່ອເຮັດໃຫ້ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາແຟດມີຄວາມຫນາແຫນ້ນ. Toshiba ຍັງໄດ້ກ່າວເຖິງແຜນການສ້າງ PLC NAND ໃນລະຫວ່າງກອງປະຊຸມ Flash Memory Summit ທີ່ຈັດຂຶ້ນໃນເດືອນສິງຫາ. ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ເຕັກໂນໂລຢີຂອງ Intel ແມ່ນມີຄວາມແຕກຕ່າງກັນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ: ບໍລິສັດໃຊ້ຈຸລັງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ເລື່ອນໄດ້, ໃນຂະນະທີ່ການອອກແບບຂອງ Toshiba ໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນອ້ອມຮອບຈຸລັງທີ່ອີງໃສ່ກັບດັກ. ດ້ວຍການເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນ, ປະຕູທີ່ເລື່ອນໄດ້ເບິ່ງຄືວ່າເປັນການແກ້ໄຂທີ່ດີທີ່ສຸດ, ເນື່ອງຈາກວ່າມັນຫຼຸດຜ່ອນອິດທິພົນເຊິ່ງກັນແລະກັນແລະການໄຫຼຂອງຄ່າບໍລິການໃນຈຸລັງແລະເຮັດໃຫ້ສາມາດອ່ານຂໍ້ມູນທີ່ມີຄວາມຜິດພາດຫນ້ອຍລົງ. ໃນຄໍາສັບຕ່າງໆອື່ນໆ, ການອອກແບບຂອງ Intel ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນ, ເຊິ່ງໄດ້ຮັບການຢືນຢັນຈາກຜົນການທົດສອບຂອງ QLC NAND ທີ່ມີການຄ້າທີ່ຜະລິດໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ການທົດສອບດັ່ງກ່າວສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການເສື່ອມໂຊມຂອງຂໍ້ມູນໃນເຊລຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ QLC ໂດຍອີງໃສ່ປະຕູເລື່ອນໄດ້ເກີດຂຶ້ນສອງຫາສາມເທື່ອຊ້າກວ່າໃນຈຸລັງ QLC NAND ທີ່ມີກັບດັກເກັບຄ່າ.

ຕໍ່ກັບພື້ນຖານນີ້, ຂໍ້ມູນທີ່ Micron ຕັດສິນໃຈແບ່ງປັນການພັດທະນາຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash ກັບ Intel, ໃນບັນດາສິ່ງອື່ນໆ, ເນື່ອງຈາກວ່າຄວາມປາຖະຫນາທີ່ຈະປ່ຽນໄປໃຊ້ຈຸລັງຈັ່ນຈັບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ເບິ່ງຄືວ່າຫນ້າສົນໃຈຫຼາຍ. Intel ຍັງຄົງຍຶດຫມັ້ນກັບເຕັກໂນໂລຢີຕົ້ນສະບັບແລະປະຕິບັດມັນຢ່າງເປັນລະບົບໃນການແກ້ໄຂໃຫມ່ທັງຫມົດ.

ນອກເຫນືອຈາກ PLC NAND, ທີ່ຍັງຢູ່ໃນການພັດທະນາ, Intel ມີຄວາມຕັ້ງໃຈທີ່ຈະເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນໃນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາແຟດໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີອື່ນໆທີ່ມີລາຄາຖືກກວ່າ. ໂດຍສະເພາະ, ບໍລິສັດໄດ້ຢືນຢັນການຫັນປ່ຽນທີ່ໃກ້ເຂົ້າມາໃນການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ 96-layer QLC 3D NAND: ມັນຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດໃຫມ່ຂອງຜູ້ບໍລິໂພກ. Intel SSD 665p.

ນີ້ຈະຖືກປະຕິບັດຕາມໂດຍ mastering ການຜະລິດ 144-layer QLC 3D NAND - ມັນຈະຕີການຜະລິດການຜະລິດໃນປີຫນ້າ. ມັນເປັນເລື່ອງທີ່ຢາກຮູ້ຢາກເຫັນທີ່ Intel ໄດ້ປະຕິເສດເຖິງຄວາມຕັ້ງໃຈທີ່ຈະນໍາໃຊ້ການ soldering triple ຂອງໄປເຊຍກັນ monolithic, ສະນັ້ນໃນຂະນະທີ່ການອອກແບບ 96 ຊັ້ນກ່ຽວຂ້ອງກັບການປະກອບຕັ້ງຂອງສອງໄປເຊຍກັນ 48 ຊັ້ນ, ເຕັກໂນໂລຊີ 144-layer ປາກົດຂື້ນແມ່ນອີງໃສ່ 72 ຊັ້ນ. "ຜະລິດຕະພັນເຄິ່ງສໍາເລັດຮູບ".

ຄຽງຄູ່ກັບການເພີ່ມຂື້ນຂອງຈໍານວນຊັ້ນໃນ QLC 3D NAND ໄປເຊຍກັນ, ຜູ້ພັດທະນາ Intel ຍັງບໍ່ທັນຕັ້ງໃຈທີ່ຈະເພີ່ມຄວາມສາມາດຂອງຜລຶກດ້ວຍຕົນເອງ. ອີງຕາມເທກໂນໂລຍີ 96- ແລະ 144-layer, crystals terabit ດຽວກັນຈະຖືກຜະລິດເປັນ QLC 64D NAND ລຸ້ນ 3 ຊັ້ນທໍາອິດ. ນີ້ແມ່ນຍ້ອນຄວາມປາຖະຫນາທີ່ຈະສະຫນອງ SSDs ໂດຍອີງໃສ່ມັນມີລະດັບການປະຕິບັດທີ່ຍອມຮັບໄດ້. SSDs ທໍາອິດທີ່ໃຊ້ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 144 ຊັ້ນຈະເປັນ Arbordale+ server drives.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru