ຊຸດພັດທະນາ PlayStation 5 ມີ 2 TB ຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash ແລະ 32 GB ຂອງ GDDR6

ບາງຄັ້ງກ່ອນຫນ້ານີ້, Sony ເອງໄດ້ເປີດເຜີຍຂໍ້ມູນທົ່ວໄປກ່ຽວກັບຄຸນລັກສະນະທາງວິຊາການຂອງ console ໃນອະນາຄົດຂອງຕົນ, Sony PlayStation 5, ແລະຂ່າວລືຕ່າງໆໄດ້ເສີມມັນ. ໃນປັດຈຸບັນຊັບພະຍາກອນ TheNedrMag ໄດ້ເຜີຍແຜ່ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມຂອງຊຸດການພັດທະນາ PlayStation 5.

ຜະລິດຕະພັນໃຫມ່ແມ່ນອີງໃສ່ໄປເຊຍກັນ monolithic ທີ່ມີຂະຫນາດປະມານ 22,4 × 14,1 mm (ເກືອບ 316 mm2). ປາກົດຂື້ນ, ນີ້ແມ່ນຊິບ 7nm ແບບກໍາຫນົດເອງທີ່ປະສົມປະສານກັບໂປເຊດເຊີສູນກາງທີ່ມີແປດ Zen 2 cores ແລະໂປເຊດເຊີກາຟິກໂດຍອີງໃສ່ສະຖາປັດຕະຍະກໍາ Navi. ຊິບໜ່ວຍຄວາມຈຳ Samsung K4ZAF325BM-HC18 ສິບຫົກໜ່ວຍຕັ້ງຢູ່ໃກ້ໆກັບກະດານ. ການຕັດສິນໂດຍເຄື່ອງຫມາຍ, ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຊິບ 6 Gbit (16 GB) GDDR2 ທີ່ມີແບນວິດຂອງ 18 Gbit / s ຕໍ່ pin. ນັ້ນແມ່ນ, console ມີຫນ່ວຍຄວາມຈໍາວິດີໂອໄວທັງຫມົດ 32 GB.

ນອກຈາກນີ້ຢູ່ເທິງກະດານມີຊິບ RAM Samsung K4AAG085WB-MCRC ສາມຊິບ. ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຊິບ 4 GB DDR2 ທີ່ມີຄວາມຖີ່ 2400 MHz. ສອງຂອງພວກເຂົາແມ່ນຕັ້ງຢູ່ຖັດຈາກຊິບ NAND, ນັ້ນແມ່ນ, ພວກເຂົາເປັນ cache DRAM ຂອງ drive-state. ແລະແມ່ນແລ້ວ, ຊິບໜ່ວຍຄວາມຈຳແຟລດ Toshiba BiCS3 (TLC) 3D NAND 58 ໜ່ວຍ (TH2LJT24T2BAEG) ຖືກ soldered ໂດຍກົງໃສ່ແຜ່ນວົງຈອນພິມ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າບໍ່ມີທາງທີ່ຈະປ່ຽນແທນ SSD ໄດ້. ຄວາມຈຸທັງໝົດຂອງຊິບໜ່ວຍຄວາມຈຳແຟລດແມ່ນ 5016 TB. ຕົວຄວບຄຸມຢູ່ທີ່ນີ້ແມ່ນ Phison PS16-E4.0 ຂັ້ນສູງ. ມັນສະຫນັບສະຫນູນ NVMe protocol ແລະໃຊ້ການໂຕ້ຕອບ PCI Express 800 ສໍາລັບການເຊື່ອມຕໍ່. ຕົວຄວບຄຸມຕົວມັນເອງແມ່ນແປດຊ່ອງ, ຄວາມໄວສູງສຸດກັບ NAND ແມ່ນ 4 MT / s, ແລະມີ DRAM DDR1600 - XNUMX Mbit / s.

ໂດຍທົ່ວໄປ, ຄຸນລັກສະນະທີ່ເຜີຍແຜ່ແມ່ນປະທັບໃຈຫຼາຍ. ແນ່ນອນ, ນີ້ແມ່ນພຽງແຕ່ຊຸດການພັດທະນາ, ແຕ່ສະເພາະຂອງມັນຄວນຈະຢູ່ໃກ້ກັບ console ຮຸ່ນສຸດທ້າຍ. ຄວາມຜິດຫວັງພຽງແຕ່ແມ່ນການຂາດຄວາມສາມາດໃນການທົດແທນ SSD, ແຕ່ຄວາມຈິງທີ່ວ່າມັນຖືກສ້າງຂຶ້ນໃນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ TLC, ມີຄວາມຈຸ 2 TB ແລະຈະໃຊ້ PCIe 4.0 ແມ່ນຂ່າວດີ. ແລະ 32 GB ຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ GDDR6 ໄວຈະເປັນປະໂຫຍດຢ່າງຊັດເຈນໃນເກມທີ່ທັນສະໄຫມ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru